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制造有機場效應晶體管的方法、實現該方法的噴嘴及裝置
本發明公開了應用混合型噴嘴噴印制造有機場效應晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導電單元及覆在導電單 元上的油層；4)轉印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實現簡單，對環 境要求也較低；成本低，設備成本低，同時制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學
2021-04-14
一種內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543403.6） 簡介：本發明提供一種內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術領域。本發明制作方法為：（1）在鋼管內部焊接加勁肋，然后在鋼管內部澆筑高強混凝土，形成鋼管高強混凝土芯柱；（2）在鋼管高強混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內截面拐角處，設置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強混凝土芯柱和異形FRP管內澆筑混凝土，制成內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異
安徽工業大學
2021-01-12
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
喜迎二十大 | 管培俊：高質量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發展實現新的歷史性跨越。
人民政協報
2022-10-12
一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠采用化學還原法還原或高溫熱還原法還原，得到石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠。本發明的工藝簡單，過程綠色環保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優點。
浙江大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法
本發明屬于材料制備領域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩定的天然沸石，然后，結合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負載CuO納米管復合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實現，制備的天然沸石負載CuO納米管復合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種基于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法
本發明屬于納米復合材料制備及應用領域，具體公開了一種基 于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計 算處理后圖片的分形維數，所得的分形維數值即是對碳納米管分散狀 態中豐富信息的定量化描述，從而實現分散體系中
華中科技大學
2021-04-14