葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡介：本發(fā)明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

蔣偉課題組設(shè)計合成了柔性的萘基分子籠（naphthocage）。萘籠對有機(jī)陽離子表現(xiàn)出了極強(qiáng)的鍵合，最高可達(dá)1010 M-1，這顛覆了人們對柔性主體分子識別能力的認(rèn)識，挑戰(zhàn)了“預(yù)組織的結(jié)構(gòu)才能有強(qiáng)鍵合”的傳統(tǒng)觀念。最近，該課題組發(fā)現(xiàn)萘籠具有氧化還原性質(zhì)，可用于電化學(xué)控制陽離子的釋放。這種特性有望用于制備電化學(xué)刺激響應(yīng)性材料。

本發(fā)明公開了一種 GO-TiO2 復(fù)合材料及其制備方法和在分離/富集重金屬離子中的應(yīng)用。本發(fā)明在GO 上原位合成了納米 TiO2，對二者的比例進(jìn)行了優(yōu)化使氧化石墨烯和 TiO2 質(zhì)量比為 1∶1~9，制備了兼有 GO 和 TiO2 優(yōu)良性能的 GO-TiO2 復(fù)合材料，并成功用于分離/富集環(huán)境水樣和底泥中的重金屬和稀土元素。本發(fā)明

本發(fā)明公開了一種利用介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，結(jié)合納米金球合成的傳統(tǒng)手段-檸檬酸鈉還原法，采用一鍋兩步法發(fā)展了一種介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，該方法選擇在碳鏈的陽離子表面活性劑如十六烷基三甲基溴化銨的堿性水溶液體系中對納米金顆粒進(jìn)行包覆。采用本發(fā)明的包覆方法，無需引發(fā)劑活化和后續(xù)分離純化，具有簡單、高效、高產(chǎn)的特點，并且產(chǎn)物 Au@mSiO2 的大小均一，粒徑大小在 20-120nm 的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，且在整個范圍內(nèi)呈現(xiàn)出均一有序的介孔狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及其制 備方法。所述環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管復(fù)合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環(huán)氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，其 添加量為環(huán)氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，形成環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3

本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

本發(fā)明屬于生物材料包埋技術(shù)領(lǐng)域，方法特別涉及一種聚乙烯醇-海藻酸鈉生物材料包埋零價鐵-四氧化三鐵雙納米體系的制備及前處理辦法。本發(fā)明制備出的含鐵小球，可適用于常規(guī)零價鐵污染修復(fù)領(lǐng)域，同時減小納米材料應(yīng)用中潛在的風(fēng)險，達(dá)到安全高效處理的目的。一種生物材料包埋零價鐵-四氧化三鐵雙納米體系的制備方法及前處理辦法，以共沉淀法制得四氧化三鐵顆粒作為納米零價鐵顆粒的穩(wěn)定劑，制備零價鐵-四氧化三鐵雙納米材料；然后選擇合適的生物材料對上述雙納米材料進(jìn)行包埋處理，得到包埋小球；最后對包埋小球進(jìn)行酸處理及還原處理，得到穩(wěn)定高效的生物材料包埋零價鐵-四氧化三鐵小球。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 l 作不受供電極性影響 l 線性電壓輸出或模擬催化燃燒電橋輸出 l 工作電壓范圍3.0V-5.0V l 工作電流典型值為80mA l 最新的MEMS探測器技術(shù) l 量程：從0-5000ppmCO2到0-10%VolCO2 l 全金屬結(jié)構(gòu)，絕緣外殼 l 體積小 l 靈活的電路訪問設(shè)置 l 用戶可以通過硬件連接進(jìn)行標(biāo)定 l 寬溫度工作范圍 l 快速響應(yīng)

伴隨著5G、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0、國家重大戰(zhàn)略需求等領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展，電子器件正朝著高功率、高集成化和便攜式的方向發(fā)展，這亟需高效、輕質(zhì)和高穩(wěn)定性的熱管理材料和方案來保證電子產(chǎn)品的效率、可靠性、安全性、耐用性和持續(xù)穩(wěn)定性。如何大幅提高導(dǎo)熱材料的熱導(dǎo)率一直是熱管理材料行業(yè)的技術(shù)痛點，也是促進(jìn)消費電子、5G設(shè)備、高功率芯片、集成電路、電池等突破功率限制的關(guān)鍵。由于傳統(tǒng)導(dǎo)熱材料如金屬、無機(jī)導(dǎo)熱材料存在質(zhì)量大、柔性差等缺點，導(dǎo)熱聚合物的應(yīng)用正在不斷向高導(dǎo)熱材料領(lǐng)域滲透。聚合物導(dǎo)熱材料在成本、可加工性、柔韌性及穩(wěn)定性等方面更有優(yōu)勢。但絕大多數(shù)的聚合物自身的導(dǎo)熱性很差（一般導(dǎo)熱系數(shù)為0.2 ~ 0.5 W/mK），無法滿足高導(dǎo)熱的需求，開發(fā)高導(dǎo)熱的聚合物復(fù)合材料已經(jīng)成為該領(lǐng)域的一個研究熱點。采用復(fù)合高導(dǎo)熱填料（如石墨烯、碳納米管、氮化硼、金屬氧化物等）是一種簡單而高效的方式來提高聚合物基體的熱導(dǎo)率，目前在工業(yè)生產(chǎn)已經(jīng)有了廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有的大量研究表明，在聚合物材料內(nèi)部構(gòu)建導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)可以在低添加量的條件下實現(xiàn)熱導(dǎo)率的大幅度提高，這種三維滲流網(wǎng)絡(luò)（如圖1所示）可以為聲子的快速傳遞提供通道，從而加速熱量沿著三維網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行傳遞。 封偉團(tuán)隊在綜述中重點介紹了不同三維導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建及在制備聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料方面的最新進(jìn)展，如石墨烯三維網(wǎng)絡(luò)、碳納米管網(wǎng)絡(luò)、氮化硼網(wǎng)絡(luò)、金屬三維導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)等。討論了不同導(dǎo)熱材料三維網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建方法、結(jié)構(gòu)取向調(diào)控方法及影響導(dǎo)熱性能的關(guān)鍵因素（取向性、界面連接性、網(wǎng)絡(luò)密度等）。同時，比較了不同的填料形式（分散顆粒填料與三維連續(xù)填料網(wǎng)絡(luò)）對復(fù)合材料熱導(dǎo)率的影響。相比于共混法制備的導(dǎo)熱復(fù)合材料，基于三維填料網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合材料在填充比、分散性、取向控制及熱導(dǎo)率提升率上都具有明顯的優(yōu)勢。毫無疑問，三維連續(xù)導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)的形成對于提升聚合物熱導(dǎo)率至關(guān)重要。可以預(yù)見，三維導(dǎo)熱填料網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計將作為一種實現(xiàn)聚合物高導(dǎo)熱率的重要手段，成為新一代熱管理系統(tǒng)的研究熱點。 極端環(huán)境熱管理系統(tǒng)在能源化工、通訊衛(wèi)星、高速飛行器及人工智能等領(lǐng)域都發(fā)揮重要作用。導(dǎo)熱復(fù)合材料作為熱管理系統(tǒng)的關(guān)鍵材料，直接影響著其在不同環(huán)境內(nèi)的熱傳導(dǎo)方向和效率。近年來，天津大學(xué)封偉教授團(tuán)隊以高導(dǎo)熱碳復(fù)合材料為研究基礎(chǔ)，針對其存在的導(dǎo)熱各向異性、易損傷、壓縮回彈性差以及與高彈性難以兼顧的問題，提出了通過微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計、界面優(yōu)化、分子級相互作用優(yōu)化，分別實現(xiàn)復(fù)合材料的定向高導(dǎo)熱、彈性高導(dǎo)熱及自修復(fù)高導(dǎo)熱，探索其在復(fù)雜界面和極端環(huán)境熱傳導(dǎo)領(lǐng)域的應(yīng)用。