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中國科學技術大學在過渡金屬氧化物薄膜室溫反常霍爾效應研究中取得重要進展
中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學物理學院的司良教授合作，在鈣鈦礦結構過渡金屬氧化物薄膜的磁輸運性質研究中取得重要進展。
中國科學技術大學
2022-10-17
一種 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽能電池的一次性制備方法
本發明公開了一種 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強化學氣 相沉積法沉積異質結，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽 能電池，本方法中通過設置混合原料的比例，并設定反應源加熱溫度 數值 T 與反應沉積時間數值 t 的關系，就能在一次實驗過程中先后沉 積出質量比較優異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽能電 池的核心部件 p-n 結，大大
華中科技大學
2021-04-14
實現了一例性能優越的高溫多軸鐵電體進而獲得了可實用的鐵電薄膜
利用新的鐵電相變機理實現了一例性能優越的高溫多軸鐵電體進而獲得了可實用的鐵電薄膜，而且展示了如何利用較弱的配位鍵在分子晶體中實現傳統無機材料難以實現的涉及“配位鍵斷裂與重組”的結構相變，為開發新型分子材料打開了新的大門?通過巧妙的分子設計與晶體工程成功合成了一例分子鈣鈦礦型鐵電體[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6]，它可以表現出傳統無機鈣鈦礦化合物難以實現的涉及配位鍵斷裂與重組的鐵電相變。這種劇烈的結構相變使該化合物具有十二重鐵電極軸（多于鈦酸鋇），居里溫度為402K（高于鈦酸鋇）。他們進一步發現該化合物可通過簡單溶液旋涂方法制備成具有良好性能的鐵電薄膜，其極化反轉的頻率高達5kHz，微觀鐵電疇可在偏置電壓下進行可逆極化反轉，有望代替無機鐵電體用于制作下一代柔性鐵電元器件。
中山大學
2021-04-13
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
砷化鎵基超快激光器與高效率輕質砷化鎵薄膜三結太陽電池
激光雷達等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務院國家制造強國建設戰略咨詢委員會列出的核心基礎元器件，本項目在國務院國資委以及國家級人才計劃科研項目支持下，聯合國內知名企業進行關鍵技術攻關，研制出基于砷化鎵的超快半導體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫療等領域，同時研制出的高效率砷化鎵薄膜三結電池曾獲得世界最高效率，相關產品已處于中試和量產階段，本項目相關技術和產品曾獲得過2018年度上海市科技進步二等獎，2020年中國發明協會發明創新二等獎，2020年中國光學學會光學科技獎一等獎等獎勵。本次將展示本項目研制的相關砷化鎵基半導體激光器以及高效率柔性輕質砷化鎵薄膜三結太陽能電池。
復旦大學
2021-09-18
pt100鉑熱電阻薄膜型低溫溫度傳感器測溫傳感器 14K ~ 873K
北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
安徽大學在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩定性研究中取得新進展
近日，我校材料科學與工程學院2019級材料物理專業本科生嚴錦同學在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩定性研究中取得新進展，作為第一作者在微電子器件頂級期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上發表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”為題的論文。
安徽大學
2022-09-21
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05