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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種水域污染源自動(dòng)探測(cè)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種水域污染源自動(dòng)探測(cè)方法，包括:控制器， 以及由所述控制器控制的驅(qū)動(dòng)裝置、采樣裝置、方位傳感器、水質(zhì)傳 感器;(1)設(shè)定污染物檢測(cè)閾值 S0;(2)多個(gè)水質(zhì)傳感器每隔ΔT 同時(shí)采 集一次污染物濃度，取這些數(shù)據(jù)的最大值 S 與 S0 進(jìn)行比較，當(dāng) S≤S0 時(shí)，探測(cè)裝置繼續(xù)按照初始方向前進(jìn);當(dāng) S>S0 時(shí)，探測(cè)裝置向著最大 值S所對(duì)應(yīng)的水質(zhì)傳感器所在的方向前進(jìn)，直到到達(dá)污染源所在區(qū)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種 LED 封裝透鏡的形貌控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 LED 封裝透鏡的形貌控制方法，包括：步驟 1，采用點(diǎn)膠設(shè)備將制備透鏡的聚合 物或熔融玻璃轉(zhuǎn)移至 LED 模塊，并覆蓋住 LED 芯片；步驟 2，采用點(diǎn)膠設(shè)備或微注射器將與聚合物不 相溶的液滴轉(zhuǎn)移至聚合物表面；步驟 3，采用加熱法固化聚合物、蒸發(fā)液滴，獲得具火山口形凹槽的透 鏡。本發(fā)明在降低加工成本、縮短加工周期的同時(shí)，還極大提高了透鏡的表面光潔度，從而可改善 LED 產(chǎn)品光學(xué)性能，適用于包括支架式、板上芯片、陣列式、系統(tǒng)封裝
武漢大學(xué)
2021-04-14
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間三氟甲基苯酚合成改進(jìn)新方法
間三氟甲基苯酚是間氨基三氟甲苯的主要衍生產(chǎn)品之一，它是合成酰氨類農(nóng)藥除草劑“吡氟草胺”的關(guān)鍵中間體。另外，其嘧啶丙烯酸酯作為農(nóng)藥殺菌劑使用；在醫(yī)藥領(lǐng)域，用于合成抗菌素重要中間體3-芳基甲基頭孢菌素衍生物，合成抗驚蕨藥物苯基苯氧乙基氨基磺酸酯，抗結(jié)核病藥物N、N-二苯基脲衍生物。根據(jù)目前文獻(xiàn)報(bào)道，間三氟甲基苯酚的合成方法有五種: 過(guò)氧化氫氧化法,三氟甲基烷基化法,電解法,重氮化水解法,醚水解法等。其中重氮化水解法所使用的原料便宜易得,反應(yīng)條件溫和, 產(chǎn)品的收率和純度高。該法是目前工業(yè)上應(yīng)用得最廣泛的方法。
天津大學(xué)
2023-05-10
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一種流化催化分解石膏的方法
本發(fā)明公開(kāi)的一種流化催化分解石膏的方法，將石膏與金屬氧化物分子篩催化劑混合均勻加入到流化反應(yīng)器中，硫磺氣從流化反應(yīng)器底部進(jìn)入與固體物料接觸，反應(yīng)分解石膏。反應(yīng)得到的固相用蒸汽洗滌，洗滌后固相為金屬氧化物分子篩催化劑，干燥后循環(huán)使用。洗滌后的氣相冷凝得到Ca(OH)2懸濁液用于制備鈣鹽。未冷凝的氣相可單獨(dú)或與石膏分解反應(yīng)后的氣相產(chǎn)物中的SO2按克勞斯反應(yīng)制備硫磺，作為還原劑循環(huán)使用。石膏分解反應(yīng)得到的氣相經(jīng)過(guò)除塵，降溫，經(jīng)分離制備不溶性硫磺，可溶性硫磺作為還原劑循環(huán)使用。剩余的氣相可與H2S制備硫磺再作為還原劑循環(huán)使用，或生產(chǎn)硫酸。本發(fā)明石膏分解能耗低，分解速率快，產(chǎn)品附加值高，工藝環(huán)保先進(jìn)。
四川大學(xué)
2016-10-09
一種低鹽營(yíng)養(yǎng)泡菜的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種低鹽營(yíng)養(yǎng)泡菜的制備方法，它包括以下步驟：S1.浸漬：將新鮮蔬菜用食鹽水浸漬并脫去蔬菜表面水分；S2.制備蔬菜汁：另取新鮮蔬菜并打漿，漿液中依次加纖維素酶和果膠酶進(jìn)行酶解，酶解至可溶性無(wú)鹽固形物含量為10～20%，得蔬菜汁；S3.制備泡漬液：包括去雜、蒸煮和混合；S4.泡制：將浸漬的蔬菜與泡漬液混合后泡制，制得低鹽營(yíng)養(yǎng)泡菜。本發(fā)明方法制備的泡菜鹽分含量低，可溶性無(wú)鹽固形物含量高，比傳統(tǒng)方法制備的泡菜相比，很好的保持了蔬菜中的營(yíng)養(yǎng)成分，所制泡菜口感好，風(fēng)味佳；本發(fā)明方法生產(chǎn)成本低、環(huán)保節(jié)能、制備方便、適宜于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
四川大學(xué)
2016-10-09
成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法
本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)的應(yīng)用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過(guò)的表面平整的基片上，以反應(yīng)濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過(guò)程中，通過(guò)改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來(lái)控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時(shí)間呈現(xiàn)出周期性變化規(guī)律。本發(fā)明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長(zhǎng)方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個(gè)亞層組成的多層結(jié)構(gòu)，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現(xiàn)梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復(fù)合結(jié)構(gòu)特征。
四川大學(xué)
2016-09-29
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一種橋梁現(xiàn)場(chǎng)靜載試驗(yàn)評(píng)定方法
本發(fā)明涉及一種橋梁現(xiàn)場(chǎng)靜載試驗(yàn)評(píng)定方法，其主要是一種通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)靜載試驗(yàn)來(lái)評(píng)定橋梁承載能力及適用性能的方法；包括如下步驟：(1)確定收集相關(guān)資料前期準(zhǔn)備工作具體內(nèi)容與方法；(2)根據(jù)收集來(lái)的資料，建立合理準(zhǔn)確的橋梁結(jié)構(gòu)有限元模型；(3)根據(jù)恒、活載下橋梁內(nèi)力及應(yīng)力計(jì)算分析結(jié)果，明確橋梁的理論受力安全性及活載受力特點(diǎn)；(4)結(jié)合橋梁傳統(tǒng)的關(guān)鍵截面，確定橋梁試驗(yàn)截面，完成靜載試驗(yàn)方案設(shè)計(jì)；(5)橋梁現(xiàn)場(chǎng)靜載試驗(yàn)并處理數(shù)據(jù)(6)研究設(shè)定試驗(yàn)評(píng)定指標(biāo)對(duì)應(yīng)的評(píng)定區(qū)間；(7)對(duì)橋梁結(jié)構(gòu)性能做出合理全面評(píng)價(jià)。本發(fā)明評(píng)定方法與指標(biāo)能夠更有效并細(xì)化指示出橋梁的實(shí)際承載能力及適用性，提高評(píng)定結(jié)果的合理性與準(zhǔn)確性。
西南交通大學(xué)
2018-09-18
一種監(jiān)控視頻行人檢測(cè)匹配方法
本發(fā)明屬于視頻圖像數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，公開(kāi)了一種監(jiān)控視頻行人檢測(cè)匹配方法，包括視頻行人目標(biāo)檢測(cè)步驟；幀間同目標(biāo)關(guān)聯(lián)步驟；目標(biāo)序列及待匹配目標(biāo)特征提取步驟；特征相似度計(jì)算步驟和目標(biāo)匹配判別步驟。由于相鄰幀間行人目標(biāo)不會(huì)有太大的位移，本發(fā)明使用被檢測(cè)出的行人的位置信息對(duì)序列連續(xù)幀中的同一目標(biāo)進(jìn)行關(guān)聯(lián)得到目標(biāo)序列；目標(biāo)序列特征提取的方法一是提取目標(biāo)序列多幀的灰度直方圖特征，一是目標(biāo)序列的 PCA 模板，由于都采用了多幀的信息，相
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁納米溫度成像方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)一種磁納米溫度成像方法，首先，對(duì)磁納米粒子樣品所在區(qū)域同時(shí)施加恒定直流磁場(chǎng)和交流磁場(chǎng)，采集磁納米粒子的交流磁化強(qiáng)度信號(hào)，檢測(cè)出各奇次諧波幅值；然后，將恒定直流梯度場(chǎng)替換為含梯度磁場(chǎng)的組合直流磁場(chǎng)，采集磁納米粒子的交流磁化強(qiáng)度信號(hào)，檢測(cè)出各奇次諧波幅值；計(jì)算兩次諧波幅值差值；利用朗之萬(wàn)函數(shù)的泰勒級(jí)數(shù)展開(kāi)建立奇次諧波差值與溫度的關(guān)系式，求解關(guān)系式獲得在體溫度；最后，改變直流梯度場(chǎng)至下一位置，直到完成整個(gè)一
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種固態(tài)盤(pán)及其讀寫(xiě)操作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種固態(tài)盤(pán)及其讀寫(xiě)操作方法。固態(tài)盤(pán)包括固態(tài) 盤(pán)控制器、n+1 個(gè)通道、m 個(gè) SLC 閃存芯片和 m×n 個(gè) MLC 閃存芯片， 其中，m 和 n 均為正整數(shù)；m 個(gè) SLC 閃存芯片設(shè)置在 n+1 個(gè)通道的其 中一個(gè)通道上，m×n 個(gè) MLC 閃存芯片設(shè)置在 n+1 個(gè)通道的剩余的 n 個(gè)通道上，剩余的 n 個(gè)通道中的每一個(gè)通道上均有 m 個(gè) MLC 閃存芯 片；SLC 閃存芯片的存儲(chǔ)容量較小，用于存儲(chǔ)校驗(yàn)數(shù)據(jù)，ML
華中科技大學(xué)
2021-04-14