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一種具有微結構的a-Fe2o3光電極的制備方法
一種具有微納結構的α-Fe2O3光電極的制備方法，具體作法是：取不銹鋼片和鈦片，用砂紙拋光，清洗，將洗凈的材料超聲處理，取出備用；配制電鍍液，以鈦片做陰極，不銹鋼片做陽極，采用穩壓直流電源電鍍時間分別3-5s，室溫30℃，電鍍完后將鈦片取出，洗凈，晾干，得納米鐵立方體，再將覆蓋有納米鐵立方體的鈦片至于馬弗爐中焙燒，取出即得微納結構的α-Fe2O3光電極。該方法設備簡單，能耗低，適合大規模生產；同時用該法制備的所制得的微納結構的α-Fe2O3呈球形，可以對光進行全方位的反射，同時微米球表面分布很多納米帶，可進一步增強電極的比表面積，作為光電極，其光的利用率高，電流密度大。
西南交通大學
2016-10-20
一種減少 RAID-6 解碼 I/O 數據量的方程選擇方法
本發明公開了一種減少RAID-6解碼I/O數據量的方程選擇方法：一次只選擇一個校驗方程，而且遵循每次都選擇具有最多可重用塊的校驗方程的原則，直到選定的校驗方程數量與條帶中丟失的數據塊數量一致為止；為了快速選出可重用塊數量最多的校驗方程，維持一個按可重用塊數量排序的校驗方程序列，每次從序列順序選擇校驗方程。使用本發明方法選擇校驗方程子集用于解碼時，解碼 I/O 的數據量要少于傳統解碼方法使用的數據量，這有助于減少解碼時
華中科技大學
2021-04-14
一種基于減少進程間通信開銷的并行 I/O 優化方法與系統
本發明公開了一種基于進程親和性的減少進程間通信從而提升 并行 I/O 效率的方法，包括：首先對以 Collective-I/O 為主流的并行 I/O 程序進行分析，收集和統計集群機器節點信息及 MPI 程序配置信息； 然后，該系統通過預處理操作計算各種可能的機器節點與代理進程的 匹配結果，然后再通過性能預測模塊，確定最佳的匹配策略；最后將 預處理得到的匹配策略寫入配置文件中。實驗結果表明，該系統配置 簡單，能在不用修
華中科技大學
2021-04-14
肽基核苷類雜合抗生素 Nikkoxin E 和 Nikkoxin F 及其制備方法
本發明涉及肽基核苷類雜合抗生素 Nikkoxin?E 和?Nikkoxin?F 及其制備方法，屬于生物醫藥領域。 本發明通過將尼可霉素的生物合成基因簇進行突變后導入到多氧霉素工業菌株中進行異源表達。經過質 譜和核磁共振檢測，確定產生了兩種氧霉素與尼可霉素雜合的核苷類抗生素。這兩種雜合抗生素對人類 或植物病原真菌具有更加顯著的抗菌活性。
武漢大學
2021-04-14
立體易F3教育體驗型食品3D打印機
產品詳細介紹
廣州市網能產品設計有限公司
2021-08-23
OM-886F頭戴式耳機拉伸（擴張）壽命試驗機（熱賣）
產品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
SONY ICD-UX565F 索尼高質量數碼錄音筆
產品詳細介紹
內存容量：8GB
記憶卡插槽：MicroSD
USB接口：有（內置直插）
錄音格式：線性PCM/MP3
錄音功能：常規錄音、焦點錄音、寬廣立體聲錄音
http://digi.163.com/16/0111/13/BD285S77001618JV.html
萬城數碼
2021-08-23
一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法
“一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法”屬于半導體領域?，F有方法對設備要求較高，過程復雜，難以控制成本，嚴重影響Cu2O樣品的應用范圍。本發明特征在于：按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍12∶4～12∶18，硫酸銅與葡萄糖的摩爾濃度比范圍12∶2～12∶22，將檸檬酸三鈉溶液加入硫酸銅溶液中，充分絡合后加入葡萄糖溶液；調節溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反應1.5h～6.0h；反應結束后沖洗、烘干，即得所需產物。該方法(采用葡萄糖作還原劑的化學浴沉積法)與其它液相制備核殼
安徽建筑大學
2021-01-12
一種核殼結構CuO@γ-Al2O3復合粒子的制備方法
本發明公開了一種核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應得沉淀物，沉淀物經過濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內核、γ?Al2O3為殼層的核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子。本發明采用水熱法一步合成技術，未采用有機溶劑、不產生工業廢水，綠色環保；且制備
安徽建筑大學
2021-01-12
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11