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水生蔬菜與旱生設施蔬菜水旱輪作克服連作障礙技術
蓮藕、慈姑設施栽培可實現一年兩茬栽培，可與春早熟、秋延后設施蔬菜栽培輪作換茬，同時高減輕因長期連作造成的設施土壤鹽漬化、病蟲害重發等連作障礙問題，實現減肥、減藥條件下的優質高效生產。市場前景：設施蔬菜栽培的土壤鹽漬化、病蟲害重發等連作障礙問題普遍發生，而且逐年加重，水旱輪作是目前最為有效的減輕設施連作障礙的實用技術。
揚州大學
2021-04-14
用于熊蜂攜帶生防菌粉紅粘帚霉傳播的散布裝置
已有樣品/n該成果公開一種用于熊蜂攜帶生防菌粉紅粘帚霉傳播的散布裝置，所述散布裝置包括散布器和熊蜂放置箱；所述熊蜂放置箱內放置有熊蜂蜂箱，所述散布器箱體的安裝壁外壁底部設置有底片板，所述底片板插入熊蜂放置箱的蜂箱壁的長方形的缺口內，使散布器和熊蜂放置箱連成一個整體，并且散布器與一面開口的熊蜂蜂箱連通。該裝置可以實現使用熊蜂向草莓花上散布生防菌。通過一周左右時間的散布，可以使田間絕大部分的草莓花朵都帶有生防菌，且維持較長時間，優于人工噴施，從而減少田間灰霉病的發生。該裝置不僅能夠在不影響熊蜂授粉及熊蜂
華中農業大學
2021-01-12
芊生緣牌沙棘綠豆排鉛咀嚼片(暫定名)
該產品經具有國家保健食品評價資質的湖南疾病預防控制中心動物功能評價結果提示對動物具有促進排鉛的功能，人體試食提示具 有促進排鉛功能。
蘭州大學
2021-01-12
江蘇省靖江市生中無線電器材廠
靖江市生中無線電器材廠（原靖江市無線電器材廠，創建于１９７０年），專業生產“思中”牌教學儀器已有三十多年的歷史，是原國家教委和江蘇省的定點企業，現為中國教育儀器行業協會和江蘇省教育儀器行業協會會員單位。主要產品有電磁打點計時器，電火花計時器，初高中學生電源，教學電源系列，滑動變阻器系列，平拋運動、氣體定律、向心力、碰撞等實驗器系列及可拆變壓器、變壓器原理說明器、小型變壓器系列。２０００年新教材配備的新產品，油膜實驗器、電學元件黑箱，已通過教育部部級鑒定，傳感器應用實驗器、電火花計時器也已通過了省級鑒定，受到了廣大用戶的一致好評。 我廠擁有一支專業的技術人才隊伍，其中大專以上文化的人員占全廠職工的３０％，具有很強的研發和產品維護能力。多年來，我們始終堅持“質量第一、信譽第一、用戶第一、服務上門”的宗旨，以質優價廉的產品服務于國內外廣大客戶。 面臨著新的教育形勢和新的競爭考驗，我廠將不斷開發新產品，并始終把產品質量放在第一位，以期更好的服務于教育事業，為全民的素質教育作出更大的貢獻.
江蘇省靖江市生中無線電器材廠
2021-01-15
云南省科技廳關于2024年科技特派團、科技特派員申報工作的通知
為組織動員全省科技資源聚焦服務鄉村振興主戰場，現將云南省2024年科技特派團、科技特派員申報有關事宜通知如下。
農村科技處
2023-07-31
納米二氧化硅／硼酚醛樹脂納米復合材料的制備方法
本發明屬于無機／有機納米復合材料技術領域，具體涉及一種納米 SiO2／硼酚醛樹 脂納米復合材料及其制備方法。本發明采用了溶液共混法和超聲波輔助分散法相結合， 確保納米顆粒在復合材料中得到納米級分散；納米 SiO2表面經過處理，使納米 SiO2與基 體樹脂硼酚醛樹脂之間形成了良好的界面，可以充分發揮出納米 SiO2、硼酚醛樹脂的優 點。本發明的目的在于通過合理的工藝控制，制備出納米 SiO2含量不同的硼酚醛樹脂納 米復合材料。利用納米 SiO2的剛性、耐磨性、熱化學穩定性和硼改性酚醛樹脂的良好的 力學性能、耐熱性和耐燒蝕性等優點，制備出的納米 SiO2／硼酚醛樹脂納米復合材料可 廣泛用于高溫制動摩擦材料、耐燒蝕材料、特種結構材料、防熱材料等眾多領域。
同濟大學
2021-04-11
重慶市人民政府辦公廳 關于印發《促進2025年高校畢業生等青年 留渝來渝就業創業工作方案》的通知
《促進2025年高校畢業生等青年留渝來渝就業創業工作方案》
重慶市人民政府
2025-03-05
中共中央辦公廳 國務院辦公廳關于加快構建普通高等學校畢業生高質量就業服務體系的意見
加快構建高校畢業生高質量就業服務體系，暢通教育、科技、人才良性循環。
新華社
2025-04-08
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11