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北醫附小牡丹園校區近視防控教室
產品詳細介紹
北醫附小牡丹園校區近視防控教室
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永康視光科技集團有限公司
2021-08-23
廣州控家電子科技有限公司
廣州控家電子科技有限公司
2022-11-01
HJ-6A多頭控溫磁力攪拌器
HJ-6A恒溫磁力攪拌器是六聯多頭磁力攪拌器，它是理想的對液體加熱、攪拌分析測定儀器。具有獨特的恒溫自動控制調節的優點。采用直流無刷電機,躁聲低，機械故障少，調速平穩。由氟材料與磁鋼精制而成的攪拌子，具有耐高溫、耐磨、耐化學腐蝕，旋轉力強的特點，并可在密封容器中進行調混工作，使用十分理想與方便。
技術參數
電源220V±10%50Hz～60Hz
攪拌有效容積（20～2000ml）×6
電機功率25W×6
加熱功率200W×6
攪拌轉速0～2400rpm(連續可調)
控溫范圍RT～100℃（度≤±1℃）
定時0～120min
江蘇金怡儀器科技有限公司
2022-09-19
H7N9亞型流感抗原快速檢測試紙條
該成果是揚州大學江蘇省家禽疫病防控工程技術研究中心自主研發的 H7N9 亞型流感抗原檢測試劑及試劑盒產品。 產品以兩株針對 H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強，與傳統的血凝和血凝抑制試驗相比，靈敏度更高、耗時更短； 與國外進口的同類產品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測，適合推廣應用。
揚州大學
2021-04-14
一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統
本發明公開了一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統。該系統由發射單元和光學接收與信號檢測單 元組成。發射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學接 收與信號檢測單元收集由 N2 分子產生的振轉 Raman 譜信號，采用雙光柵色散系統將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測器分辨并記錄 N2 分子振轉 Ram
武漢大學
2021-04-14
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
本發明涉及一種單相α?Si3N4超細粉體及其制備方法。其技術方案是：先將5——30wt%的單質硅粉、15——45wt%的固態氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻，制得混合物；再將所述混合物置入管式電爐內，在氮氣氣氛下以2——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃，保溫2——6小時；然后將所得產物用去離子水反復清洗，直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現白色沉淀為止；最后在110℃條件下干燥10——24小時，即得單相α?Si3N4超細粉體。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α?Si3N4超細粉體粒度為100——500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。
（注：本項目發布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎上顯示血管、神經的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結構，左側半腦拆下可示腦神經外形及腦神經進出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動器—芯明天科技
產品詳細介紹 壓電陶瓷，是一種能夠將機械能和電能互相轉換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機非金屬材料。這是一種具有壓電效應的材料。所謂壓電效應是指某些介質在力的作用下產生形變，引起介質表面帶電，這是正壓電效應。反之，施加激勵電場，介質將產生機械形變，稱逆壓電效應。這種奇妙的效應已經被科學家應用在與人民生活密切相關的許多領域，以實現能量轉換、傳感、驅動、頻率控制等功能 特性：納米級分辨率 無摩擦，無間隙 剛度強，使用壽命長 可選擇位置傳感功能進行閉環控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據客戶要求定制應用：通信，光纖調節 顯微鏡微調，機械工程 微系統技術，你米定位技術 半導體設備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學 生命科學/生物技術
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
電子班牌工控一體機嵌入式10/12/17/19寸全鋁觸控電容平板電腦觸摸屏
電子班牌工控一體機嵌入式10/12/17/19寸全鋁觸控電容平板電腦觸摸屏
廣州奕觸科技有限公司
2025-08-12
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13