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本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國家自然科學(xué)基金“異價摻雜量子點的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時，部分光會在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無法實現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術(shù)用于實際器件中，可以實現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計2021年，全球照明市場總市值達到8089億元。照明技術(shù)是任何一個國家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。

本發(fā)明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup

中國是凹凸棒石粘土礦的資源大國，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學(xué)局限性。比如氣候條件、地質(zhì)環(huán)境與礦床成分的不同，都會影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發(fā)育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發(fā)育良好的礦床很少，極大部分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對其進行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性，使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質(zhì)去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石粘土粒子，以便進行工業(yè)化的應(yīng)用或是進一步的純化與改性處理。 成果亮點 針對凹凸棒石礦物資源特點，如雜質(zhì)多并夾在其纖維束中，礦粒之間存在相互交叉、包覆，提純難度較大等問題，進行系統(tǒng)分析，確定其組份、形貌以及粒徑分布等物理性能，針對其雜質(zhì)成分，研究出一種易于對其工業(yè)化提純的綜合改性方法，獲得低成本的納米級凹凸棒石材料，為凹凸棒石后續(xù)的應(yīng)用創(chuàng)造良好的條件。

安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)面向集成電路人才培養(yǎng)的實體企業(yè)，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設(shè)計經(jīng)驗的集成電路產(chǎn)教融合和設(shè)計服務(wù)平臺——青軟晶尊微電子，共同打造面向國內(nèi)提供集成電路領(lǐng)域產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。 青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養(yǎng)新模式，通過集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院共建/專業(yè)共建，產(chǎn)教融合平臺共建，集成電路大賽，師資培共建，實驗實訓(xùn)平臺訓(xùn)，工信部培訓(xùn)認證，新工科優(yōu)訓(xùn)營，課程改革等多種合作模式，推動集成電路教育與產(chǎn)業(yè)的無縫銜接，為客戶創(chuàng)造價值。 青軟晶芒擁有自主知識產(chǎn)權(quán)集成電路設(shè)計專利證書，軟件著作權(quán)等十余項，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養(yǎng)做出貢獻。

青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內(nèi)面向集成電路設(shè)計領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計經(jīng)驗的集成電路設(shè)計服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經(jīng)濟帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國內(nèi)一流的集成電路設(shè)計服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時借助臺灣業(yè)務(wù)平臺，開拓國際業(yè)務(wù)，積極部署國際化發(fā)展戰(zhàn)略。 青軟晶尊集成電路設(shè)計服務(wù)始于1996年，為國內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計服務(wù)經(jīng)驗，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計服務(wù)。為客戶累計完成5000余顆芯片的設(shè)計。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計服務(wù)能力，在美國、日本、臺灣及國內(nèi)積累了長期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過國際DNV信息安全風(fēng)險管理體系認證。

本發(fā)明公開了一種玻璃纖維基光催化濾網(wǎng)的制備方法。包括以下步驟：1)對玻璃纖維束施加外力，加工成玻璃纖維網(wǎng)，在玻璃纖維網(wǎng)表面涂覆膠黏劑，膠黏劑與玻璃纖維網(wǎng)的重量比為1∶2～50；2)將重量比為1∶10～40的光催化劑與有機溶劑混合，超聲分散10～45min；3)將步驟2)的混合液以噴濺的方式負載到步驟1)的涂覆有膠黏劑的玻璃纖維網(wǎng)表面，光催化劑與玻璃纖維網(wǎng)的重量比為0.01～1.5∶1，干燥，得到玻璃纖維基光催化濾網(wǎng)。本發(fā)明具有方法簡便、無需煅燒，風(fēng)阻小、透光性好，負載的催化劑不易脫落、光催化活性高等優(yōu)點。所得組件適用于空氣凈化器等，可用于光催化凈化室內(nèi)氣態(tài)有機污染物。

超吸熱玻璃的光學(xué)性能： 近白玻和天空蘭色、綠色的玻璃配方工藝技術(shù)，既可以用現(xiàn)有的傳統(tǒng)浮法玻璃生產(chǎn)工藝生產(chǎn)，也可以用現(xiàn)有的平板壓延法(平拉法或垂直引上法)生產(chǎn)工藝生產(chǎn)，其各項基本技術(shù)質(zhì)量指標都優(yōu)于現(xiàn)有的浮法平板玻璃和壓延平板玻璃，其光學(xué)性能如下：能強烈吸收200-380nm 的紫外線，其吸收率≥99.9%；能吸收800—2500nm的近紅外線，其吸收率≥99.9%；對400—750nm可見光透過率在75%-85%之間，輻射值E≤0.05，(注:LOW-E玻璃E=0.2,鍍金屬反射膜玻璃E=0.6,普通浮法白玻璃E=0.84),成本在原浮法玻璃或壓延平板玻璃的基礎(chǔ)上增加10%-15%；在原浮法玻璃和壓延平板玻璃的配方基礎(chǔ)上稍加調(diào)整，添加一定量的UV-IR吸收劑采用本體著色法,不需改動原浮法玻璃或壓延平板玻璃生產(chǎn)工藝即可生產(chǎn)，其光學(xué)性能大大優(yōu)于在線或離線鍍膜LOW-E玻璃，以及目前市面上任何超吸熱玻璃的技術(shù)質(zhì)量指標，具體見國防科技大學(xué)物質(zhì)與材料科學(xué)實驗中心和湘潭大學(xué)測試中心的檢測報告。幾乎可全部吸收陽光中的VU及IR，阻止它們透過玻璃進入室內(nèi)，因此大大減低室內(nèi)制冷的能源需要，達到減排節(jié)能的目的。本產(chǎn)品可廣泛用于建筑玻璃和汽車玻璃。 

霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎一等獎（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準二維半導(dǎo)體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。