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高性能白光LED用氮化物基熒光粉的燃燒合成制備
本方法采用低成本的氮化燃燒合成工藝制備了可被藍光或紫外光芯片激發(fā)的高性能Eu 2+ 摻雜AlN基藍色熒光粉，以及Eu 2+ 摻雜的Sr 2 Si 5 N8和Ca 2 Si 5 N 8 紅色熒光粉。該方法無需高溫長時間加熱，工藝簡單、成本低、效率高、重復(fù)性好、對環(huán)境沒有污染，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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高性能氮化硼納米材料
納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領(lǐng)域。項目團隊開發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術(shù)，目前市場尚未實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術(shù)合成工藝簡單可控、成本低、過程綠色環(huán)保，處于國際領(lǐng)先地位。
1 產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體
圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌
吉林大學(xué)
2025-02-10
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球形亞微米二氧化硅粉體的低成本批量制備技術(shù)
超細球形/類球形二氧化硅粉體是一種現(xiàn)代工業(yè)的無機精細化學(xué)原料。該材料有嚴格的超微細粒度（一般為小于 1 微米的膠體顆 粒）要求，顆粒形貌必須為球形或類球形。以作為電子封裝材料的無機填料為例，要求其達到超微細粒級、放射性元素含量低、 純度高、顆粒形貌球形化。目前，制備超微細球形或類球形二氧化硅顆粒的方法主要包括火焰成球法、高溫熔融噴射法、溶膠凝 膠法及化學(xué)沉淀法等，工藝復(fù)雜、成本較高。該技術(shù)基于介質(zhì)攪拌磨中研磨介質(zhì)對顆粒表層的剪切剝離研磨及添加某種鹽溶液對 二氧化硅顆粒表面進行化學(xué)溶蝕的耦合作用，將化學(xué)溶蝕輔助超 細研磨應(yīng)用于類球形二氧化硅顆粒的制備中，得到顆粒更細、粒徑分布更窄、分散穩(wěn)定性良好的亞微米粒級類球形二氧化硅粉體。
華南理工大學(xué)
2023-05-08
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一種硼化鋯-碳化硅超細復(fù)合粉體及其制備方法
小試階段/nZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高溫、抗氧化燒蝕、抗沖刷、室溫及高溫力學(xué)性能良好等優(yōu)異性能，是超高溫應(yīng)用領(lǐng)域最具潛力的候選材料，有望用于高超聲速長時飛行、大氣層再入、跨大氣層飛行、火箭推進系統(tǒng)及熔煉電極、熔煉坩堝等極端熱化學(xué)環(huán)境中。現(xiàn)有的硼化鋯-碳化鋯超細復(fù)合粉體的制備技術(shù)存在以下不足：成本高、反應(yīng)溫度高、過程不易控制、工藝過程復(fù)雜、產(chǎn)率低、合成粉體的純度較低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和粉體顆粒容易團聚等，極大地限制了硼化鋯-碳化鋯超細復(fù)合粉體的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，目的
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測到近導(dǎo)帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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碳纖維增強碳化硅陶瓷基復(fù)合材料
碳纖維增強碳化硅陶瓷基復(fù)合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，比如摩擦制動材料、耐化學(xué)腐蝕葉片等。
東南大學(xué)
2025-02-08
碳化硅襯底晶片
碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應(yīng)用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車應(yīng)用：電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應(yīng)用：機載雷達通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等
青島嘉星晶電科技有限公司
2021-08-30
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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
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冶煉碳化硅的多芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法
碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來，課題組對以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國家發(fā)明專利授權(quán) 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術(shù)進步。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
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氮化碳光催化研究成果
項目成果/簡介:福州大學(xué)化學(xué)學(xué)院/能源與環(huán)境光催化國家重點實驗室創(chuàng)新團隊的研究論文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在國際頂級刊物《Nature Catalysis》在線發(fā)表。 氫氣由于其能量密度高，燃燒后生成水清潔無污染，是未來能源的理想載體。太陽能光催化分解水制氫氣被認為是獲取氫能源的理想途徑之一。開發(fā)高效廉價的光催化劑是光解水技術(shù)的核心。近年來，氮化碳光催化劑由于其制備工藝簡單，價格低廉，無毒無污染等優(yōu)點，受到了廣泛的關(guān)注。 該工作以具有高結(jié)晶度的氮化碳光催化劑polytriazine imides（PTI）單晶為模型，研究了其在光催化全解水反應(yīng)中的活性面。光催化全解水實驗表明，PTI的性能與其{10-10}/{0001}晶面的面積比呈近似線性關(guān)系，進一步證實了{10-10}晶面是光催化反應(yīng)的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化劑在全解水中的產(chǎn)氫與產(chǎn)氧速率分別達到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ單色光照下的量子效率達到了８％，高于之前報道的結(jié)果。該論文從分子尺度上研究了氮化碳光催化劑的反應(yīng)活性面，為高性能氮化碳光催化劑的發(fā)展提供了重要的研究基礎(chǔ)。
福州大學(xué)
2021-04-10