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1. 痛點(diǎn)問題 氧化物微納米顆粒在儲(chǔ)能材料、高端光學(xué)材料、高性能氣體傳感器、高端催化劑等領(lǐng)域均有廣闊的應(yīng)用前景。然而工業(yè)制備中現(xiàn)有的共沉淀、凝膠、浸漬等濕法合成方法，由于其原理和工藝上的限制，存在不易放大、生產(chǎn)不連續(xù)、產(chǎn)線通用性弱、廢液污染、摻混不均勻等問題，尤其在被國(guó)外企業(yè)壟斷的高端高熵多元氧化物顆粒生產(chǎn)方面，存在很大挑戰(zhàn)。 2. 解決方案 采用火焰合成方法得到納米顆粒具有一步工藝、純度高、易放大、成本低、污染排放少、可控性相對(duì)較高的特點(diǎn)。在各種火焰形式中，本技術(shù)設(shè)計(jì)了一種基于旋流強(qiáng)化混合的霧化火焰合成系統(tǒng)，在保證較高產(chǎn)量的同時(shí)降低了高溫區(qū)停留時(shí)間，能夠顯著提高火焰合成納米顆粒的產(chǎn)量和生產(chǎn)效率，可以為各種單元、多元納米氧化物粉體的生產(chǎn)提供定制化服務(wù)。 合作需求 為實(shí)現(xiàn)本技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和市場(chǎng)化，主要需求包括： 1.一支專精于納米材料合成與收集方面的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，能夠承接專利技術(shù)，并大幅拓展至規(guī)模化、定制化產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)； 2.300平米以上的科學(xué)實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地與300萬以上的啟動(dòng)資金； 3.與光學(xué)、電學(xué)領(lǐng)域高端粉體需求方有較廣泛的聯(lián)系，能夠協(xié)助產(chǎn)品、技術(shù)拓展市場(chǎng)。

本發(fā)明涉及一種軌道交通列流圖自動(dòng)編制理論及方法。

本發(fā)明公開了一種質(zhì)子束流強(qiáng)調(diào)制方法及系統(tǒng)，在基于回旋加 速器的質(zhì)子治療裝置中，能量選擇模塊使得不同能量下質(zhì)子束的傳輸 效率差異很大，而治療端要求質(zhì)子束保持較穩(wěn)定的流強(qiáng)范圍。本發(fā)明 方法首先在質(zhì)子束經(jīng)過能量調(diào)制后，獲取不同能量質(zhì)子束在降能過程中的束流損失和傳輸效率，得到低能量至高能量的流強(qiáng)比值。根據(jù)臨 床要求的質(zhì)子束流強(qiáng)動(dòng)態(tài)比，對(duì)經(jīng)過能量調(diào)制后的不同能量點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò) 束及準(zhǔn)直后，完成設(shè)計(jì)比例范圍內(nèi)的流強(qiáng)調(diào)制，可將流強(qiáng)比值控制在 一定值之內(nèi)。本發(fā)明建立在蒙特卡洛計(jì)算方法及束流光學(xué)基礎(chǔ)上，設(shè) 計(jì)方法可靠，實(shí)現(xiàn)

本成果深入研究和發(fā)展了微膜蒸發(fā)傳熱新機(jī)理，在國(guó)內(nèi)外首次發(fā)現(xiàn)了傳熱亢進(jìn)現(xiàn)象，采用狹縫結(jié)構(gòu)和有效的補(bǔ)液措施發(fā)明了類環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術(shù)，成為第六代制氧裝置的關(guān)鍵技術(shù)。應(yīng)用該技術(shù)在國(guó)際上首先研制出空分精鎦裝置的心臟?新型主冷凝蒸發(fā)器正式產(chǎn)品，已配置30套150m3/h制氧裝置，配置12000m3/h和6000m3/h制氧裝置各一套，其體積和重均比老產(chǎn)

本發(fā)明公開了一種雙殼程折流桿管殼式換熱器，包括殼體及從左至右依次設(shè)置在殼體上的左封頭、左管板、環(huán)形隔板、右管板和右封頭，左封頭和右封頭分別密封安裝在殼體的左右兩端；左管板和右管板均密封安裝在殼體兩端的內(nèi)側(cè)；殼體內(nèi)設(shè)有多根換熱管；環(huán)形隔板密封安裝在殼體內(nèi)，其一側(cè)安裝有第一套筒；環(huán)形隔板與右管板之間還設(shè)有多個(gè)折流裝置，每個(gè)折流裝置均包括一折流圈和多根折流桿；左封頭上設(shè)有第一管程進(jìn)出口，殼體上設(shè)有第一殼程進(jìn)出口和第二殼程進(jìn)出口；左封頭或右封頭上設(shè)有第二管程進(jìn)出口。本發(fā)明可以大幅度增加殼程流體流速?gòu)亩嵘龘Q熱器殼程的換熱能力，同時(shí)有效控制阻力的增幅，尤其適用于油冷器等殼程流體黏度大流速低的場(chǎng)合。

成果描述：本發(fā)明公開了一種柴油機(jī)微粒捕集器DPF碳累積量估計(jì)方法，通過壓差傳感器測(cè)得DPF前后總壓力差，根據(jù)DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據(jù)灰分質(zhì)量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產(chǎn)生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產(chǎn)生的流阻即可得到積碳所產(chǎn)生的流阻，根據(jù)積碳產(chǎn)生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質(zhì)量通過廢氣質(zhì)量流量和發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速經(jīng)過積分計(jì)算得到。本發(fā)明提出了碳積累量增量估計(jì)方法，可以基于當(dāng)前總流阻、當(dāng)前灰分質(zhì)量和當(dāng)前廢氣體積流量計(jì)算出碳積累量的增量，然后得到當(dāng)前的碳積累量。本發(fā)明方法得到的DPF碳累積量估計(jì)精度更高，而且避免了使用現(xiàn)有估計(jì)方法中物理意義不明確的參數(shù)，估計(jì)過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時(shí)機(jī)的準(zhǔn)確性。市場(chǎng)前景分析：內(nèi)燃機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明公開了一種計(jì)及區(qū)域量測(cè)能力的主動(dòng)配電網(wǎng)保護(hù)方案，包括如下步驟：（1）建立恒功率控制方式下逆變型分布式電源故障特性分析模型；（2）分析故障條件下分布式電源的故障特性及其對(duì)配電網(wǎng)電流保護(hù)的影響；（3）搭建主動(dòng)配電網(wǎng)保護(hù)系統(tǒng)架構(gòu)，根據(jù)斷路器處故障電流方向，完成故障線路的定位；（4）利用分布式電源并網(wǎng)與配電網(wǎng)保護(hù)動(dòng)作時(shí)間時(shí)序配合的主動(dòng)配電網(wǎng)重合閘方案；該發(fā)明能夠消除DG接入對(duì)配電網(wǎng)保護(hù)產(chǎn)生的影響，同時(shí)利用電流故障分量作為特征電氣量，去除了負(fù)荷電流對(duì)于保護(hù)方案的影響，具有較高的可靠性。所提重合閘方案不改變配電網(wǎng)原有的保護(hù)配置，且不依靠通信網(wǎng)絡(luò)，具有很強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)和工程實(shí)用性。

項(xiàng)目概況 工程造價(jià)實(shí)訓(xùn)室可進(jìn)行算量軟件和報(bào)價(jià)軟件的培訓(xùn)，培訓(xùn)內(nèi)容是三維算量和未來軟件報(bào)價(jià)，采用現(xiàn)場(chǎng)演示和互動(dòng)答疑方式進(jìn)行，不斷推進(jìn)造價(jià)人員的電算化水平，深入推廣使用軟件以減輕造價(jià)人員的工作量。 造價(jià)員資格證書是初入建設(shè)行業(yè)的造價(jià)人員的執(zhí)業(yè)證書。主要特點(diǎn) 工程造價(jià)教研室?guī)熧Y力量雄厚，相關(guān)教師熟悉算量軟件和報(bào)價(jià)軟件的操作，能夠指導(dǎo)初學(xué)者在短時(shí)間內(nèi)學(xué)會(huì)相關(guān)軟件的操作；同時(shí)可以對(duì)參加全國(guó)初級(jí)造價(jià)員資格認(rèn)證的人員進(jìn)行考前培訓(xùn)。該教研室教師所教授的學(xué)生在初級(jí)考試中通過率近60%，效果較好。技術(shù)指標(biāo)   通過算量軟件和報(bào)價(jià)軟件的操作培訓(xùn)，以及造價(jià)員證書的培訓(xùn)，可以達(dá)到提高造價(jià)從業(yè)人員水平的目的。

本發(fā)明公開了一種用于城市污水處理廠污泥深度脫水的化學(xué)調(diào)理劑投加量?jī)?yōu)化方法，包括以下步驟：(1)針對(duì)某一特定污泥，對(duì)添加到該特定污泥中的化學(xué)調(diào)理劑進(jìn)行投加量的優(yōu)化，從而得出單位質(zhì)量有機(jī)物對(duì)應(yīng)的化學(xué)調(diào)理劑最優(yōu)投加比例；(2)根據(jù)步驟(1)得出的最優(yōu)投加比例，對(duì)其他待處理污泥適用的化學(xué)調(diào)理劑最優(yōu)投加量進(jìn)行計(jì)算；(3)按步驟(2)計(jì)算得出的化學(xué)調(diào)理劑最優(yōu)投加量，向待處理污泥中添加化學(xué)調(diào)理劑進(jìn)行污泥調(diào)理處理，然后再進(jìn)行機(jī)械脫水處理，從而得到含水率低于 60％的深度脫水污泥。本發(fā)明通過對(duì)關(guān)鍵化學(xué)調(diào)理劑投加量的參