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研發(fā)階段/n培兩優(yōu)1108是一個(gè)優(yōu)質(zhì)、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過(guò)湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過(guò)分子標(biāo)記輔助選擇育種技術(shù)轉(zhuǎn)入IRBB21的Xa21基因的華1108。區(qū)域試驗(yàn)產(chǎn)量8.23噸/公頃，與三系對(duì)照組合相當(dāng)。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長(zhǎng)寬比3.0。株高110cm，抗倒性強(qiáng)、適合機(jī)械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型 ? XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型展示傳導(dǎo)系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來(lái)的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內(nèi)容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結(jié)、結(jié)間束、房室結(jié)、房室束、右束支以及變異的副傳導(dǎo)束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應(yīng)的心臟傳導(dǎo)系統(tǒng)同時(shí)顯示，以表示二者之間的關(guān)系。 ? 二、技術(shù)參數(shù)： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 三、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型：1臺(tái) ■ 電源線：1根 ■ 說(shuō)明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

主要研究?jī)?nèi)容: 尿道狹窄發(fā)病率高，我國(guó)每年有約250萬(wàn)新發(fā)病例。狹窄危害嚴(yán)重，但治療困難。即便在美國(guó)也同樣缺乏有效地治療手段，患者平均接受3.13次手術(shù)。針對(duì)這個(gè)世界性的難題，課題組歷時(shí)15年，在國(guó)家863計(jì)劃等基金的支持下：應(yīng)用口腔頰粘膜重建尿道，成功解決了兩類困難類型尿道狹窄的治療；創(chuàng)新手術(shù)方式，建立了尿道粘膜外翻吻合技術(shù)和背腹側(cè)聯(lián)合鑲嵌技術(shù)，顯著提高治療效果；研發(fā)出兩種新型聚氨酯材料，為以后泌尿外科的臨床運(yùn)用奠定基礎(chǔ)。 創(chuàng)新點(diǎn)： 一、國(guó)內(nèi)首家開展頰粘膜尿道背側(cè)鑲嵌成形術(shù)和運(yùn)用頰粘膜修復(fù)干燥性龜頭炎所致尿道狹窄。 二、建立尿道粘膜外翻吻合術(shù)和尿道背腹側(cè)聯(lián)合鑲嵌成形術(shù)。 三、國(guó)際上率先研發(fā)出同時(shí)具備水性無(wú)毒及可降解的聚氨酯材料；國(guó)際上首次合成含雙季銨鹽的抗菌性能優(yōu)異的聚氨酯材料。 技術(shù)水平： 一、頰粘膜治療長(zhǎng)段前尿道狹窄，治療效果國(guó)際領(lǐng)先；頰粘膜修復(fù)干燥性龜頭炎致尿道狹窄，為國(guó)內(nèi)首創(chuàng)，治療效果國(guó)際領(lǐng)先。 二、粘膜外翻技術(shù)國(guó)際上未見類似報(bào)告，歐洲泌尿外科秘書長(zhǎng)Chapple高度評(píng)價(jià)該技術(shù)；國(guó)際上第二家開展尿道背腹側(cè)聯(lián)合鑲嵌成形術(shù)，但部位不同，效果國(guó)際領(lǐng)先。 三、兩種新型聚氨酯材料均為國(guó)際上率先研發(fā)，填補(bǔ)行業(yè)空白，獲2項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利。 推廣應(yīng)用情況及社會(huì)效益： 主編中華醫(yī)學(xué)會(huì)泌尿系損傷診治指南并在全國(guó)宣講，培訓(xùn)600余人次。多次舉辦各類培訓(xùn)班（中國(guó)泌尿外科青年醫(yī)師培訓(xùn)班等）和學(xué)術(shù)會(huì)議，并進(jìn)行手術(shù)演示推廣新技術(shù)，顯著提高國(guó)內(nèi)尿道狹窄治療水平。發(fā)表論文104篇（SCI15篇），獲國(guó)家發(fā)明專利2項(xiàng)。多次參加國(guó)際高水平會(huì)議交流，提高學(xué)科國(guó)際知名度。培養(yǎng)碩博士43名，為學(xué)科發(fā)展培養(yǎng)高水平人才。

本發(fā)明公開了一種快速測(cè)定鈣系包芯線中金屬鈣含量的方法。 在常溫常壓下，利用 NH4Cl 溶液為溶樣試劑、高純金屬鎂或金屬鈣為 標(biāo)準(zhǔn)，采用氣體容量法及相關(guān)裝置，測(cè)定金屬鎂或金屬鈣標(biāo)樣及待測(cè) 樣品在相同實(shí)驗(yàn)條件下產(chǎn)生氫氣的體積，根據(jù)氣體狀態(tài)方程，通過(guò)比 較法計(jì)算出鈣鐵包芯線中金屬鈣的含量。本發(fā)明方法不僅適用于不同 含鈣量的鈣鐵包芯線中金屬鈣的測(cè)定，還適用于不同含鈣量的鋁鈣包 芯線、硅鈣線等鈣系包芯線中金屬鈣的測(cè)量。本發(fā)明

本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)軸系中軸承孔系的布置方法，通過(guò)對(duì)支 撐旋轉(zhuǎn)軸系各軸承的軸承孔軸線的位置和偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行布置，使單個(gè) 軸承沿周向同一位置、軸向的不同位置所受應(yīng)力或壓強(qiáng)基本一致，從 而實(shí)現(xiàn)對(duì)旋轉(zhuǎn)軸系的支撐并消除軸系軸承自身的偏磨，其特征在于， 所述各軸承按照順應(yīng)軸承的軸承孔型心處的軸系撓度曲線安裝布置。 本發(fā)明的方法針對(duì)軸承孔有 3 個(gè)或 3 個(gè)以上、軸系的撓度曲線在軸承 孔型心處的撓度值和轉(zhuǎn)角值超過(guò)制造公差和回轉(zhuǎn)使用公差的工作狀況 的旋轉(zhuǎn)軸系，在穩(wěn)定負(fù)載的條件

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

本發(fā)明涉及磁遺傳學(xué)領(lǐng)域。具體而言，本發(fā)明涉及響應(yīng)于外部磁刺激的磁感應(yīng)受體(magnetoreceptor)，和調(diào)節(jié)神經(jīng)元活動(dòng)、擾動(dòng)生物過(guò)程和治療疾病的非侵入性方法。本發(fā)明提供了調(diào)節(jié)細(xì)胞活性的非侵入性方法，其包括將MAR基因遞送至所述細(xì)胞中的步驟并向所述細(xì)胞施加磁刺激的步驟。本發(fā)明還提供了磁遺傳學(xué)用于治療疾病的醫(yī)療用途。

本發(fā)明公開了一種曲面自適應(yīng)磁吸附裝置。其電機(jī)的外殼與支架固定連接；電機(jī)的輸出軸與第一磁輪和第二磁輪固定連接，使得電機(jī)能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)第一磁輪和第二磁輪同軸轉(zhuǎn)動(dòng)；第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與支架固定連接，第一磁輪和第二磁輪位于第一磁塊和第二磁塊之間，第三磁塊位于第一磁輪和第二磁輪之間；所述曲面自適應(yīng)磁吸附裝置在使用時(shí)，第一磁輪和第二磁輪的輪面與壁面直接接觸，而第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與壁面間存在間隙。本發(fā)明所述吸附裝置在不同曲率壁面運(yùn)動(dòng)時(shí)，第一磁輪、第二磁輪、第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與壁面之間的吸附力的變化量互補(bǔ)，總吸附力能保持在一個(gè)較小的范圍內(nèi)變化，具有良好的曲面自適應(yīng)能力。

在信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，為了滿足人們對(duì)于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、便攜式數(shù)碼設(shè)備等電子產(chǎn)品進(jìn)一步輕便、小巧等的使用需求，必須使其核心的電磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向發(fā)展。隨著電路中的射頻磁器件的體積不斷縮小，使用頻率不斷提高，傳統(tǒng)的鐵氧體材料由于其飽和磁化強(qiáng)度低，使其在GHz使用頻率下無(wú)法保持高的磁導(dǎo)率，這就迫切需要開發(fā)一種能夠應(yīng)用于GHz頻率范圍的高頻軟磁薄膜材料。目前國(guó)內(nèi)外的科研人員采用不同方法研究并制備了多種軟磁薄膜材料，如CoPdAlO（Sharp公司）、CoZrTa（Intel公司）、Co