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以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續(xù)的高質(zhì)量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質(zhì)量單晶結(jié)構(gòu)。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結(jié)構(gòu)，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點(diǎn)，分別對應(yīng)于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結(jié)果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。

將石墨烯進(jìn)行二維或三維組裝，制備透明可導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材料技術(shù)。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護(hù)氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對當(dāng)前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價值。

本發(fā)明公開了一種同時制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀夂笊L非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發(fā)明制備方法對環(huán)境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結(jié)構(gòu)和自支撐結(jié)構(gòu)，可以很方便轉(zhuǎn)移至任何襯底。

本項目主要涉及到一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜。本技術(shù)產(chǎn)品可應(yīng)用于智能電發(fā)熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機(jī)散熱材料，復(fù)合結(jié)構(gòu)材料等。本技術(shù)產(chǎn)品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導(dǎo)電導(dǎo)熱的性能，并且具有量產(chǎn)性強(qiáng)，成本低廉的優(yōu)勢。在數(shù)十 個行業(yè)領(lǐng)域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內(nèi)可迅速成果轉(zhuǎn)化的智能電加熱及散熱 方面的技術(shù)應(yīng)用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產(chǎn)品的質(zhì)量邁上一個新臺階。 本技術(shù)成果已經(jīng)工業(yè)化應(yīng)用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹精油等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及石化、化工、食品、醫(yī)藥、日化、香料等行業(yè)。產(chǎn)品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達(dá)到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯(lián)用技術(shù)在熱敏性物料的精細(xì)分離提純中具有十分廣闊的市場。對投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業(yè)，研究所及設(shè)備生產(chǎn)廠家。

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體納米復(fù)合材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種利用二元前驅(qū)體合成石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法。該發(fā)明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅(qū)體，然后經(jīng)過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復(fù)合薄膜具有伸展更充分，F(xiàn)e3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優(yōu)點(diǎn)。借助本發(fā)明提供的方法，制備出的石墨烯納米復(fù)合薄膜可作為鋰離子電池的負(fù)極材料，顯示了較高的電容量和循環(huán)穩(wěn)定性。通過本發(fā)明提供的無機(jī)半導(dǎo)體和石墨烯復(fù)合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復(fù)合材料，制備出的復(fù)合材料在鋰離子電池，無機(jī)太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實際的應(yīng)用前景。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

2020年2月7日，在東南大學(xué)孫立濤教授的建議下，其研發(fā)的“石墨烯基KN95口罩”聯(lián)合合作單位近日將40萬只以最快的速度直接發(fā)往武漢。這款石墨烯基KN95口罩由孫立濤教授研發(fā)。2016年，經(jīng)第三方測試，這種口罩對PM2.5的去除率高達(dá)97.1%。 這款口罩將石墨烯復(fù)合物溶液噴涂于過濾網(wǎng)上，能夠有效去除（干、濕）空氣中的粉塵及PM2.5。目前市場上多數(shù)口罩是通過靜電吸附微小顆粒物，但呼吸的水汽會讓靜電消失，配戴一個小時吸附效果就會顯著下降而致吸附失效。石墨烯基口罩借助石墨烯超大的比表面積優(yōu)勢可實現(xiàn)對微小顆粒物的直接吸附，不存在遇水汽失效問題，可以長時間保持高效吸附率，其防護(hù)效果級別達(dá)到了2016年新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高級別：A級。