葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

本發明公開了一種氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒及其制備方法與應用。氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒包括玻璃毛細管、鐵芯和萃取涂層，鐵芯置于兩端熔封的玻璃毛細管內，萃取涂層涂為化學鍵合在玻璃毛細管表面的氧化石墨烯摻雜的普萘洛爾分子印跡聚合物涂層。通過將用氫氧化鈉溶液活化的玻璃攪拌棒浸入有氧化石墨烯摻雜的分子印跡預聚液的模具中，反應完成后取出得到氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒。本發明的氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層

本發明公開了一種 GO-TiO2 復合材料及其制備方法和在分離/富集重金屬離子中的應用。本發明在GO 上原位合成了納米 TiO2，對二者的比例進行了優化使氧化石墨烯和 TiO2 質量比為 1∶1~9，制備了兼有 GO 和 TiO2 優良性能的 GO-TiO2 復合材料，并成功用于分離/富集環境水樣和底泥中的重金屬和稀土元素。本發明

本發明公開了一種功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質及其制備方法和應用。功能化氧化石墨烯是指氧化還原活性物質通過氫鍵分子間作用力、醚鍵、酯鍵或酰胺鍵化學鍵作用力、Π?Π堆積分子間作用力與氧化石墨烯連接而成。具有單層或多層結構的功能化氧化石墨烯排列在多羥基高分子聚合物基體內，形成三維多級層間結構的功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質。所述的多級層間結構

本發明公開了一種三維氮摻雜石墨烯復合材料及其制備方法和在電化學生物傳感中的應用。本發明 借助三維氮摻雜石墨烯高比表面積、良好的生物相容性、高導電率的特性，構造三維氮摻雜石墨烯復合 材料，首先以泡沫材料為基底，在含惰性氣體、氫氣及碳源與氮源條件下，利用化學氣相沉積方法（CVD 法），得到含基底的三維氮摻雜石墨烯；然后對三維氮摻雜石墨烯進行刻蝕、清洗處理得到三維氮摻雜 石墨烯復合材料。將三維氮摻雜石墨烯與酶/非酶材料進行復合，得到相應的三維氮摻雜石

本發明公開了一種納米鈀-石墨烯三維多孔復合電催化劑的制備 方法，包括：將泡沫鎳依次采用冰醋酸、丙酮、乙醇和去離子水進行 清洗；制備質量濃度為 0.5mg/mL～10mg/mL 的氧化石墨烯水溶液，然 后將泡沫鎳直接浸泡到其中靜置反應，形成三維多孔結構的泡沫鎳-石 墨烯產物；將泡沫鎳-石墨烯產物直接浸泡在摩爾濃度為 0.05mmol/L～ 1mmol/L 的氯鈀酸鉀水溶液中，反應結束后取出即可生成具備三維多 孔結構并且

本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

（專利號：ZL 201410081975.1） 簡介：本發明公開一種超級電容器用中空球形多孔石墨烯的一步法制備方法，屬于炭材料制備技術領域。該方法以可塑性的煤瀝青為碳源，納米氧化鎂為導向模板，氫氧化鉀為活化劑，三者干法研磨混合后的混合物轉移至剛玉舟中，置于管式爐內在常壓或負壓的條件下進行加熱，一步法制得超級電容器用中空球形多孔石墨烯材料。本發明直接以富含芳環、廉價的煤瀝青為原料，大大簡化了制備工藝，增加了操作安全性。本發明具有工藝簡單、成

本發明公開了一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠采用化學還原法還原或高溫熱還原法還原，得到石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠。本發明的工藝簡單，過程綠色環保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優點。

本發明公開了一種超高比表面積硫氮共摻雜多孔石墨烯的制備 方法及產品，該方法包括：選用含角蛋白的生物質材料為原材料，以 其同時作為固體碳、氮、硫原料，首先初步碳化，再通過堿性溶液減 壓吸附，再經過高溫活化處理，然后酸洗真空干燥得到石墨烯。利用 角蛋白特殊鏈狀及環狀結構，將生物質角蛋白直接轉化為超高比表面 積的硫氮共摻雜多孔石墨烯。石墨烯的氮含量可高達 5.0at.％以上，硫 含量達 1.0at.％以上，比表面積高達 1

石墨烯是材料科學領域的一顆迅速崛起的明星，開啟了二維材料的大門。作為納米光電子器件廣泛使用的理想電極材料，石墨烯除了具有優異的彈性和剛度外，還具有最高的載流子遷移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作為一種典型的半金屬材料，它的零帶隙極大地限制了其在半導體工業的應用。自石墨烯被發現以來，它的零帶隙一直是世界范圍內最具挑戰性的難題之一。  多年來，人們一直致力于解決這一關鍵問題，最主要的打開石墨烯帶隙方法可以概括為下面兩種。第一種是通過摻雜、吸附、襯底相互作用、外加電場、應變、建立二維異質結等方法直接打開石墨烯的帶隙。不幸的是，在打開石墨烯帶隙的同時，保持其具有超高載流子遷移率的線性電子色散的多種嘗試，至今仍未成功。第二種方法是開辟新的路徑，尋找新的具有超高載流子遷移率（線性色散）的二維材料，如二硫化鉬、硅烯、鍺烯和磷烯等，它們構成了新的二維材料家族。遺憾的是，迄今還沒有發現任何具有類似石墨烯線性電子色散和超高載流子遷移率的二維半導體。 北京大學物理學院史俊杰教授及其研究團隊注意到：鈣鈦礦材料具有多樣的組成和結構，如ABX3(具有三個不同原子位置的三維結構)、A'2[An-1BnX3n+1] (二維Ruddlesden-Popper型結構)、A'[An-1BnX3n+1] (二維Dion-Jacobson型結構)、A'2An-1BnX3n+3(二維111型結構)和AnBnX3n+2(二維110型結構)等，為材料設計提供了一個理想和龐大的平臺。此外，鈣鈦礦結構中陽（陰）離子價態的劈裂和置換，陽（陰）離子的混合等，為組分工程提供了更多的可能性，從而極大地調節了所設計的鈣鈦礦材料的電子結構（帶隙和電子色散）及物理、化學性質，為尋找具有新奇性質的材料開辟了一條新的道路。圖注：左圖為二維Ca3Sn2S7鈣鈦礦結構示意圖，中圖為它的三維線性色散能帶圖（帶隙0.5 eV），右圖為它的光吸收系數，并與光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系數作對比。 最近，他們在硫化物鈣鈦礦的研究中，意外發現了一種新奇的穩定且環境友好的二維鈣鈦礦半導體Ca3Sn2S7材料，它具有類似石墨烯的線性Dirac錐電子色散，直接的本征準粒子帶隙0.5 eV，超小載流子有效質量0.04m0，室溫下載流子遷移率高達6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系數高達105 cm-1（超越鈣鈦礦光伏明星材料MAPbI3）, 從一個全新的角度實現了打開石墨烯帶隙的夢想。該研究將會為二維鈣鈦礦材料的設計和研發提供新的思路，并進一步促進半導體產業的發展。