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低溫無壓燒結納米陶瓷用高燒結活性復合納米ZrO2粉末微球
研發階段/n本發明涉及一種低溫無壓燒結納米陶瓷用高燒結活性復合納米ZrO2粉末微球的一步合成法，其利用乳濁液法控制團聚粉末的形狀（球形），利用均勻沉淀法控制一次納米顆粒的大小、團聚和粒徑分布，利用共沉淀法控制團聚粉末的成分與結構的均勻性，從而一步合成復合納米ZrO2(CaO,MgO)軟團聚粉末微球，將制粉和造粒過程一步完成。本發明涉及的方法可以有效解決低溫無壓燒結制備納米陶瓷這一難題，大大加快納米ZrO2陶瓷的實用化進程。
湖北工業大學
2021-01-12
非平衡等離子體產生裝置及顆粒狀粉末表面改性處理系統
本發明公開了一種非平衡等離子體產生裝置及顆粒狀粉末表面 改性處理系統，包括腔體、屏蔽網以及設置在腔體內的高壓電極單元 和低壓電極單元；高壓電極單元設置在高壓電極絕緣蓋板的下表面， 高壓電極單元包括多個均勻陣列排布的高壓線電極，在高壓電極絕緣 蓋板上設置有多個均勻陣列排布的第一通孔；各個高壓線電極的一端 與高壓電極引線的一端固定；高壓線電極的另一端通過高壓電極固定 螺栓固定，高壓電極引線的另一端通過第一通孔引出；并將各個高壓 電極引線連接后作為非平衡等離子體產生裝置的脈沖高壓輸入端。本 發明采用了高壓
華中科技大學
2021-04-14
一種制備用于 3D 打印的復合粉末的方法、產品以及應用
本發明公開了一種制備用于 3D 打印的復合粉末的方法，屬于增 材制造技術領域。其包括：S1 將金屬基體相粉末與納米陶瓷強化相粉 末執行機械混合，獲得混合粉末，S2 對混合粉末執行球磨工藝，獲得 合金化粉末，球磨采用的球磨介質為球形，其直徑為 6mm～10mm， 球料比為 8:1～10:1，球磨罐距離旋轉中心的距離為 15cm～30cm，轉 速為 150rpm～200rpm，球磨時間為 6h～8h，獲得復合粉末。本發明還
華中科技大學
2021-04-14
在鈦金屬表面制備 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂層的方法
項目簡介 一種在鈦金屬表面制備 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂層的方法，它由預制由 Nb 粉、 Sn 粉、Zr 粉、Ti 粉組成的混合粉壓實片和激光熔覆處理二個步驟組成。所述的預制混合 粉壓實片是指將一定質量百分比的 Nb 粉（62.2%）、Sn 粉（26.5%）、Zr 粉（10%）、Ti 粉 （1.3%）先用球磨機混合均勻，然后烘干，最后在壓力機上壓制成片。所述的激光熔覆 處理是指將壓制片放置在經清潔處理的鈦合金表面，然后進行激光熔覆加工。本發明熔 覆工藝性能優良，涂層組織致密，界
江蘇大學
2021-04-14
一種帶有硫化鋁外殼的硫化銅納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業大學
2021-01-12
聚集誘導發光（ AIE ）綠色熒光磁性指紋粉末 / 噴霧及智能指紋對比分析儀
傳統熒光材料與磁性（多為黑色）指紋粉末結合后通常會導致熒光猝滅，而利用 AIE 材料聚集態下熒光亮度的高特性，與黑色磁粉復合后不但信號不受背景干擾，還能實現在日光和紫外光下的雙重顯色，獲得高分辨的指紋多級結構信息。為了適應南方潮濕天氣，本團隊進一步開發了指紋噴現液，可在更復雜環境和背底下進行微弱指紋識別。該技術已在公安機關試用推廣，成功協助偵破多起惡性案件。 同時，利用本團隊自主開發的智能指紋對比分析儀，能夠快速讀取通過 AIE 雙模輸出的指紋信息，并與相關數據庫人員進行對比， 進而展示現役人員的準確信息。該技術還可結合目前的云端技術與監控圖像識別系統，快速確認疑似人員的移動路徑，實現采集- 識別-監控-追捕無縫對接。
華南理工大學
2023-05-08
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鎢納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，
安徽工業大學
2021-01-12
納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用
本發明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用。采用二氧化硅納微米球表面預處理法，通過―晶核-生長‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.
武漢大學
2021-04-14
一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業大學
2021-01-12