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多層板的單板干燥，組坯，自動進出熱壓機

本發(fā)明公開了一種激光觸發(fā)真空開關(guān)及其觸發(fā)系統(tǒng)裝置。激光 觸發(fā)真空開關(guān)包括密閉殼體、第一電極主件、第二電極主件。第一電 極主件包括燃弧電極、第一電極法蘭、第一電極平臺、聚焦鏡。第二 電極主件包括燃弧電極、第二電極法蘭、第二電極平臺、靶電極。觸 發(fā)系統(tǒng)裝置主要包括計算機、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電路板、激光器和激光觸 發(fā)真空開關(guān)。激光觸發(fā)真空開關(guān)的工作電壓高達 30kV，工作電流高達 500kA，不存在以往電脈沖觸發(fā)高壓隔離困難、觸發(fā)穩(wěn)定性差、使用壽 命短等問題，能有效降低激光觸發(fā)能量，改善開關(guān)器件的延時與抖動。觸

本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發(fā)射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評論快報》、《先進材料》等國際頂級期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問題，在國際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。

本發(fā)明公開了一種觸發(fā)型多棒極真空觸發(fā)開關(guān)，包括密閉殼體； 密閉殼體由絕緣外殼及設(shè)置在絕緣外殼兩端的陰極法蘭和陽極法蘭構(gòu) 成；密閉殼體的兩端分別設(shè)有陰極和陽極，陰極和陽極結(jié)構(gòu)相同，均 包括電極底柱、電極平臺和設(shè)置于電極平臺上的多個棒狀電極，陰極 的棒狀電極與陽極的棒狀電極相向延伸且相互交錯排列，相鄰棒狀電 極的間隙寬度相等，且該間隙寬度與棒狀電極頂端到相對的電極平臺 的間隙寬度相等；陰極和陽極中分別設(shè)有陰極觸發(fā)結(jié)構(gòu)和陽極觸發(fā)結(jié) 構(gòu)。該開關(guān)可以保證無論主間隙的電壓為何種極性，都能夠穩(wěn)定觸發(fā)， 能滿足電力

一種微機電系統(tǒng)的圓片級真空封裝方法，屬于微機電系統(tǒng)的封裝方法，解決現(xiàn)有封裝方法存在的問題，使得微型真空腔長時間保持真空，滿足十年以上使用壽命的要求。本發(fā)明包括：刻蝕步驟：在蓋板圓片上對應(yīng)硅基片 MEMS 器件的位置刻蝕相應(yīng)空間尺寸的凹坑，再環(huán)繞凹坑刻蝕環(huán)形凹槽；吸氣劑淀積步驟：在所述凹坑和凹槽內(nèi)淀積吸氣劑薄膜；鍵合步驟：在真空環(huán)境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。本發(fā)明解決了現(xiàn)有封裝方法存在的真空保持時間短、密封質(zhì)量低、可靠性差、成本高的問題，可以長時間保持微型腔體內(nèi)的真空度，極大的推動圓片級 MEMS

本項目采用真空熔鑄方法，解決了 Cu-Cr 合金鑄造產(chǎn)生的成分偏析及組織不 均勻問題，得到的顯微組織細化、成分均勻化，尤其是合金中 Cr 粒子的細化問 題，大幅度提高耐電壓強度，同時又能保持銅的高導(dǎo)電性，觸頭的小型化才有實 現(xiàn)的可能。本方法還能回收利用生產(chǎn)廢料，因此生產(chǎn)工藝更為環(huán)保。而且生產(chǎn)成 本大大降低，性能還有所提高。本項目制備的觸頭材料,性能與國內(nèi)外同類產(chǎn)品 相比,在導(dǎo)電性,均勻性,組織細化等多方面全面領(lǐng)先。

實驗原理   金屬中存在大量的自由電子，但電子在金屬內(nèi)部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而電子逸出金屬時需要給電子提供一定的能量，這份能量稱為電子逸出功。研究電子逸出是一項很有意義的工作，很多電子器件都與電子發(fā)射有關(guān)，因此研究這種材料的物理性質(zhì)，對提高材料的性能是十分重要的。另外本實驗還可以利用磁控法測量電子荷質(zhì)比，研究真空中電子能量遵從費米-狄拉克分布。   儀器概述 本實驗裝置的核心部件是一只理想（真空）二極管和套在理想二極管外的通電螺線管線圈。本實驗通過測量金屬鎢的電子逸出功，將鎢絲作為“理想”二極管陰極材料，陽極做成與陰極共軸的圓柱，把陰極發(fā)射面限制在溫度均勻的一定長度內(nèi)而又可以近似的把電極看成是無限長的無邊緣效應(yīng)的理想狀態(tài)。金屬電子逸出功(功函數(shù))的測定實驗，綜合性地應(yīng)用了里查遜直線測定法、外延測量法、補償測量法和磁控法等基本方法。在數(shù)據(jù)處理方面有比較好的技巧性訓(xùn)練。因此，這是一個比較有意義的實驗。   儀器特點 獨立的理想真空二極管座：理想真空二極管插在獨立的管座之上，并且配有透明的亞克力保護罩，既可以直觀的觀察真空二極管的工作狀態(tài)，還可以有效地保護玻璃器件。獨立的管座上刻有清晰的實驗原理圖，可以使得學(xué)生更好的理解整個實驗原理。   精確的陽極電流測量模塊：陽極電流測量模塊采用微安級電流放大器，采用四位半數(shù)顯表，測量范圍可達0.1uA~20mA，可以準(zhǔn)確、精細、穩(wěn)定地測量到微弱的陽極電流。 穩(wěn)定的陽極電壓輸出模塊：陽極電壓輸出采用線性電源，輸出幅度達到0~160.0V，可以穩(wěn)定、高效地提供真空二極管的陽極電壓。 便捷的數(shù)據(jù)采集接口：每個實驗電源都配置模擬數(shù)據(jù)采集接口，可以連接電壓傳感器和PASCO數(shù)據(jù)采集軟件，可以實時地采集大量的數(shù)據(jù)來分析測試結(jié)果，方便、快捷、高效地完成實驗內(nèi)容。   實驗內(nèi)容及典型數(shù)據(jù) 實驗一：金屬電子逸出功的測定 表1：在不同陽極電壓和燈絲溫度下的陽極電流及其對數(shù)值，作　lgIa～√Ua 圖，得到不同溫度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同溫度T時所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根據(jù)表2作 lg( I / T2) ～1/T 圖，求直線斜率 m 直線斜率：m = -22802 逸出電勢: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函數(shù)）eφ = 4.53 eV 與逸出功（功函數(shù)）公認值　eφ=4.54eV　相比的相對誤差：Er = 0.33%   實驗二：電子在徑向電場和軸向磁場中的運動（磁控法測量電子荷質(zhì)比）   實驗三：費米-狄拉克分布的研究     實驗四：理想真空二極管的伏安特性   部件清單 金屬電子逸出功實驗儀   BEM-5715    可調(diào)直流 (恒壓恒流) 電源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二極管盒   BEM-5716    螺線管線圈   BC-105236    連接導(dǎo)線，2mm護套香蕉插頭，紅   BC-105238   【2】 連接導(dǎo)線，2mm護套香蕉插頭，黑   BC-105239   【2】 連接導(dǎo)線，4mm香蕉插頭，紅   BC-105084    連接導(dǎo)線，4mm香蕉插頭，黑   BC-105083    連接導(dǎo)線,4mm護套香蕉插頭1m, 紅   BC-105074    連接導(dǎo)線,4mm護套香蕉插頭1m, 黑   BC-105073    電源線   BC-105075    用戶手冊   CD-M-BEX-8510B  

該項目是北京科技大學(xué)與舞陽鋼鐵有限責(zé)任公司合作完成的自選項目。是我國第一條自主設(shè)計和開發(fā)的寬厚板大型熱處理線（常化+控冷），填補了國內(nèi)空白。 為了提高中厚鋼板連續(xù)熱處理線的裝備水平及制造能力，實現(xiàn)我國民用及軍用高品質(zhì)、高強度、高韌性鋼板能夠自主生產(chǎn)的戰(zhàn)略目標(biāo)，國家決定對原三板廠進行改造。該項目的研究開發(fā)和成功應(yīng)用不僅適時結(jié)合國家改造的大需求，而且填補了國內(nèi)空白，采用低碳微合金化國際先進技術(shù)，提高了產(chǎn)品性能的合格率、擴大了熱處理鋼板的厚度規(guī)格，解決了高強度結(jié)構(gòu)鋼強度偏低的問題，降低了碳當(dāng)量，大大改善了鋼材的焊接性能。主要技術(shù)亮點在于：   （1）通過技術(shù)集成，完成了寬厚板的常化+控冷生產(chǎn)線建設(shè)，其中常化+控冷技術(shù)屬國際首創(chuàng)。（2）自主開發(fā)的輥底式熱處理爐自動化控制系統(tǒng)（L0級,L1級,L2級）屬國內(nèi)首創(chuàng)。控制技術(shù)達到寬厚板熱處理爐的國際先進水平，特別是L2級數(shù)學(xué)模型的應(yīng)用完全打破了國外壟斷的地位，達到國際領(lǐng)先水平。（3）在設(shè)計上對國內(nèi)外輥底式熱處理爐先進技術(shù)進行了集成優(yōu)化，使?fàn)t溫控制精度在±10℃以內(nèi)，產(chǎn)品合格率達到96%以上。（4）該生產(chǎn)線運行穩(wěn)定，安全可靠。該項目具有顯著的經(jīng)濟效益與社會效益，已成功開發(fā)了多個高強度、高韌性產(chǎn)品，其中Q460E/Z35特厚鋼板已應(yīng)用于奧運場館"鳥巢"工程中。

實現(xiàn)多晶硅生產(chǎn)冷氫化工藝過程工程化的關(guān)鍵加熱系統(tǒng)裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時以上無故障穩(wěn)定運行加熱合成反應(yīng)器關(guān)鍵技術(shù)。

本發(fā)明公開了一種基于內(nèi)摩擦角的乳化瀝青冷再生混合料制備方法，根據(jù)推薦級配范圍調(diào)整再生材料級配；通過對再生混合料的土工擊實試驗確定最佳含水率與最大干密度；在最佳含水率下成型并養(yǎng)生試件，利用三軸壓縮試驗得出的內(nèi)摩擦角確定最佳乳化瀝青用量；在此最佳乳化瀝青用量下通過干濕劈裂試驗確定劈裂強度是否滿足設(shè)計要求；根據(jù)確定的再生材料級配、最佳含水率及最佳瀝青用量確定乳化瀝青冷再生混合料配比，并進行混合料性能測試。 本發(fā)明相比于現(xiàn)行基于干濕劈裂強度的乳化瀝青混合料設(shè)計方法，在考慮材料抗拉強度的同時，更加針對地考慮了乳化瀝青混合料使用過程中的剪切應(yīng)變導(dǎo)致的永久變形或剪切破壞。