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面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器
本發(fā)明公開了一種面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)和MEMS固支梁結(jié)構(gòu)。SIW帶通濾波器包括相互級(jí)聯(lián)的SIW諧振腔(9)，相鄰的SIW諧振腔之間存在耦合窗口(14)，MEMS固支梁結(jié)構(gòu)設(shè)置于耦合窗口中。在一些特定的需要控制無(wú)源濾波器通帶中心頻率頻繁切換的電路中，本發(fā)明通過(guò)MEMS固支梁結(jié)構(gòu)很好的避免了需要依靠增加濾波器數(shù)量去控制電路的問(wèn)題，并且MEMS固支梁結(jié)構(gòu)的閉合所需要的電壓較小也基本不會(huì)影響電路的正常工作，能夠有效地降低電路控制的功耗。MEMS固支梁(6)可以實(shí)現(xiàn)快速的DOWN態(tài)和UP態(tài)的轉(zhuǎn)換，可以有效地實(shí)現(xiàn)微波電路中對(duì)濾波器濾波范圍的控制。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種磷硅鎘單晶體的生長(zhǎng)方法與生長(zhǎng)容器
一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長(zhǎng)容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長(zhǎng)原料并封結(jié)的雙層坩堝放入三溫區(qū)管式晶體生長(zhǎng)爐，然后將生長(zhǎng)爐的高溫區(qū)和低溫區(qū)以30~60℃/h的速率分別升溫至1150~1180℃、950~1050℃，并保持該溫度，繼后調(diào)節(jié)梯度區(qū)的溫度，使溫度梯度為10~20℃/cm，當(dāng)所述生長(zhǎng)原料在高溫區(qū)保溫12~36h后，控制雙層坩堝以3~6mm/day勻速下降，當(dāng)雙層坩堝下降到低溫區(qū)并完成單晶生長(zhǎng)后，使其停止下降，在低溫區(qū)保溫24~72h，保溫時(shí)間屆滿，將高溫區(qū)、梯度溫區(qū)、低溫區(qū)的溫度同時(shí)以20~60℃/h降至室溫。一種單晶體生長(zhǎng)容器，由內(nèi)層坩堝和外層坩堝組成，內(nèi)層坩堝與外層坩堝之間的環(huán)形腔室內(nèi)加有調(diào)壓用CdSiP2多晶粉末。
四川大學(xué)
2021-04-11
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一種硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益的方法
本發(fā)明公開了一種硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益的方法，采用將金屬納米顆粒分散在醇溶劑中形成金屬納米顆粒膠體溶液，在硅太陽(yáng)電池片迎光面上，絲網(wǎng)印刷或噴淋或旋涂金屬納米顆粒膠體溶液，烘烤使醇溶劑從電池片表面揮發(fā)完全，在保護(hù)氣體氛圍下進(jìn)行快速熱處理退火溫度，再進(jìn)行二次常規(guī)熱處理退火，實(shí)現(xiàn)硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益。本發(fā)明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特點(diǎn)，具有較大的應(yīng)用前景。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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表面包硅的近紅外熒光磁性納米粒子及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了表面包硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子及其制備方法和應(yīng)用，屬于 納米技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)的交叉領(lǐng)域。本發(fā)明是在微乳體系中，將磁性納米粒子與近紅外熒 光量子點(diǎn)納米粒子或近紅外熒光有機(jī)染料分子一起包埋到二氧化硅粒子中，形成表面包 硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子，這種納米復(fù)合粒子中還可以結(jié)合抗癌藥物以及具有 靶向識(shí)別功能的抗體、配體、多肽、細(xì)胞因子等多種生物分子。本發(fā)明通過(guò)納米粒子的 磁學(xué)性質(zhì)、量子尺寸效應(yīng)、光的熱效應(yīng)以及抗癌藥物的藥效作用和生物分子的識(shí)別功能， 將制備的納米復(fù)合粒子用于腫瘤的治療中，在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-13
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含硅固廢（尾礦）綠色制備納米孔道 ZSM-5 分子篩技術(shù)
本技術(shù)提出以無(wú)溶劑法合成ZSM-5分子篩，在分子篩合成過(guò)程中無(wú)溶劑參與，僅將初始原料研磨混勻后，轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中進(jìn)行晶化反應(yīng)，從而簡(jiǎn)化了合成工藝，實(shí)現(xiàn)ZSM-5分子篩低成本、高效、綠色合成。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14