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高等教育領域數字化綜合服務平臺
關于同意揚州高新技術產業開發區等74家高新區“企業創新積分制”實施方案的通知
科技部火炬中心根據部黨組工作部署，積極推廣“企業創新積分制”，建立基于企業創新能力量化評價、精準支持企業創新的新型政策工具，切實引導各類創新要素向科技企業集聚。
科技部火炬中心
2023-02-07
清華大學集成電路學院錢鶴、吳華強團隊提出基于旋轉神經元的新型儲備池計算硬件架構
隨著摩爾定律的放緩，基于硅晶體管和馮諾依曼架構的傳統計算硬件系統在人工智能時代面臨嚴峻的性能瓶頸。受大腦啟發，基于新原理器件的類腦計算致力于充分挖掘電子器件自身的物理屬性作為計算資源，從而在硬件層面高效實現各種人工神經網絡。
清華大學
2022-04-08
云南省財政廳 云南省科學技術廳關于印發《云南省科技揭榜制項目和資金管理辦法》的通知
為突破制約云南省重點產業發展的關鍵核心技術，創新財政科技投入機制，支持我省企業實施科技揭榜制項目，加快推動重大科技成果轉化，更好地服務保障云南高質量跨越式發展。根據《云南省財政科研項目和經費管理改革20條措施》等有關規定，省財政廳、省科技廳制定了《云南省科技揭榜制項目和資金管理辦法》。
資源配置與管理處
2023-08-03
云南省財政廳 云南省科技廳關于征求《云南省科技揭榜制項目資金管理辦法（征求意見稿）》意見的通知
為突破制約云南省重點產業發展的關鍵核心技術，創新財政科技投入機制，支持我省企業實施科技揭榜制項目，加快推動重大科技成果轉化，更好地服務保障云南高質量跨越式發展，根據《云南省財政科研項目和經費管理改革20條措施》規定要求，制定本辦法。
云南省科學技術廳
2023-03-01
中國海洋大學集成電路多功能實驗基礎平臺、電子學院教學終端等設備采購項目公開招標公告
中國海洋大學集成電路多功能實驗基礎平臺、電子學院教學終端等設備采購項目招標項目的潛在投標人應在青島市市北區敦化路138號甲西王大廈24樓23A01室或者郵件報名獲取招標文件，并于2022年06月23日14點00分（北京時間）前遞交投標文件。
中國海洋大學
2022-06-01
【子民好好說】在第二屆科創中國·高等學校技術交易大會-集成電路產業分論壇上的致辭
集成電路產業是信息化時代的基礎，是國家戰略性新興產業的重要組成部分。近年來，重慶市高度重視集成電路產業的發展，頒布實施了多項行動方案促進集成電路的發展，并在全國率先建立了以政府為主導、企業為主體、市場為導向、多元化投資參與的集成電路產業發展機制。
云上高博會
2023-04-11
【成電重研院】第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶舉辦
4月9日，以“芯”成果·新生態|集成電路產業發展現狀及趨勢”為主題的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶召開。論壇由中國科協和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會、中國科協科學技術創新部、重慶市教育委員會、重慶市科技局、中國科學技術出版社共同主辦，電子科技大學承辦，電子科技大學重慶微電子產業技術研究院、成都市電子學會協辦。
云上高博會
2023-04-11
南京大學現代工學院徐飛、郝玉峰教授成功制成透明探測模塊串行集成--超薄的光纖偏振態分析儀
南京大學現代工學院徐飛教授、郝玉峰教授、陳燁副研究員、陸延青教授團隊和物理學院詹鵬教授，聯合中國科技大學石孟竹博士、陳仙輝院士團隊、廈門大學陳錦輝副教授和日本國家材料科學研究所Kenji Watanabe博士和Takashi Taniguchi博士團隊，將三個由二維材料組成的透明光電功能單元串行集成，成功地在人頭發絲般粗細的光纖的端面制作出了一個大小約為人類頭發橫截面的 1/100，厚度為100 nm級的光偏振傳感器，能夠實現快速、準確、高效地檢測光的多種偏振態。
南京大學
2022-06-14
四川省科技廳關于面向社會公開征求《四川省科學技術獎提名制實施辦法（征求意見稿）》意見的公告
規范科技獎勵提名程序，強化主體責任，建立由專家學者、組織機構、機關部門等提名的多渠道提名制度。
四川省科技廳
2022-04-27
南京大學余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅動納米線超高速生長集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規模化應用提供關鍵的材料支撐和全新的技術路線。
南京大學
2021-02-01