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關于自旋超流基態的研究
研究小組首先利用激光分子束外延技術生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數據顯示在低溫下自旋輸信號出現飽和現象，對應著自旋導的飽和，也就是零自旋阻效應；即自旋超流基態的最重要基本性質之一（圖B）。在此基礎上，該研究小組又系統研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現象，證明了自旋在該自旋超流基態可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致（圖C）。該工作是是自旋超導態領域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導態的快速發展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結等，奠定了實驗基礎。圖：自旋超流基態的重要實驗證據。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現飽和現象，反映出自旋超流基態的零自旋阻效應。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致。
北京大學
2021-04-11
新型高效潛水推流曝氣機
該裝置工作原理不同于已有產品，具有推流和曝氣雙重作用，利用葉輪的高速旋轉，在葉輪前端形成一定負壓吸入空氣，形成汽水混合物后在葉輪的強大推力下噴出，采用旋轉蝸殼噴水裝置，渦殼在水流反作用力下可以做 360 度旋轉，極大地提高曝氣面積。該裝置的特點是：使用獨特的高效無堵塞推流曝氣葉輪，提高了效率；采用水力自旋轉蝸殼噴水裝置，提高了服務面積；結構緊湊，安裝維護方便。
揚州大學
2021-04-14
挑流-射流聯合消能系統
挑流-射流聯合消能系統利用下泄的高速水流沖擊溢流堰上葉輪轉動，通過變速器加速發電機旋轉發電，為置于水墊塘中的增壓泵供電，增壓泵的矩形出水口向上噴射出的面狀水流與溢流壩面挑射后下泄的面狀水流在空中碰撞消能，沖擊葉輪過程進行底坎消能，在完成底坎消能和對沖消能后，余能將在水墊塘得到進一下的消減。
安徽理工大學
2021-04-13
背靠背結構電壓型變流裝置的雙脈沖寬度調制控制器
一種背靠背結構電壓型變流裝置的雙脈沖寬度調制控制器,其特點是:它包括由兩套結構相同的數字信號處理器電路,現場可編程門陣列電路,同步單元電路,模數A/D轉換調理電路,過壓,過流調理電路,串口通信電路,故障,狀態指示電路和控制電源電路組成.數字信號處理器電路的數字信號處理器DSP用來模數轉換,上層控制算法,底層控制中脈沖寬度調制脈沖生成及串口通信控制;數字信號處理器電路與現場可編程門陣列電路兩個輸入輸出I/O口相連接,用來數字信號處理器電路和現場可編程門陣列電路之間工作狀態通信;具有通用性強,硬件電路無需更改的前提下,只須通過編程即可適應于不同的應用場合;具有控制精度高,電路結構簡單,集成度高等優點.
東北電力大學
2021-04-30
微流控數字液滴中央處理器芯片及平臺系統的研制
程鑫課題組主攻微納加工技術，包括超高精度（亞5納米）表面圖形化技術、適用于產業化的大面積低成本納米加工技術、微納3D打印技術等。課題組同時開發微納加工在半導體器件、納米光學、生物醫學工程等多個領域中的應用。近年來，課題組在微流控芯片領域開展了大量創新性研究工作，并取得了一系列成果。 DNA/RNA測序前文庫構建和蛋白質的結構大規模質譜檢測等基因組學和蛋白質組學研究中的關鍵技術都涉及到稀
南方科技大學
2021-04-14
一種兩級可調的水蒸汽等離子體旋流燃燒器
本發明公開了一種兩級可調的水蒸汽等離子體旋流燃燒器，包括第一級等離子體點火裝置、第二級等離子體調節器和水蒸汽供氣系統。第一級等離子體點火裝置包括一次風管道、內燃燒室、濃淡分離器、旋流發生器、第一級水蒸汽進氣管道、中心風管道和第一級等離子體發生器；第二級等離子體調節裝置包括第二級水蒸汽進氣管道、第二級等離子體發生器、內二次風進氣管道和外二次風進氣管道。本發明通過兩級水蒸汽等離子體發生器解決燃燒難以穩定和NOx污染物排放高的問題。特別適用于貧煤、無煙煤等難以著火點燃、NOx 生成量高的煤種，具有低氮穩燃的效果。
華中科技大學
2021-04-13
“雙一流”建設與教育學一流學科建設高端論壇召開
為加快推進“雙一流”建設，落實立德樹人根本任務，培養一流人才，服務國家戰略需求，4月9日，“‘雙一流’建設與教育學一流學科建設高端論壇”以線上線下相結合的方式在廈門召開。
中國高等教育學會
2022-04-11
半導體設備超潔凈流控系統及其受制約流控零部件
浙江大學聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
如何通過超潔凈流控技術降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰，直接關乎整機產品的產線應用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產業面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統之一的超潔凈流控系統，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術，完成了超潔凈流控系統九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設備掃描速度與產能的提高提供基礎理論與方法依據，同時自主研發的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現了產品化，突破了國外技術的封鎖，為我國半導體制造的發展與自主創新提供了基礎支撐。
浙江大學
2022-07-22
一種鉑銅凹形合金納米晶的制備方法及其制備的鉑銅凹形合金納米晶
本發明公開了一種鉑銅凹形合金納米晶的制備方法。將油溶性的鉑源和銅源溶于油胺中得第一溶液；將十六烷基三甲基溴化銨和三正辛基氧膦溶解于油胺中得第二溶液；將第二溶液攪拌的同時加熱至160-200℃，用移液槍將第一溶液注入上述第二溶液中，160-200℃下反應2-24小時；將得到的產物離心分離，即得鉑銅凹形合金納米晶。本發明所用試劑較為簡單，無毒無害，制備方法簡單，較易實現，具有較重要的學術和現實意義。本發明還公開了所述制備方法制備的鉑銅凹形合金納米晶，大小均一，分散性好，成分可調。
浙江大學
2021-04-11
高長徑比硼酸鎂晶須制備技術
硼酸鎂晶須在增強增韌復合材料中有廣泛應用，可作塑料、金屬、陶瓷、橡膠等的復合增 強材料，可提高復合材料的抗沖擊強度、彈性模量、硬度和壓伸強度等機械性能。主要應用于 金屬基復合材料、塑料、橡膠、摩擦材料等領域。硼酸鎂晶須的制備方法有助熔劑法、前軀體 法、溶膠-凝膠法、水熱合成法、化學氣象沉淀法和微波固相合成法等。本技術發明了球團法 直接一步制備高長徑比晶須，生產流程短、產品性能高。 該技術采用水氯鎂石、硫酸鎂等大宗工業固體廢棄物為原料，采用球團法一步制備高長徑 比硼酸鎂晶須，晶須長度可以達到600μm，最大長徑比達到200。該技術流程短、成本低、產 品性能高。
華東理工大學
2021-04-11