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一種三角波激勵磁場下的磁納米溫度測量方法
本發明公開了一種三角波激勵磁場下的磁納米溫度測量方法，屬于納米測試技術領域。該方法具體為：（1）將磁納米樣品放置于待測對象處；（2）在磁納米樣品所在區域施加三角波激勵磁場；（3）檢測三角波激勵磁場-時間曲線和磁納米粒子樣品的磁化強度-時間曲線；（4）依據三角波激勵磁場曲線和磁化強度曲線得到磁納米粒子磁化曲線即激勵磁場-磁化強度曲線，對該曲線采樣獲得激勵磁場 Hi 下磁納米粒子樣品的磁化強度 Mi；（5）以激勵磁場 H
華中科技大學
2021-04-14
一種直流輸電系統換流站雷電侵入波采樣裝置及采樣方法
本發明公開了一種直流輸電系統換流站雷電侵入波采樣裝置及 采樣方法，所述裝置包括金屬圓盤、金屬支柱和采樣電阻；所述金屬 圓盤水平置于換流站直流母線正下方，通過金屬支柱支撐；所述金屬 支柱一端與金屬圓盤中心相連，另一端接地；所述采樣電阻設置于金 屬支柱中間段；所述雷電侵入波采樣方法采用本發明裝置，當雷電侵 入換流站時，獲取采樣電阻兩端電壓，根據雜散電容與采樣電阻兩端電壓獲取換流站母線雷電侵入波分量。采用本發明提供的裝置以及方 法能夠實現對換流站雷電侵入波的在線監測，對換流站設備影響小、 結構簡單、體積小
華中科技大學
2021-04-14
一種基于激光沖擊波力學效應的無閥微泵及其制造方法
本發明公開了一種基于激光沖擊波力學效應的無閥微泵，該微泵包括泵體、流體入口、流體出口和犧牲層元件，其中泵體包括泵膜、泵腔以及擴張管和收縮管，所述擴張管和收縮管分別呈錐形管結構，所述犧牲層元件設置在泵腔上部泵膜處并由對激光輻射敏感的材料制成。當犧牲層表面受到激光輻射時，其吸收激光能量并瞬間氣化，發生膨脹并產生等離子體爆炸氣團以對泵膜起到沖擊波的作用，相應使得泵腔體積交替改變由此執行流體的輸送操作。本發明還公開了相應的制造方法。通過本發明，能夠通過對微泵結構上的設計，有效利用激光沖擊波力學效應來實現泵送
華中科技大學
2021-04-14
一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發明涉及一種微流控芯片制作技術，主要用于高分子聚合物材質微流控芯片制作，其特征在于利用 CNC 雕刻機直接加工微流控設備， 即利用數控軟件進行微流控芯片的通道設計，得到相應的雕刻路徑， 編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導入控制 CNC 雕刻機的軟件中，對要進行制作的高分子聚合物材料進行制作；圖案制作結束后，根據不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設備。 技術特點：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產，并能靈活的調節芯片 微通道深度，有利于實現微流控
蘭州大學
2021-01-12
二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11
基于卷積神經網絡的可重構類腦計算芯片及支撐系統研發
研發階段/n主要研究支持神經網絡芯片的設計自動化工具及FPGA驗證系統，設計自動化工 具本身針對ASIC和FPGA都適用。 項目主要研究：（1）研究基于模型層的設計空間探索方法;（2）研究可重構 神經網絡硬件單元抽象和歸約方法；（3）開發面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經網絡芯片系統，突破神經網絡芯片設計小型化遇到的關鍵難題。本項目提出的自 動綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經網絡拓撲，支持Caffe配置文件prototex 拓撲描述語言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個數量級，能效比
中國科學院大學
2021-01-12
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調偏差值，然后在執行粗調的同時，實現 X/Y 直線軸的閉環跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉軸的當前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉軸執行角度閉環控制的同時，實現另外兩直線軸的位置閉環跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調偏差值，然后在執行精調的同時，實現X/Y 直線軸的閉環跟隨控制。通過本發明，可使得芯片
華中科技大學
2021-04-14
一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片
本發明公開了一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片，包括：陶瓷外殼、金屬支撐與散熱板、驅控與預處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡，驅控與預處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡同軸順序設置于陶瓷外殼內，陶瓷外殼后部設置于金屬支撐與散熱板頂部，驅控與預處理模塊設置于陶瓷外殼后部與金屬支撐與散熱板連接處，面陣非制冷紅外探測器設置于驅控與預處理模塊頂部，面陣紅外折射微透鏡設置于面
華中科技大學
2021-04-14
一種用于光纖與芯片間光信號傳輸的水平耦合器
本發明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸的水平耦合器 件，包括第一采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發明實現了將光纖中一 階線偏振模式轉化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模
華中科技大學
2021-04-14
一種基于石墨烯電極的電控液晶光發散微透鏡陣列芯片
本發明公開了一種基于納米石墨烯電極的電控液晶光發散微透鏡陣列芯片，包括驅控信號輸入端口、以及石墨烯液晶散光微透鏡陣列，石墨烯液晶散光微透鏡陣列為 m×n 元，石墨烯液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結構，且下上層之間順次設置有第一基片、圖案化石墨烯電極、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、石墨烯電極、第二基片，圖案化石墨烯電極和石墨烯電極分別制作在第一基片和第二基片上，圖案化石墨烯電極是由 m×n 個以微圓環隔離并以
華中科技大學
2021-04-14