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阻燃隔熱二氧化硅納米管
成果創(chuàng)新點 該材料具有一系列優(yōu)點： 1.具有較低的導熱系數(shù)，阻燃；材料性質(zhì)穩(wěn)定，耐酸 堿、耐腐蝕，不老化；使用過程中不向環(huán)境揮發(fā)有害物質(zhì)； 2.與墻體主要物質(zhì)成分一樣，其物理化學性質(zhì)與墻體 接近，不會在使用過程中發(fā)生開裂、空鼓等現(xiàn)象； 3.合成方案在傳統(tǒng)制備白炭黑的基礎上就可完成，無 設備改造成本，且關鍵原料成本低廉易獲取； 4.可作為關鍵原料直接加入水泥中，構建保溫施工工
中國科學技術大學
2021-04-14
阻燃隔熱二氧化硅納米管
該材料具有一系列優(yōu)點： 1.具有較低的導熱系數(shù)，阻燃；材料性質(zhì)穩(wěn)定，耐酸堿、耐腐蝕，不老化；使用過程中不向環(huán)境揮發(fā)有害物質(zhì)；
2.與墻體主要物質(zhì)成分一樣，其物理化學性質(zhì)與墻 接近，不會在使用過程中發(fā)生開裂、空鼓等現(xiàn)象；
3.合成方案在傳統(tǒng)制備白炭黑的基礎上就可完成，無設備改造成本，且關鍵原料成本低廉易獲取；
4.可作為關鍵原料直接加入水泥中，構建保溫施工工藝簡單，施工成本不高；同時，不會影響施工人員的健康。
中國科學技術大學
2023-05-17
納米銀包裹二氧化硅納微米球?qū)щ姺勰┘捌渲苽浞椒ê蛻?/span>
本發(fā)明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球?qū)щ姺勰┘捌渲苽浞椒ê蛻谩２捎枚趸杓{微米球表面預處理法，通過―晶核-生長‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.
武漢大學
2021-04-14
高性能氮化硼納米材料
納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢，廣泛應用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領域。項目團隊開發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術，目前市場尚未實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術合成工藝簡單可控、成本低、過程綠色環(huán)保，處于國際領先地位。
1 產(chǎn)品的應用領域
圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體
圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌
吉林大學
2025-02-10
一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設有側(cè)面電極，在石墨烯層上設有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點表面等離子體增強發(fā)光，同時結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學
2021-04-13
球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法
本發(fā)明涉及半導體復合材料的制備，旨在提供一種球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法。包括：將質(zhì)量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中進行水熱反應，反應產(chǎn)物離心分離，并以去離子水和乙醇洗滌，烘干，即得到球狀微米二氧化錫；將球狀微米二氧化錫加入至AgNO3水溶液中，以銀材質(zhì)的陰極和陽極插入至混合物中進行電鍍；電鍍時，傾斜電鍍?nèi)萜鞑⑹蛊溲刂行妮S旋轉(zhuǎn)，讓混合物保持攪動狀態(tài)；混合物抽濾棄濾液，抽濾產(chǎn)物烘干，即得到最終產(chǎn)物。本發(fā)明采用電鍍技術提高球狀微米二氧化錫的功能性質(zhì)并且擴大其應用范圍；該復合材料中，微米、納米銀顆粒均勻地負載于球狀微米二氧化錫上，銀顆粒的粒徑可控，分散度高，能夠節(jié)約材料，可應用于電接觸材料領域。
浙江大學
2021-04-13
納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法
本發(fā)明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應爐中，并通入還原氣體作為反應和保護氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡單等特點，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
四川大學
2021-04-11
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納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管
研發(fā)階段/n內(nèi)容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管涉及一種新型功率半導體器件制造技術。結(jié)合微電子技術工藝，構造用納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管。它具有高速、耐苛刻環(huán)境、低導通電阻等一系列特點，廣泛用于數(shù)字電子技術等領域。本產(chǎn)品獲得一項專利，專利號：200510018701.9。
湖北工業(yè)大學
2021-01-12
填充納米/微米銀線的導電樹脂
目前，導電樹脂是一種有著較大應用前景的功能化復合材料，既可以 用作防靜電、電磁屏蔽等功能化涂料，也可以作為導電粘結(jié)材料(導 電膠)用在微電子封裝領域。其包括兩個主要成分:一是作為基體的 樹脂;二是提供導電功能的填充材料。導電填料常見的是適用于不同 用途的炭粉和金屬粉末材料，性能較佳的導電樹脂通常為填充銀粉的 高分子樹脂，該類產(chǎn)品市場上已有多種產(chǎn)品出售，如 Alfa Aesar 公司 的銀導電樹脂產(chǎn)品、上海合成樹脂研究所的 DAD 系列產(chǎn)品等。然而， 填充顆粒狀
復旦大學
2021-01-12
氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測到近導帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導帶界面態(tài)主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學院大學
2021-01-12