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大功率半導體激光器外延與芯片制備
成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、
北京工業大學
2021-04-14
一種雙波長可調諧半導體激光器
本發明公開了一種雙波長可調諧半導體激光器，該激光器包括 有源區、相位區和光柵區；從下往上依次附著有第一緩沖層、有源層 和第一覆蓋層，第一緩沖層、有源層和第一覆蓋層構成了有源區；從 下往上依次附著有第二緩沖層、波導層和第二覆蓋層，第二緩沖層、 波導層和第二覆蓋層構成了相位區；從下往上依次附著有第三緩沖層、 光柵層和第三覆蓋層，第三緩沖層、光柵層和第三覆蓋層構成了相位 區；在第一覆蓋層的上表面設有第一電極，在第二覆蓋層的
華中科技大學
2021-04-14
一種并聯型的發電機出口斷路器
本發明公開了一種并聯型的發電機出口斷路器，包括載流回路 以及與載流回路并聯連接的開斷回路；當發生短路故障時，載流回路 快速動作形成燃弧斷口，利用斷口電弧電壓將故障電流轉移至開斷回 路，并由開斷回路直接開斷故障電流或快速限流后實現故障電流的開 斷。本發明中載流回路包括具有數十微歐導通阻抗的負荷開關單元， 能保證 90％以上系統額定電流通過該單元，減少額定工況下 GCB 裝 置上的熱損耗；同時，載流回路具有快速動作能力，一般可選取在故 障發生后 2 個工頻周波內分斷至滿開距；載流回路可以保證觸頭打開 后
華中科技大學
2021-04-14
一種基于微環諧振器的時域隱身裝置
本發明公開了一種基于微環諧振器的時域隱身裝置，包括依次 連接的光頻率梳發生器、微環諧振器、單模光纖、馬赫曾德爾調制器 和色散補償光纖，與微環諧振器連接的任意波形發生器以及與馬赫曾 德爾調制器連接的碼流發生器；馬赫增德爾調制器利用調制電信號對 形成了時間缺口的光信號進行調制并輸出已調光信號，已調光信號經 過所述色散補償光纖縫合時間缺口并恢復光信號，在時域上實現了對 信號的隱身。本發明采用的微環諧振器相較于時間分割棱鏡來
華中科技大學
2021-04-14
一種基于自適應陷波器的電流諧波補償系統
本發明公開了一種基于自適應陷波器的電流諧波補償方法及系統，所述方法包括：（1）根據轉速信號θ和指定的諧波次數 n，生成與指定諧波同頻的正弦信號 sin(n?θ)和余弦信號 cos(n?θ)；（2）根據最小均方誤差算法調整正弦信號的權值ω<sub>1,k</sub>和余弦信號的權值ω<sub>2,k</sub>，使得輸入電流分量與正弦信號 sin(n?θ)和余弦信號 cos(n?θ)的加權和ε的差值具有最小均方誤差；（3）從輸入電流分量減去正弦信號 si
華中科技大學
2021-04-14
一種基于微位移測量的電流傳感器
本發明公開了一種基于微位移測量的電流傳感器及其制作方法， 包括磁致伸縮反射面和光纖。其中制作方法包括以下步驟：選取長方 形的金屬玻璃(metglass)并進行清洗；在 metglass 上、下表面各濺射一 層一定厚度的磁致伸縮薄膜；在 metglass 下表面濺射一層一定厚度的 高反膜；在 metglass 下表面兩端用環氧樹脂各粘貼一個非磁性金屬塊； 在兩個非磁性金屬塊的另一端用環氧樹脂粘貼一塊正中帶有通孔的非 磁性金屬板；將光纖通過一個非磁性金屬管，再將它們通過非磁性金 屬板的孔，使光纖端面與高
華中科技大學
2021-04-14
一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器
本發明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器。該探測器是 模擬光子通信系統和微波光子系統中的硅基關鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個并聯鍺層結構和電感。多個并聯的鍺層結構的多個 鍺層尺寸是可以不同的，以實現對寄生電阻的調控，在提高器件飽和 功率的同時保持了寄生參數不至顯著增加。同時，通過引入片上和片 外電感，實現對器件寄生電感的調控，抬升器件高頻處頻率響應，提 升器件工作帶寬。本發明提出的光電探測器采用集總電極結構
華中科技大學
2021-04-14
基于瀏覽器的業務系統開發支持平臺WebBOS
基于瀏覽器的業務系統開發支持平臺WebBOS? WebBOS是南京大學地理信息系統與遙感實驗室研發的基于B/S體系結構的業務系統開發支持平臺，集成了Web-Workflow子系統、Web-GIS子系統、Web報表分析子系統、Web多媒體子系統以及辦公自動化子系統的功能。 WebB
南京大學
2021-04-14
一種具有非極性吸收層的紫外探測器
本發明公開了一種具有非極性吸收層的紫外探測器，包括：自下而上依次設置的襯底、ＡｌＮ中間層、非摻雜ＡｌＧａＮ緩沖層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、非極性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分離層、非摻雜ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增層、ｐ型ＡｌＧａＮ層，在ｐ型ＡｌＧａＮ層上設置的ｐ型歐姆電極，在ｎ型ＡｌＧａＮ層上設置的ｎ型歐姆電極，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本
東南大學
2021-04-14
一種直流降壓變換器復合電流約束控制方法
本發明公開了一種直流降壓變換器的復合電流約束控制方法，包括步驟：分別以直流降壓變換器的電容電壓、電感電流為狀態量，建立直流降壓變換器標稱系統的狀態空間平均模型；建立基準電流約束控制器；根據直流降壓變換器系統的參數攝動、輸入電壓波動及負載突變擾動，建立直流降壓變換器受擾狀態平均模型；構造廣義比例積分觀測器，并獲得時變擾動估計值；引入所述基準電流約束控制
東南大學
2021-04-14