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旋轉式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法
本發明公開了一種旋轉式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法，該裝置包括厭氧池（2）、氧化溝池（3）、沉淀池（4）；在厭氧池（2）內部設置有第一攪拌器（9）；在氧化溝池（3）的兩端分別設置有第二攪拌器（10）和第三攪拌器（11）；氧化溝池（3）劃分為好氧區和缺氧區,在好氧區內設置有微孔曝氣器（13）,在好氧區起始端和缺氧區起始端分別設置有旋轉式循環比調控設備（12），本發明的優點是：不改變其它運行參數，不使用化學藥劑，僅通過調節循環比可以顯著提高氧化溝的除污效果，并且可以使脫氮除磷同時達到較高去除率。與實
天津城建大學
2021-01-12
卷閘式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法
本發明公開了一種卷閘式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法，該裝置包括厭氧池(2)、氧化溝池(3)和沉淀池(4)，在厭氧池(2)內部設置有攪拌器(9)；氧化溝池(3)劃分為好氧區和缺氧區，在好氧區起始端和缺氧區起始端分別設置有卷閘式循環比調控設備（12），在好氧區內設置有高速轉刷（11），在缺氧區內設置有低速轉刷（10），本發明的優點是：不改變其它運行參數，不使用化學藥劑，僅通過調節循環比可以顯著提高氧化溝的除污效果，并且可以使脫氮除磷同時達到較高去除率。與實現相同處理效果的其它活性污泥工藝相比，可節省
天津城建大學
2021-01-12
卷閘式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法
本發明公開了一種卷閘式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法，該裝置包括厭氧池(2)、氧化溝池(3)和沉淀池(4)，在厭氧池(2)內部設置有攪拌器(9)；氧化溝池(3)劃分為好氧區和缺氧區，在好氧區起始端和缺氧區起始端分別設置有卷閘式循環比調控設備（12），在好氧區內設置有高速轉刷（11），在缺氧區內設置有低速轉刷（10），本發明的優點是：不改變其它運行參數，不使用化學藥劑，僅通過調節循環比可以顯著提高氧化溝的除污效果，并且可以使脫氮除磷同時達到較高去除率。與實現相同處理效果的其它活性污泥工藝相比，可節省
天津城建大學
2021-01-12
高比能量富鋰錳基層狀氧化物正極材料
北京工業大學
2021-04-14
尖晶石型錳系高比能鋰電池正極材料
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、成果簡介
本項目開發出兩類高性能尖晶石型錳系鋰電池正極材料，包括多孔結構LiMn2O4材料和微納結構 LiNi0.5Mn1.5O4材料。對于LiMn2O4材料，利用“乳液沉淀-固相鋰化”制備路徑，獲得了高純度富鋰尖晶石相，產物具有一維多孔結構，產物尺寸可在納米、亞微米和微米尺度范圍內調節，優化的產品具有非常好的高倍率性能和長周期循環性能。對于LiNi0.5Mn1.5O4材料，利用“碳酸鹽一步共沉淀法”和“表面活性劑輔助草酸鹽共沉淀法”兩種制備技術路線，獲得的產品眾多優點。
項目特色和創新之處：開發了“乳液沉淀-固相鋰化”、“碳酸鹽一步共沉淀法”和“表面活性劑輔助草酸鹽共沉淀法”三條技術路線，用于多孔結構LiMn2O4電極材料和微納結構LiNi0.5Mn1.5O4的制備，制備方法工藝簡單、易于實施，有利于推廣應用，制備的產品具有晶相純度高、形貌規整、粒徑可調、振實密度大、高電壓區間容量高、比容量高、倍率性能好、長周期循環性能突出等特點。
社會貢獻和經濟效益：使尖晶石型新型錳系鋰電池正極材料形成自主知識產權，促進成果轉化和產業化，提升電池行業的研發水平和產業鏈結構優化，帶動鋰電池等新興能源產業發展。
南開大學
2022-07-29
深圳市艾比森光電股份有限公司
目前，艾比森集團包含艾比森德國、日本、俄羅斯、巴西、迪拜、艾比森會務等13家海內外公司，旗下有2000多名員工。擁有國際領先的自動化生產設備和現代化的實驗室、專業的管理、研發、生產及完善的銷售和服務團隊，為產品品質，規?；?、標準化生產及快速交貨提供了有力保障。
艾比森集團（股票代碼:300389）始創于2001年，是全球領先的至真LED顯示應用與服務提供商。產品遠銷美洲、歐洲、澳洲、亞洲、非洲等130多個國家和地區，優秀產品案例包括總統新聞發布會、進博會、世界杯、NBA球賽、紐約時代廣場等，目前已成功實施了50000多個應用實例，廣泛應用于廣告顯示 （標準廣告牌、戶外大屏、交通樞紐、街景廣告、數字標牌、體育等）、舞臺顯示 （企業活動、公共活動、演藝活動、電視廣播等）、商業顯示（品牌連鎖、商業綜合體、主題公園、展覽展示、教堂、游輪、賭場等）、數據可視化（控制室、廣電演播室等）、會議屏（政府及企事業、教育、金融、酒店等），顯示屏產品出口額連續12年穩居行業第一。
艾比森人堅守“誠信、感恩、負責任”的核心價值觀，秉承“謙卑、忠誠、創新、協作、擔當、積極主動、堅韌不拔”的企業精神，始終精誠團結、追求卓越，為客戶提供優質產品和專業服務。艾比森堅信質量是產品的靈魂，嚴守產品選材的每一項標準、生產的每一道工藝、服務的每一個細節，為客戶創造最大價值。
深圳市艾比森光電股份有限公司
2021-12-07
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置 腐蝕穩壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配 合實現對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優點， 并通過對腐蝕電
華中科技大學
2021-01-12
光載邊比自適應的光纖無線單邊帶調制系統
光載邊比自適應的光纖無線單邊帶調制系統，涉及到光纖通信、長周期光纖光柵、微波光子技術領域，該系統包括：連續波激光器（1）、雙電極馬赫增德爾調制器（2）、正弦波本地振蕩器（3）、90度功分器（4）、偏置穩壓源（5）、動態偏振控制器（6）、偏振分束器（7）、第一長周期光纖光柵（81）、第二長周期光纖光柵（82）、偏振合束器（9）、Y分器（10）、光纖（11）、第一光檢測器（121）、光交織器（13）、第二光檢測器（122）、第三光檢測器（123）、電流比較器（14）。以上各器件依次相連。該發明可以使得單邊帶調制信號的光載邊比自適應系統參數的變化，始終保持在0dB，維持系統性能在最優狀態。
青島農業大學
2021-04-13
一種高精度高電源抑制比的帶隙基準源
本發明公開了一種高精度高電源抑制比的帶隙基準源，包括啟 動電路和基準電壓產生模塊；基準電壓產生模塊包括電源抑制比增強 電路、基準電壓產生電路和溫度補償電路；電源抑制比增強電路的第 一輸入端連接至啟動電路的第一輸出端，基準電壓產生電路的第一輸 入端連接至啟動電路的第二輸出端，基準電壓產生電路的第二輸入端 連接至電源抑制比增強電路的第一輸出端；溫度補償電路的第一輸入 端連接至啟動電路的第二輸出端，溫度補償電路的第二輸入端
華中科技大學
2021-04-14
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置腐蝕穩壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配合實現對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重要參數的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回收、成本低的納米探針。本發明還提供一種可控大長徑比納米探針的制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優點，并通過對腐蝕電壓、探針浸沒深度
華中科技大學
2021-04-14