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        技術成熟度：技術突破         研發團隊以設計制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設計與制備方面取得了突破性進展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質結合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應用轉化。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

本發明公開了一種 H 型氣浮運動平臺的仿真方法，首先建立 H 型氣浮運動平臺的多剛體模型，包括 X1 向電機、X2 向電機、直梁以 及滑塊，并設置所述多剛體模型的參數，然后根據多剛體模型中的參 數，建立直梁和滑塊的有限元模型，對直梁和滑塊子系統進行仿真分 析，找出滿足系統設計要求的 X 向電機驅動力 F、直梁和滑塊相對位 移 P 的組合參數范圍，最后利用該分析結果，對多剛體模型中的參數 進行調整。通過本發明，消除了直梁變形而對系統定位造成的影響， 從而使得 H 型氣浮運動平臺的仿真分析的精確度提高。

系統核心技術擁有自主知識產權的新技術發明專利。采用“以油克油”的辦法，通過向水中投加液態油類物質，使礬花整體密度減小，通過特殊裝置調節礬花上浮速度并集中收集；上浮油渣經收集、（清洗）處理后，油、瀝青質及膠質進入了油相，剩下的無機沉降物就非常少了，極大地減少了污泥量。 污水加入特殊的混絮凝藥劑后，形成礬花，將水凈化；又通過投加的自浮藥劑，使所產生的礬花全部上浮，并通過特殊裝置收集；收集到的浮渣經清洗后，所留殘液再利用藥劑還原，還原為混絮凝藥劑，再次投加到來水中，處理污水。因為藥劑的循環使用，使污泥全部消化，做到零（微）污泥處理。本產品適用于化工廢水處理，特別適合油田污水（包括含聚含油污水）、煤田污水、煤層氣污水及工業廢水處理，其處理后的水質達到注入水水質標準A3級。

本項目是基于復合礦物材料的改性，通過 CPB（陽離子）和 CSB（兩性）復合改性方法，取代原有的傳統藥劑，可以在氣浮、生物處理等領域開展應用。 技術指標包括： 1）通過 XRD、SEM、BET、FTIR、Zeta 電位等科學表征方法，驗證了改性后藥劑的微觀結構有利于后續的物化、生物過程； 2）通過 Design Expert 數據處理軟件探討改性膨潤土的二次響應曲面模型以及優化的水平值，建立的污染物指標的去除模型； 3）利用響應面 Optimal Design 建立數學模型，基于響應面法(RSM)優化復合改性膨潤土的制備條件和工藝參數，該改性復合材料（陰-陽離子、陰-陽-非等表面活性劑、PAC 基質交聯等方式）能實現市政污水穩定提標中 COD 保持在30mg/L 以下，黑臭水體治理中 TP 保持在 0.2mg/L 以下，含重金屬廢水的治理中 Cr 的濃度保持在 1.0mg/L 以下，印染廢水中銻離子實現 95.2%的去除效果。使用該改性藥劑后，運行成本噸水投加藥劑費用為 0.5 元，該技術能解決多種難以處理的廢水。

針對生化芯片加工新技術,根據生化樣品特征，按照整體、高效設計，制備 出生化芯片，具有適應面廣、直觀，無創，高效等優點，在生物醫學、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發將有力推動我國生物醫療用芯片制造技術的發展，建立全新的生命科學實驗方法；能夠有效減少新藥研發等對動物和臨床實驗的依賴，加速新藥研發的流程并減少研發投入技術創新點及參數微縮人工器官，以實現對人體器官功能的模擬。器官芯片高內涵裝置的設計和制造，開發了標準芯片系統及器官特異性生物材料市場前景疾病模型，藥物評估，個性化醫療。

GaN系列材料具有低的熱產生率和高擊穿電場，是制作大功率電子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管擁有承受大電流、耐高壓、抗輻射，耐高溫而且開關速度快的特點，非常適用于高功率微波器件。隨著5G毫米波通信、工業4.0和新一代雷達的發展，這種功率微波器件將會得到更廣泛的應用。但是，對于這種半導體器件的負載開關驅動提出了非常高的要求。要求負載開關驅動封裝尺寸小，便于大陣列集成。并且對可靠行的要求也極高。智能功率集成電路（Smart Power Inte