|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
大學(xué).jpg){kind=logo}
大功率半導(dǎo)體激光器外延與芯片制備
成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目在國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃等研究成果基礎(chǔ)上，跟蹤國(guó)際趨勢(shì)，形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬(wàn)小時(shí)。主要優(yōu)勢(shì)：（1 ）填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長(zhǎng)可選。應(yīng)用簡(jiǎn)介所處研發(fā)階段：中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域：直接光加工、
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
一種 MEMS 陀螺儀芯片雙面陽(yáng)極鍵合工藝
本發(fā)明提出這樣一種陽(yáng)極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時(shí)高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕之后，將臨時(shí)高分子襯底用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，加電加熱后一次完成雙面陽(yáng)極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽(yáng)極鍵合分兩步進(jìn)行相比，更加節(jié)省成本，而且避免了第二次陽(yáng)極鍵合對(duì)第一次陽(yáng)極鍵合強(qiáng)度削弱這個(gè)固有缺點(diǎn)，使得產(chǎn)品可靠性提高。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片。芯片包括面陣電控液晶平面微透鏡，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由 m×n 元陣列分布的子電極構(gòu)成，每個(gè)子電極均由繞圓周呈十字叉型均勻分布的四個(gè)條狀導(dǎo)電膜構(gòu)成，單個(gè)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)收光測(cè)試方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光方法，該收光 測(cè)試方法包括如下步驟:待測(cè)試芯片被移動(dòng)至積分球收光口的上方; 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運(yùn)動(dòng)，使所積分球的收光口 對(duì)準(zhǔn)所述待測(cè)試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測(cè)試倒裝 LED 芯片的盤(pán)片。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的 收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問(wèn)題，具有高的收光精度，尤其與倒裝
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)收光測(cè)試組件
本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光測(cè)試組件，該 收光測(cè)試組件包括積分球組件和光學(xué)測(cè)試組件，其中積分球組件包括 積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置;其中積分球模塊包括積 分球、積分球 90°轉(zhuǎn)接頭，積分球的開(kāi)口設(shè)置有石英玻璃，其設(shè)置方 式是采用石英玻璃夾具套設(shè)在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內(nèi)側(cè)在略高于收光口的上方設(shè)置有凸臺(tái)，用于放置固定 石英玻璃。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測(cè)試探針
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于電控液晶匯聚微透鏡的波前測(cè)量芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶匯聚微透鏡的波前測(cè)量芯片。包括面陣電控液晶匯聚微透鏡和面陣可見(jiàn)光探測(cè)器；面陣電控液晶匯·743·聚微透鏡包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成，圖形化電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的方孔或圓孔的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基多眼套疊仿生成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶基多眼套疊仿生成像探測(cè)芯片，包括多眼套疊成像探測(cè)架構(gòu)，其包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見(jiàn)光探測(cè)器以及面陣電控液晶聚光微透鏡，面陣電控液晶聚光微透鏡包括 m×m 個(gè)單元微透鏡，其中 m 均為正整數(shù)，面陣可見(jiàn)光探測(cè)器被劃分為 m×m 個(gè)子面陣可見(jiàn)光探測(cè)器，每個(gè)子面陣可見(jiàn)光探測(cè)器包括 m×m 個(gè)光敏元，面陣電控液晶聚光微透鏡用于接收目標(biāo)光波，并將該目標(biāo)光波離散分割到面陣可見(jiàn)光探測(cè)器中不同
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于電控液晶紅外發(fā)散平面微透鏡的紅外波束控制芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微透鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微透鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微透鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初·750·始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺(tái)
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺(tái)，包括基座、芯片剝離和翻轉(zhuǎn)單元、XY 向運(yùn)動(dòng)單元、多自由度鍵合頭和貼裝臺(tái)單元，其中芯片剝離和翻轉(zhuǎn)單元用于將晶圓盤(pán)上的芯片分別執(zhí)行剝離和翻轉(zhuǎn)，并將其送至待拾取位置；多自由度鍵合頭以懸臂形式安裝在 XY 向運(yùn)動(dòng)單元的支撐導(dǎo)軌上，并具有主動(dòng)調(diào)平和對(duì)準(zhǔn)功能；貼裝臺(tái)單元用于吸附基板并與鍵合頭相配合，由此實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間的相互定位。此外，為了保證各單元高精度的運(yùn)動(dòng)或配合，該倒裝鍵合平臺(tái)中還配置有多套視覺(jué)定位系統(tǒng)。通過(guò)本發(fā)明，能夠達(dá)到微米級(jí)的對(duì)準(zhǔn)精度，平行調(diào)整精度優(yōu)于
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種可尋址層析視場(chǎng)的液晶基成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種可尋址層析視場(chǎng)的液晶基成像探測(cè)芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測(cè)器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對(duì)目標(biāo)通過(guò)物鏡形成的壓縮光場(chǎng)執(zhí)行進(jìn)一步的匯聚式壓縮，通過(guò)調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號(hào)電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進(jìn)而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標(biāo)對(duì)焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標(biāo)圖層，執(zhí)行成像視場(chǎng)在深度
華中科技大學(xué)
2021-04-14