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1991 年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及 2004 年發(fā)現(xiàn)的石墨烯 （graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認(rèn)為是 21 世紀(jì)的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備 SWNTs 的方法，實現(xiàn) 了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖 1），純度達(dá) 70%以上，并達(dá) 到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達(dá) 200 公斤/年以上）。采用機械共混及"原位"聚合 等方法，使 SWNTs 有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、 ABS 及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達(dá) 0.2 S/cm、導(dǎo)電臨界含量僅為 0.06%、電磁屏蔽效果高達(dá) 49dB 的復(fù)合材料。 本項目首先發(fā)展了一種可大量制備的可溶性功能化石墨烯 （SPFGraphene）的方法，實現(xiàn)了石墨烯的百克級制備（圖 2）。通過 透射電子顯微鏡（圖 3）及原子力顯微鏡（圖 4）確定了石墨烯的二 維平面結(jié)構(gòu)。

2020年我國熱釋電紅外傳感器行業(yè)市場規(guī)模近 10 億元，年均復(fù)合增長率超 20％，作為核心元件材料的熱釋電陶瓷材料相關(guān)技術(shù)獲得了業(yè)內(nèi)的普遍關(guān)注。熱釋電紅外傳感器可用于遙感、制導(dǎo)、 夜視、主動雷達(dá)、熱成像、氣體分析、輻射計、測溫等軍事和工業(yè)領(lǐng)域，隨著近年來消費電子的功能多樣化，其在消費電子電器產(chǎn)品中的應(yīng)用正迅猛增長。本團隊在高性能熱釋電陶瓷材料領(lǐng)域進(jìn)行了多年研究，研發(fā)了多種不同體系的高熱釋電系數(shù)陶瓷材料，具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。在寬溫區(qū)范圍內(nèi)（-55 ℃-150 ℃）進(jìn)行多樣品熱釋電系數(shù)（衡量熱釋電陶瓷材料性能的重要參數(shù)）的精準(zhǔn)測量是熱釋電材料研 究領(lǐng)域的難點之一，本團隊搭建的熱釋電系數(shù)一體化精密測量裝置，可以在-55 ℃-150 ℃寬溫區(qū)范圍內(nèi)一次同時測量 8 個樣品的熱釋電系數(shù)，樣品最小測試面積低至0.5mm2，可最大程度保證測 量數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)性、可靠性和重復(fù)性。 2020年我國熱釋電紅外傳感器行業(yè)市場規(guī)模近 10 億元，年均復(fù)合增長率超 20％，作為核心元件材料的熱釋電陶瓷材料相關(guān)技術(shù)獲得了業(yè)內(nèi)的普遍關(guān)注。熱釋電紅外傳感器可用于遙感、制導(dǎo)、 夜視、主動雷達(dá)、熱成像、氣體分析、輻射計、測溫等軍事和工業(yè)領(lǐng)域，隨著近年來消費電子的功能多樣化，其在消費電子電器產(chǎn)品中的應(yīng)用正迅猛增長。本團隊在高性能熱釋電陶瓷材料領(lǐng)域進(jìn)行了多年研究，研發(fā)了多種不同體系的高熱釋電系數(shù)陶瓷材料，具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。在寬溫區(qū)范圍內(nèi)（-55 ℃-150 ℃）進(jìn)行多樣品熱釋電系數(shù)（衡量熱釋電陶瓷材料性能的重要參數(shù)）的精準(zhǔn)測量是熱釋電材料研 究領(lǐng)域的難點之一，本團隊搭建的熱釋電系數(shù)一體化精密測量裝置，可以在-55 ℃-150 ℃寬溫區(qū)范圍內(nèi)一次同時測量 8 個樣品的熱釋電系數(shù)，樣品最小測試面積低至0.5mm2，可最大程度保證測 量數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)性、可靠性和重復(fù)性。 

近日，我校材料學(xué)院劉潤輝教授課題組在促血管內(nèi)皮化生物材料研究中取得了突破成果，通過聚合物策略實現(xiàn)了選擇性促進(jìn)內(nèi)皮細(xì)胞生長和促快速內(nèi)皮化功能。

基于聚焦離子束－掃描電子顯微鏡雙束(FIB-SEM)的切割－掃描操作, 能夠使材料的微納結(jié)構(gòu)在三維空間的精確重構(gòu)得以實現(xiàn)。經(jīng)過多年經(jīng)驗的積累，已開發(fā)出一套針對擁有復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)的金屬陶瓷復(fù)合材料進(jìn)行三維重構(gòu)的技術(shù)解決方案。該技術(shù)在固體氧化物燃料電池領(lǐng)域，為固體多孔電極材料的微納尺度精確定量分析提供了有力的技術(shù)支持。作為本領(lǐng)域的知名專家,美國西北工業(yè)大學(xué)的 Scott A. Barnett 教授曾在國際 SOFC 領(lǐng)域規(guī)模最大的年會 International Symposium on SOFC 中重

1991年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及2004年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認(rèn)為是21世紀(jì)的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備SWNTs的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖1），純度達(dá)70%以上，并達(dá)到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達(dá)200公斤/年以上）。 采用機械共混及"原位"聚合等方法，使SWNTs有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達(dá)0.2 S/cm、導(dǎo)

具有開殼結(jié)構(gòu)的自由基有著獨特的光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)，在有機電子學(xué)、自旋磁電子學(xué)、非線性光學(xué)和儲能器件等眾多領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。課題組通過理論計算和順磁共振結(jié)果證明BTICN和QTICN具有雙自由基特性，其中具有更大分子骨架的QTICN的雙自由基特征指數(shù)達(dá)到0.67。

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強的的面內(nèi)臨界磁場（遠(yuǎn)超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護層，進(jìn)而對非原位的電輸運物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達(dá)2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結(jié)果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導(dǎo)機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實驗數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。

目前市場上缺乏能夠成套交付新要求的毫米波天線、集成度高的濾波器等無源器件、以及其相應(yīng)的檢測設(shè)備的綜合性企業(yè)，特別是具有從設(shè)計，加工，調(diào)試到性能檢測認(rèn)證的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。基于我們朗普達(dá)創(chuàng)始團隊的核心技術(shù)，我們不但能夠提供業(yè)界最領(lǐng)先的毫米波天線模組，高性能的濾波器和其他無源器件產(chǎn)品，還可以交付針對這些器件的測試檢測設(shè)備。這兩方面的產(chǎn)品能力互相補充，互相促進(jìn)，互相拓展，使得朗普達(dá)的產(chǎn)品具有客戶群體廣泛，客戶類型多樣，能夠快速適應(yīng)市場變化等特點。 我們的毫米波的人工電磁材料技術(shù)可以讓5G基站天線具有比4G基站天線更小面積和更多的天線數(shù)及接口，極大地提高系統(tǒng)容量和頻譜效率；天線陣列寬角掃描技術(shù)，可以在不增加天線數(shù)目的基礎(chǔ)上將手機的覆蓋能力提高70%以上；是滿足新一代無線通信產(chǎn)業(yè)對多天線系統(tǒng)小體積、高容量、廣覆蓋的需求的重要保障，顯得尤為迫切和重要。我們基于矢量擬合法的濾波器特性提取和診斷算法，能夠更精準(zhǔn)的設(shè)計高良率的無源器件；同時結(jié)合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和人工智能算法，可以適用于我司的濾波器自動檢測設(shè)備和產(chǎn)線，實現(xiàn)濾波器的無人調(diào)試和高效檢驗交付。