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產品詳細介紹

產品詳細介紹可根據用戶要求生產窄帶微波復合吸收體，其中三公分，五公分，十公分頻段最佳厚度分別為：1.8mm，2.0mm，3.0mm。廣泛用于微波技術、雷達、導航、航天技術、電子對抗中作吸收屏蔽、消振、“隱身”抗干擾等用途。

成果與項目的背景及主要用途：該項目是天津市科技發展計劃項目，2005 年 8 月 2 日通過了科委組織的專家驗收。 項目組采用自頂向下的設計方法，完成了 CMOS 圖像傳感器 1024×768 像素 陣列的版圖設計，通過了仿真驗證，結果達到了設計要求。在 Chartered 公司 0.35um 工藝線上成功試制了關鍵模塊和小規模完整的 CMOS 圖像傳感器樣片。 樣片工作正常，能夠正確的拍攝運動物體，各項指標均滿足設計要求。 背景：CMOS 圖像傳感器是當前已廣泛用于民用、工業、科技和國防領域的 各類圖像攝取系統，近年來民用電子產品領域發展迅猛，如照相手機、PC 機、 像機等。 該成果主要用于圖像攝取系統的核心部件—CMOS 圖像傳感器設計中。 技術原理與工藝流程簡介：CMOS 圖像傳感器利用成熟的 CMOS 工藝制作光 敏像素單元，因此可以把光電接收器和信號處理電路集成在單個芯片上。主要設 計內容包括：像素陣列、消噪放大電路、模數轉換器、時序控制電路和測試系統 設計。 采用自頂向下的設計方法，首先根據功能要求對系統進行架構設計，將系統 分為時序控制電路部分（數字電路實現）和從像素陣列到 AD 轉換的信號處理部 分（模擬電路實現）。版圖設計完成后，導出 GDSII 文件，在新加坡 Chartered 公 司 0.35um 工藝線進行流片，然后進行封裝。根據芯片工作對外界的要求設計 PCB 電路板，搭建測試系統，對芯片功能和各項電學指標進行測試分析。 技術水平及專利與獲獎情況：技術水平屬國內先進。 應用前景分析及效益預測：該項目取得了 CMOS 圖像傳感器的核心設計技 術，可用于各種CMOS圖像傳感器設計中，中國CMOS圖像傳感器市場需求龐大， 年復合成長率達到 60%，因此有著廣闊的應用前景。 目前國外同類產品的銷售價格遠遠高于芯片的開發成本，因此存在很大的利 潤空間，將產生很好的經濟效益。，功能上可完全兼容、并替代進，通過合作根 據市場需求，隨時調整產品種類和指標，使經濟效益最大化。 應用領域：CMOS 圖像傳感器廣泛應用于消費類、工業和科技等各個領域。 民用領域：拍照手機、數碼相機、可視門鏡、攝像機、汽車防盜等；工業領域： 生產監控、安全監控等。 4 嵌入式實時人眼視線追蹤系統 5 智能視頻監控 6 立體影像處理 7 超高頻讀寫器芯片（有資料） 8 基于多傳感器的 AR 場景定位 

本實用新型提供了一種具有翻轉芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調節與支撐機構、翻轉驅動機構、芯片吸取機構，Z 向高度調節與支撐機構將芯片吸取機構移動到適宜高度，翻轉驅動機構驅動芯片吸取機構旋轉，芯片吸取機構包括直線導向運動部件和芯片吸取元件，直線導向運動部件內設有直線軸承和彈簧，直線導向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉驅動機構的作用下旋轉到達芯片供給位置。本實用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

        技術成熟度：技術突破         研發團隊以設計制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設計與制備方面取得了突破性進展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質結合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應用轉化。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

我們提出的一種基于深度學習的QRS波檢測方法，不需要心電信號預處理、波形特征提取等操作，耗時較短，抗干擾能力強，可以快速準確檢測出QRS波，特別適用于長時程動態心電圖檢測。在MIT-BIH心律失常數據集和壓力測試數據集中測試顯示F1值分別達到0.9995和0.9892，超越目前所有已公開文獻報道的數據。