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一種大流量插裝式三位四通電液伺服閥及其控制方法
本發明公開了一種大流量插裝式三位四通電液伺服閥，包括控 制單元和四個插裝式二通伺服閥；控制單元的四個信號輸出口分別與 四個插裝式二通伺服閥的控制信號輸入口連接；控制單元的四個信號 輸入口分別與四個插裝式二通伺服閥的閥芯位移信號輸出口連接；四 個插裝式二通伺服閥兩兩串聯，一個閥的出油口與另一個閥的進油口 相連接，形成兩組串聯雙閥；兩組串聯雙閥的出油口均用于與油箱相 連接，兩組串聯雙閥的進油口均用于與液壓油源相連接；相當于兩組 串聯雙閥并聯，構成橋式回路，形成具有三位四通功能的大流量插裝 式電液伺服閥；
華中科技大學
2021-04-14
利用超低熱導率和對載流子濃度的調制效應在碲化鉛-硫化鉛贗二相中實現優異的熱電性能
在碲化鉛-硫化鉛的贗二相體系中，由于硫化鉛在碲化鉛中的固溶度有限，隨著硫化鉛組分含量的增加，會發生從納米析出到旋節分解等一系列的相分離過程，從而在材料中形成了包含原子尺度的點缺陷、納米尺度的相界面以及介觀的晶/相界面等的全尺度分層結構。該結構可以實現對全波譜聲子的有效散射，因而實現超低的晶格熱導率。在該工作中，何佳清課題組不僅在實驗上實現了對該全尺度分層結構的優化，而且利用球差透射電鏡技術對其微觀結構進行了深入而細致的表征，并進一步在理論上為分層結構的最 優化給予了有力的論證。此外，針對材料在高溫的電學性能的飽和效應，何佳清課題組做出了另辟蹊徑但又非常合理的解釋，認為被局限在晶界或者相界面的Na離 子在高溫(>600K)時發生向母體材料的擴散和重新固溶，從而引起針對載流子濃度的調制效應，有力的保證了PbTe-PbS贗二相在高溫區的整體熱電性能。 該工作是在何佳清課題組前期工作(Nature communications, 2014, 5, 4515)上的又一進步，再次驗證了碲化鉛-硫化鉛體系作為塊體熱電材料具有廣泛的應用前景。
南方科技大學
2021-04-13
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
低溫恒溫器4K/10K單級雙級GM脈沖管PT無液氦極低溫制冷機
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-06
蘇州大學機電工程學院孫立寧教授團隊研制磁液滴機器人相關成果發表在《Science Advances》期刊
近日，我校機電工程學院孫立寧教授、楊湛教授課題組，哈爾濱工業大學謝暉教授課題組以及德國馬克斯普朗克智能系統研究所的Metin Sitti教授課題組，聯合研制出能自由穿梭在極端變化環境中的尺度可調控磁液滴機器人SMFR。
蘇州大學
2022-10-12
南京大學余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅動納米線超高速生長集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規模化應用提供關鍵的材料支撐和全新的技術路線。
南京大學
2021-02-01