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本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)軸系中軸承孔系的布置方法，通過對支 撐旋轉(zhuǎn)軸系各軸承的軸承孔軸線的位置和偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行布置，使單個 軸承沿周向同一位置、軸向的不同位置所受應(yīng)力或壓強基本一致，從 而實現(xiàn)對旋轉(zhuǎn)軸系的支撐并消除軸系軸承自身的偏磨，其特征在于， 所述各軸承按照順應(yīng)軸承的軸承孔型心處的軸系撓度曲線安裝布置。 本發(fā)明的方法針對軸承孔有 3 個或 3 個以上、軸系的撓度曲線在軸承 孔型心處的撓度值和轉(zhuǎn)角值超過制造公差和回轉(zhuǎn)使用公差的工作狀況 的旋轉(zhuǎn)軸系，在穩(wěn)定負(fù)載的條件

研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種利用親水改性無機填料作致孔劑制備多孔膜的方法，該方法是在成膜過程中使用水或水溶液將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從聚合物膜中析出得到多孔膜的方法，該親水改性的無機填料是使用能溶于水且能與無機填料形成配位鍵或氫鍵的聚合物或小分子化合物改性制備的，其特征在于，該方法包括如下工序：無機填料的親水改性工序，該親水改性工序可以在配制膜液前完成或在膜液配制過程中完成；使用水或水溶液作為凝膠浴在浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化的成膜過程中將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從膜中析出的工序。這種方法制膜時不僅可以

（專利號：ZL 201410300565.1） 簡介：本發(fā)明公開了一種酸化介孔的WO3/SiO2多組份膠體球，屬于化學(xué)催化劑領(lǐng)域。該膠體球活性組分是SO42-/WO3/SiO2，其結(jié)構(gòu)似膠體球，具有介孔結(jié)構(gòu)，分散性好，粒徑100～900nm，孔徑大小3～5nm。用本發(fā)明制備的酸化介孔WO3/SiO2多組份膠體球作為催化劑，在催化不同的長鏈脂肪酸和醇的酯化反應(yīng)時，表現(xiàn)出了優(yōu)異的催化性能以及良好的穩(wěn)定性。當(dāng)長鏈脂肪酸為油酸、醇為甲醇的酯化反應(yīng)

成果簡介：本發(fā)明涉及一種季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料。通 過可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移自由基或大分子引發(fā)劑自由基聚合的方法，制備聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羥乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷進(jìn)行季銨化反應(yīng)，制得季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。該方法的優(yōu)點是 反應(yīng)操作簡便，反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)過程具有較好的可控性。制備的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。這種多嵌段共聚物可以廣泛應(yīng)用于抗菌涂層材 料。 成果水平： 國內(nèi)領(lǐng)先 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于織物、室內(nèi)裝飾、建筑物的內(nèi)、外墻、頂棚或地面、以及 家具表面。 市場分析及前景：微生物廣泛存在于自然界，通常細(xì)菌適宜繁殖生長的自然條件 為溫度 23℃～38℃，相對濕度為 85%～100%，因此在溫濕地區(qū)的建筑物內(nèi)外墻 面，以及家具表面等適合細(xì)菌生長的表面，它們繁衍迅速．并由此生出各種酶、 酸和毒素的代謝產(chǎn)物，從而影響物品的外觀與質(zhì)量，污染環(huán)境，危害動植物的生 長和人類的健康，我國南方地區(qū)多雨潮濕，很容易滋生細(xì)菌，抗菌涂料具有筑裝 飾和防霉作用的雙重效果，具有廣闊的應(yīng)用前景。目前抗菌涂料的研發(fā)處于初始 階段，具有良好的發(fā)展前景。 主要技術(shù)指標(biāo)：抗菌性能： 測試方法：瓊脂平板法。 測試結(jié)果：在 37℃下，對大腸桿菌、枯草桿菌等進(jìn)行 24 小時培養(yǎng)，具有顯著的 抗菌效果。 合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓，100 萬元。

伴隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一，熔體流動性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項目團(tuán)隊前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 本項目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護(hù)環(huán)境。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實時監(jiān)測、自動優(yōu)化控制的自動監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級機用自動控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級輪主機負(fù)載實時自動調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動調(diào)整變頻器運行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動向企業(yè)綜合信息平臺實時發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r檢測與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開發(fā)可對提純缸、脫水機、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實時監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級設(shè)備用自動控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動切換裝置，實現(xiàn)出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級。成果已在工廠正常運行3年。獲得4項發(fā)明專利授權(quán)，5項軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置                   專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測方法                      專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動態(tài)控制方法  專利號：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測系統(tǒng)及方法           專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機可遙控的總線型區(qū)域供熱計量管理系統(tǒng) 專利號：ZL201010134495.9

擁有人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點實驗室、半導(dǎo)體節(jié)能器件及材料國家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點實驗室等科研平臺，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學(xué)器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強的影響力。近年來，在硅基太陽能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開展了全方位的研究，承擔(dān)完成了國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃課題和國家自然科學(xué)基金重點項目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進(jìn)一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包

實現(xiàn)多晶硅生產(chǎn)冷氫化工藝過程工程化的關(guān)鍵加熱系統(tǒng)裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時以上無故障穩(wěn)定運行加熱合成反應(yīng)器關(guān)鍵技術(shù)。

本發(fā)明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧

本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點。本發(fā)明有效利用硅 量子點-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點-SiC