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碳化硅襯底晶片
碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應(yīng)用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車應(yīng)用：電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應(yīng)用：機載雷達通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等
青島嘉星晶電科技有限公司
2021-08-30
冶煉碳化硅的多芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法
碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來，課題組對以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國家發(fā)明專利授權(quán) 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術(shù)進步。
西安科技大學
2021-04-11
金剛砂（綠碳化硅）
產(chǎn)品應(yīng)用：半導體硅片和藍寶石晶體的線切割光學濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優(yōu)勢：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經(jīng)過嚴格的粒徑控制和專業(yè)的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據(jù)客戶個性要求單獨提供高精度微粉。碳化硅線切割產(chǎn)品特點：1、高純度、大結(jié)晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優(yōu)良切割性能和穩(wěn)定的物理狀態(tài)；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩(wěn)定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時小線膨脹系數(shù)，保證切割的穩(wěn)定,并且同切割機有很好的適配性；5、表面經(jīng)過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產(chǎn)品特點：1、嚴格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標準和日本標準檢測，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
碳纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料
碳纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，比如摩擦制動材料、耐化學腐蝕葉片等。
東南大學
2025-02-08
碳化硅紫外光電探測器
現(xiàn)今，高響應(yīng)度光電倍增管(PMT)為最廣泛應(yīng)用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現(xiàn)陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經(jīng)成為近年來國際上光電探測領(lǐng)域的研究熱點。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結(jié)構(gòu)簡單、可在室溫下工作、成本低等優(yōu)點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術(shù)的不斷發(fā)展，其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢
廈門大學
2021-01-12
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通訊波段碳化硅色心的室溫自旋操控
郭光燦院士團隊的李傳鋒、許金時、王俊峰等人與其合作者在國際上首次實現(xiàn)了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室溫相干操縱，并且實現(xiàn)了單個NV色心的可控制備和光探測磁共振譜的探測。這種色心的發(fā)光波長在通訊波段，在量子通信和量子網(wǎng)絡(luò)中具有重要用途，基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產(chǎn)業(yè)化。該成果于2
中國科學技術(shù)大學
2021-01-12
碳化硅材料外延關(guān)鍵技術(shù)研究
小試階段/n本項目研究的碳化硅外延技術(shù)有其特殊性，不同于一般的半導體外延技術(shù)， SiC 外延生長技術(shù)在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標要求以及實現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應(yīng)用的特點。目前，國際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎(chǔ)材料，目前的國內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅
中國科學院大學
2021-01-12
一種碳化硅納米線的制備方法
本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時后自然 降到室溫。由本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產(chǎn)物均為碳化硅納米線，長度 比現(xiàn)有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個量級，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設(shè)備要求簡化，成本低。
同濟大學
2021-04-11
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術(shù)
項目成果/簡介:創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應(yīng)用范圍:本項目采用的方法和技術(shù)不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫(yī)療等精密部件的磨料準備，應(yīng)用潛力巨大。知識產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利知識產(chǎn)權(quán)編號:ZL201610401673.7技術(shù)先進程度:達到國內(nèi)先進水平成果獲得方式:與企業(yè)合作獲得政府支持情況:無
蘭州大學
2021-04-10
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術(shù)
創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。
蘭州大學
2021-05-11