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碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場奇缺，嚴(yán)重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來，課題組對以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國家發(fā)明專利授權(quán) 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術(shù)進步。

項目背景：目前國內(nèi)市場上生產(chǎn)的實心胎硫化機均采用 手動取胎結(jié)構(gòu)，自動的設(shè)備現(xiàn)剛剛處于開發(fā)初級階段。目前 實心胎硫化機生產(chǎn)過程需要大量勞動力，其工作環(huán)境惡劣， 手動操作效率低下，勞動強度大，產(chǎn)品質(zhì)量差，招工困難。 所需技術(shù)需求簡要描述：1.實心胎取放時輪胎機械手與 模具中心定位問題，機械手與模具中心定位差不應(yīng)超過 3mm。 2.實心胎胎坯形狀不規(guī)則，抓取定位問題。實心胎內(nèi)徑范圍 300-600mm，且在成型時內(nèi)徑不光滑，重量在 50-260KG，機 械手許抓取牢靠與足夠大的支撐范圍。3.熟胎抓取機械手需 要抓取實心胎外徑，外徑范圍 600-1000mm，輪胎重量在 50-260KG。4.硫化好的胎型芯回拉時有 10000KG 會拉力，需 要熟胎抓取機械手承受力量。輪胎頂出需要有 15000KG 頂出 力。5.硫化好的輪胎擺放問題，多條輪胎擺放要穩(wěn)定。6.一 臺輔機多臺實心胎硫化機共用，輔機與硫化機定位問題。輔 機與主機對齊誤差不應(yīng)超過 1mm，否則模具推拉會錯位，造 成模具不出拉出硫化機。7.模具規(guī)格在 600-1150mm 范圍內(nèi)， 模具拉出至輔機時需要模具中心與輔機頂出機構(gòu)同心，誤差 不能超過 1mm，否則輪胎無法順利頂出。8.模具推拉裝置與 模具結(jié)合定位，誤差不能超過 1mm，否則無法順利掛住模具 進行下一步動作。 對技術(shù)提供方的要求:擬與高校聯(lián)合開發(fā)，要求團隊具有類似經(jīng)驗，具備液壓與控制技術(shù)相結(jié)合的實施案例。 

實心胎硫化機：開發(fā)出齊全系列產(chǎn)品，包括半自動、全自動控制共計4個系列。為輪胎（ATG）公司一次裝備24臺，越南公司一次裝備26臺，臺灣捷泰公司一次裝備32臺。 實心胎硫化機特點：采用PLC控制，觸摸屏設(shè)定，自動化程度高，操作方便，安全可靠。分段排氣，可任意設(shè)定排氣次數(shù)、時間、壓力等；每層配有進出模軌道，輔機可上升下降，校具可手動進出，上模與輪胎制品可液壓頂出，勞動強度低。

產(chǎn)品應(yīng)用：半導(dǎo)體硅片和藍寶石晶體的線切割光學(xué)濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優(yōu)勢：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經(jīng)過嚴(yán)格的粒徑控制和專業(yè)的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據(jù)客戶個性要求單獨提供高精度微粉。碳化硅線切割產(chǎn)品特點：1、高純度、大結(jié)晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優(yōu)良切割性能和穩(wěn)定的物理狀態(tài)；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩(wěn)定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時小線膨脹系數(shù)，保證切割的穩(wěn)定,并且同切割機有很好的適配性；5、表面經(jīng)過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產(chǎn)品特點：1、嚴(yán)格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標(biāo)準(zhǔn)和日本標(biāo)準(zhǔn)檢測，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。

                    粉末二氧化硅 LK925 補強性好、耐摩擦   橡膠用傳統(tǒng)二氧化硅，主要應(yīng)用于日常生活中橡塑補強劑、鞋業(yè)制品、家用電動車輪胎、電線外皮層等領(lǐng)域 LK955-1 分散性高、絕緣性好 LK955-2 絕緣性優(yōu)異、補強性好 LK975 摩擦性好、補強性優(yōu)異 LK955-1A 分散性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低 造紙、皮革等領(lǐng)域 LK965A 消光性優(yōu)異、分散性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低 高端涂料等領(lǐng)域 LK965B 消光性好、易分散 木器、塑料、皮革等領(lǐng)域 LK955GXJ 透明度高、強度大 硅橡膠專用二氧化硅，可增強其韌性與強度 LK958GXJ 分散性優(yōu)異、強度大 LKSILM10 流動性好、耐酸、耐堿   抗結(jié)塊劑專用二氧化硅，主要防止粉末涂料結(jié)塊、涂層及塑料薄膜粘連，也可在農(nóng)藥可濕性粉劑里的運用，可防止結(jié)塊及擴散增溶 LKSILM90 摩擦系數(shù)低、流動性好 LSILP245 流動性優(yōu)異、容易擴散、具有一定吸附性 LKSILP300 流動性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低、吸附性能優(yōu)異 LK25 可根據(jù)客戶需求定制 其它特殊用途二氧化硅

本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域，具體為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產(chǎn)物均為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設(shè)備要求簡化，成本低，產(chǎn)率高。

（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

上海交通大學(xué)生命科學(xué)技術(shù)學(xué)院、微生物代謝國家重點實驗室吳更教授與武漢大學(xué)王連榮、陳實教授團隊合作，揭示了細菌DNA硫化修飾中催化第一步反應(yīng)的半胱氨酸脫硫酶發(fā)生構(gòu)象變化，使其活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動5.5埃以發(fā)起攻擊的催化機制。最新研究成果以“Structural Analysis of an L-Cysteine Desulfurase from an Ssp DNA Phosphorothioation System”為題發(fā)表在《mBio》雜志上。劉立瓊等為第一作者，吳更、王連榮為通訊作者，上海交通大學(xué)生命科學(xué)技術(shù)學(xué)院、微生物代謝國家重點實驗室為第一單位。本文是團隊自2018年Nature Communications上發(fā)表的細菌采用SBD結(jié)構(gòu)域識別硫化修飾DNA的結(jié)構(gòu)機理及2020年Nature Microbiology上發(fā)表的II型DNA硫化修飾系統(tǒng)的SspB、SspE晶體結(jié)構(gòu)的延續(xù)和擴展。在細菌的DNA硫化修飾（不管是早先發(fā)現(xiàn)的Dnd修飾系統(tǒng)還是新近發(fā)現(xiàn)的Ssp修飾系統(tǒng)）途徑中，都由一個半胱氨酸脫硫酶催化第一步的反應(yīng)，即半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸對底物半胱氨酸上的硫原子發(fā)起親核攻擊反應(yīng)，將活化的硫原子轉(zhuǎn)移到半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸上，以進行后續(xù)的將硫原子加進DNA的反應(yīng)。2020年4月初團隊在Nature Microbiology上發(fā)表的文章“SspABCD-SspE is a phosphorothioation-sensing bacterial defense system with broad antiphage activities”，從探索海洋弧菌的高頻單鏈磷硫?；揎椚胧郑ㄟ^比較基因組學(xué)和分子遺傳學(xué)手段，鑒定出以SspABCD為修飾元、SspE為限制元的單鏈磷硫?；拗?修飾系統(tǒng)。該系統(tǒng)與之前發(fā)現(xiàn)的磷硫?；ㄒ訢ndABCDE為修飾元以產(chǎn)生雙鏈DNA磷硫?；?、DndFGH為限制元）的Dnd系統(tǒng)均迥然不同，并首次闡明了細菌磷硫酰化限制-修飾系統(tǒng)賦予宿主抑制噬菌體入侵的能力。同時，通過結(jié)構(gòu)生物學(xué)和生物化學(xué)手段，解析了SspB蛋白的晶體結(jié)構(gòu)，揭示其兩個保守motif的關(guān)鍵殘基對其DNA缺刻酶活性非常重要；解析了SspE蛋白的晶體結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)其N端結(jié)構(gòu)域有依賴于DNA磷硫酰化修飾的NTP水解酶活性，而其C端結(jié)構(gòu)域有DNA缺刻酶活性，從而闡明了該系統(tǒng)DNA磷硫?；揎椗c限制兩部分功能耦合的分子機理。研究還發(fā)現(xiàn)SspABCD作為修飾蛋白在宿主基因組DNA上產(chǎn)生磷硫?；揎?，SspE作為限制元能夠感應(yīng)基因組DNA上的磷硫?；揎棌亩鴧^(qū)別宿主自身與外源的遺傳物質(zhì)，并利用其核酸酶活性對入侵噬菌體的DNA進行大范圍的缺刻，從而抑制噬菌體DNA的復(fù)制。本研究解析了新發(fā)現(xiàn)的II型DNA硫化修飾系統(tǒng)中的半胱氨酸脫硫酶SspA（來源于弧菌）與底物半胱氨酸的復(fù)合物晶體結(jié)構(gòu)，分辨率為1.8埃。結(jié)構(gòu)揭示SspA通過其天冬酰胺N150和精氨酸R340殘基來識別底物半胱氨酸，如果將這兩個殘基突變則會嚴(yán)重破壞細菌的DNA硫化修飾。在結(jié)構(gòu)中，SspA的活性位點半胱氨酸C314與底物半胱氨酸的距離長達8.9埃，這就產(chǎn)生了一個有趣的問題——SspA是怎么催化脫硫反應(yīng)的？通過計算機分子動力學(xué)模擬，作者發(fā)現(xiàn)SspA的活性位點半胱氨酸C314在催化過程中向底物半胱氨酸移動了5.5埃，從而把它們之間的距離縮短到便于發(fā)生反應(yīng)的范圍內(nèi)。本研究通過簡正模式分析，發(fā)現(xiàn)弧菌的SspA、大腸桿菌的IscS、鏈霉菌的DndA（這兩個都是I型DNA硫化修飾系統(tǒng)的）的活性位點半胱氨酸雖然處在不同的相對位置和不同的二級結(jié)構(gòu)上，但都有著向各自的底物半胱氨酸的運動。本研究進一步通過在上海光源BL19U2生物小角X射線散射（簡稱SAXS）線站收集的數(shù)據(jù)，從頭搭建了SspA在溶液中結(jié)構(gòu)的分子模型。發(fā)現(xiàn)SspA在溶液中的結(jié)構(gòu)與分子動力學(xué)模擬后SspA的結(jié)構(gòu)更為接近，它們之間的SAXS數(shù)據(jù)的χ2偏差只有1.04埃，遠低于從SspA的晶體結(jié)構(gòu)推算出的SAXS數(shù)據(jù)之間的χ2偏差3.70埃。這從實驗上證實了前述的計算機分子動力學(xué)模擬和簡正模式分析的結(jié)果?；【鶶spA的活性位點半胱氨酸在催化過程中，活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動了5.5埃的距離（A）分子動力學(xué)模擬  （B）簡正模式分析  （C）小角X射線散射實驗數(shù)據(jù)與晶體結(jié)構(gòu)經(jīng)過分子動力學(xué)模擬后的結(jié)果和晶體結(jié)構(gòu)的比較  本研究通過X射線晶體結(jié)構(gòu)解析、分子動力學(xué)模擬、小角X射線散射等多種研究手段的結(jié)合，揭示了細菌DNA硫化修飾這一神奇現(xiàn)象中催化關(guān)鍵的第一步半胱氨酸底物脫硫反應(yīng)的酶的催化機理，解答了半胱氨酸脫硫酶家族是如何克服活性位點半胱氨酸與底物半胱氨酸之間很長的距離這一長期懸而未決的問題，使人們對于細菌DNA硫化修飾的認(rèn)識和理解又前進了一步。該研究獲國家自然科學(xué)基金（31872627、31670106）的支持。????

產(chǎn)品詳細介紹 硫化氫氣體檢測管 比長式氣體檢測管原理及使用方法原理CO、CO2、H2S、O2、SO2、NH3等檢測管的基本測定原理為線性比色法，即被測氣體通過檢定管與指示膠發(fā)生有色反應(yīng)，形成變色層（變色柱），變色層的長度與被測氣體的濃度成正比。2、主要技術(shù)參數(shù)（見附表）3、附件（每盒）①膠管一段；Φ3×5，長度20cm②小砂輪一片4、貯運條件本品應(yīng)避光保存于陰涼干燥處，嚴(yán)禁日光照射，保存溫度不超過40℃，玻璃制品，小心輕放。5、使用方法各種檢定管均可與氣體檢定管用圓筒型正壓式采樣器等配套使用。于測定現(xiàn)場用空氣沖洗采樣器后，取一定體積的現(xiàn)場空氣，把檢定管兩端切開，用短膠管將檢定管的下端（濃度標(biāo)尺有“0”的一端）連接在采樣器（檢定器）的出氣口上，按規(guī)定時間勻速通過檢定管，然后按檢定管變色柱（或變色環(huán)）上端指示的數(shù)字，直接讀取被測氣體的百分濃度。  各種氣體檢測管主要技術(shù)參數(shù)表