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冶煉碳化硅的多芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法
碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術和工藝進行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發(fā)明專利授權(quán) 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術進步。
西安科技大學
2021-04-11
廢塑料可控降解和碳化技術
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、成果簡介
據(jù)統(tǒng)計，1950年到2019年，全世界塑料產(chǎn)量超過了90億噸。塑料制品的壽命一般是1年到5年，使用完后，塑料制品就變成了廢塑料。廢塑料的處理不當就產(chǎn)生了所謂的白色污染（White Pollution）。常見的廢塑料包括聚苯乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等高分子化合物制成的包裝袋、農(nóng)用地膜、一次性餐具、塑料瓶等塑料制品使用后被棄置成為固體廢物。絕大部分廢塑料在自然環(huán)境下完全降解至少需要一百年，因此廢塑料不僅導致了嚴重環(huán)境污染，還對水體生物造成嚴重影響，最終危害到人類健康。中國在2019年的廢塑料就高達6300萬噸，價值超過1000億元。傳統(tǒng)的廢塑料處理包括物理回收和化學回收。物理回收的優(yōu)點是簡單高效，缺點是回收的次數(shù)有限?；瘜W回收是將廢塑料通過溶解分解、熱裂解、催化裂解的形式轉(zhuǎn)化為有用的化工原料，比如單體、汽油、氣體等?；瘜W回收的優(yōu)點是能將廢塑料轉(zhuǎn)化為化工原料，缺點是產(chǎn)物往往是混合物，難以分離純化，附加值不是很高。將廢塑料可控降解為高附加值的產(chǎn)品，實現(xiàn)廢塑料的升級化學回收，是行業(yè)近年來需要重點解決的問題。
華中科技大學
2022-07-27
金剛砂（綠碳化硅）
產(chǎn)品應用：半導體硅片和藍寶石晶體的線切割光學濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優(yōu)勢：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經(jīng)過嚴格的粒徑控制和專業(yè)的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據(jù)客戶個性要求單獨提供高精度微粉。碳化硅線切割產(chǎn)品特點：1、高純度、大結(jié)晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優(yōu)良切割性能和穩(wěn)定的物理狀態(tài)；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩(wěn)定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時小線膨脹系數(shù)，保證切割的穩(wěn)定,并且同切割機有很好的適配性；5、表面經(jīng)過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產(chǎn)品特點：1、嚴格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標準和日本標準檢測，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定供應。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
規(guī)則食品、藥品全自動理料、裝盒、裝箱、封箱、碼垛生產(chǎn) 線
受我國過去人口紅利的影響，目前，食品、藥品等行業(yè)后道包裝線自動化程 度還很低，主要依賴人工作業(yè)。隨著人工成本的增加，后道包裝的自動化需求日 趨強烈。 本項目針對食品、藥品后道包裝需求，開發(fā)了全自動理料、裝盒、裝箱、封 箱、碼垛成套裝備。圖 1 為流水線照片。具有自主知識產(chǎn)權(quán)的分項設備包括：自 動整列、理料機，自動分選機，自動裝盒機，自動裝箱機，自動封箱機，自動碼 垛機。 2、創(chuàng)新要點 實現(xiàn)食品、藥品后道包裝的全自動化生產(chǎn)。 3、效益分析（資金需求總額 500 萬元） 目前，國內(nèi)食品、藥品后道包裝的自動化程度普遍很低，自動化需求旺盛， 全國至少有上百億的市場空間。 4、推廣情況（已推廣企業(yè)） 推廣中。
江南大學
2021-04-13
多孔碳化鈦-鈦金屬陶瓷梯度材料
北京科技大學特種陶瓷研究室開發(fā)出一種多孔結(jié)構(gòu)的碳化鈦-鈦金屬陶瓷梯度材料，其應用前景極其廣闊。 這種金屬陶瓷是燃燒合成的多孔碳化鈦-鈦梯度材料，其多孔結(jié)構(gòu)的孔隙率可達50％多?？紫堵屎涂紫洞笮?，分布還可以根據(jù)需要在一定范圍內(nèi)設計。由于在高溫燒結(jié)過程其表面可形成氧化鈦膜，使其耐高溫的性能好，因此可作為耐高溫材料。 碳化鈦是一種導電材料，在通電發(fā)熱時，即使溫度升高到1000攝氏度以上，材料特性也不會發(fā)生任何變化。因此，此多層多孔碳化鈦材料可以作為高溫發(fā)熱源，分解在焚化爐都難以分解的二氧吲哚。 由于這種多層多孔的碳化鈦-鈦材料空隙率可達50％多，其比重可比最輕的金屬鎂還要輕。因為這種多層多孔的碳化鈦-鈦是梯度材料，強度和剛度可以在一定范圍內(nèi)設計。而且碳化鈦-鈦材料與人體的相容性好，因此很適合用做人造骨骼。人的骨骼是多孔結(jié)構(gòu)的，血管和神經(jīng)通過骨骼的孔隙提供養(yǎng)分和控制骨骼的活動，因此，這種多孔的碳化鈦-鈦梯度材料是人造骨骼的極好材料。 由于這種碳化鈦新材料的表面有一層氧化鈦膜，它具有光催化的機能，同時多孔的碳化鈦用來制作過濾器具有很強的吸附能力，可以有效地吸附浮游生物，它可以用來制造更好的水凈化裝置。 泡沫碳化鈦做催化劑，用電催化方法可凈化焦碳化學工業(yè)的含酚廢水。酚對水域的污染僅次于石油產(chǎn)品和重金屬，居第三位。 本項目產(chǎn)品的基本工藝為燃燒合成工藝。不用高溫燒結(jié)爐?？芍谱鲝碗s形狀和較大尺寸的制品。
北京科技大學
2021-04-11
碳化硅紫外光電探測器
現(xiàn)今，高響應度光電倍增管(PMT)為最廣泛應用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現(xiàn)陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經(jīng)成為近年來國際上光電探測領域的研究熱點。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結(jié)構(gòu)簡單、可在室溫下工作、成本低等優(yōu)點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術的不斷發(fā)展，其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢
廈門大學
2021-01-12
一種碳化硼陶瓷涂漿及其應用
本技術可提供一種碳化硼陶瓷涂漿，及利用此涂漿在金屬基材表面形成一層具有良好的力學性能、抗輻射性能的碳化硼陶瓷涂層的制備工藝。 本技術具有如下特點：（1）克服了金屬與陶瓷間存在的不潤濕、不粘附的缺點，可以獲得很高的界面結(jié)合強度。（2）工藝簡單，成本低。（3）適用范圍廣，該工藝無毒、無污染?？梢赃m用絕大多數(shù)環(huán)境。 本技術可解決目前在金屬表面制備碳化硼涂層技術復雜、涂層厚度薄及效率低的問題，并且對解決目前輻射屏蔽材料的屏蔽性能和結(jié)構(gòu)性能之間的矛盾具有實際意義?？蓱糜诟鞣N需要加強輻射防護的環(huán)境中。
遼寧大學
2021-04-11
液態(tài)烷烴回流包碳法制備納米碳化鈦
一種液態(tài)烷烴回流包碳制備納米碳化鈦粉體的方法，以廉價的水合二氧化鈦為鈦源和液態(tài)的烷烴混 合物(C11-C16)為碳源，工藝步驟依次為備料、回流、干燥、裝料、高溫熱處理、取樣?？刂圃系幕亓?時間與回流溫度，可以制備得到不同碳含量的先驅(qū)體粉體，通過不同的熱處理工藝可調(diào)控有機碳轉(zhuǎn)變?yōu)闊o 機碳的碳量，從而制備出高純納米碳化鈦粉體。用此法制備的碳化鈦粉體分散性較好，平均粒度為20～ 40nm，平均晶粒度為10～20nm。此法工藝簡單，成本較低，較一般碳熱還原法節(jié)約能源，容易實現(xiàn)規(guī)模 化制備。
四川大學
2021-04-11
通訊波段碳化硅色心的室溫自旋操控
郭光燦院士團隊的李傳鋒、許金時、王俊峰等人與其合作者在國際上首次實現(xiàn)了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室溫相干操縱，并且實現(xiàn)了單個NV色心的可控制備和光探測磁共振譜的探測。這種色心的發(fā)光波長在通訊波段，在量子通信和量子網(wǎng)絡中具有重要用途，基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產(chǎn)業(yè)化。該成果于2
中國科學技術大學
2021-01-12
碳化硅材料外延關鍵技術研究
小試階段/n本項目研究的碳化硅外延技術有其特殊性，不同于一般的半導體外延技術， SiC 外延生長技術在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標要求以及實現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應用的特點。目前，國際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎材料，目前的國內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅
中國科學院大學
2021-01-12