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1 成果簡(jiǎn)介硫酸鈣晶須具有機(jī)械強(qiáng)度大、熱穩(wěn)定性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn)，是塑料、橡膠、陶瓷、水泥等材料的理想增強(qiáng)材料。 目前我國(guó)化工、冶金、電力等國(guó)民經(jīng)濟(jì)支撐行業(yè)在生產(chǎn)過程中均副產(chǎn)大量含鈣副產(chǎn)物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），年產(chǎn)量高達(dá)數(shù)億噸。受技術(shù)經(jīng)濟(jì)條件限制，這些含鈣副產(chǎn)物大多處于露天堆放和閑置狀態(tài)，既浪費(fèi)資源、污染環(huán)境又占用大量土地。 如何實(shí)現(xiàn)資源的高度綜合利用，變廢為寶，將其轉(zhuǎn)化為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展急需的量大面廣、附加值高的硫酸鈣晶須產(chǎn)品是一項(xiàng)十分有意義的工作。2 應(yīng)用說明清華大學(xué)與國(guó)內(nèi)相關(guān)院校合作，經(jīng)過 5 年的潛心攻關(guān)，已于近期成功開發(fā)出水熱合成硫酸鈣晶須的技術(shù)。該技術(shù)的主要原料為化工副產(chǎn)物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），制備的硫酸鈣晶須形貌規(guī)則、結(jié)晶良好、長(zhǎng)徑比大（長(zhǎng)度 200~2000mm，直徑1~20mm，長(zhǎng)徑比 50~200）、純度高（硫酸鈣晶須主含量>90~95%，與原料相關(guān)）。該技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，成本低廉（約 2000~4000 元/噸），所需設(shè)備大多為常規(guī)設(shè)備，具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。歡迎有關(guān)單位前來洽談。目前國(guó)內(nèi)類似產(chǎn)品售價(jià)為 2 萬元/噸。  圖1 硫酸鈣晶須形貌3 效益分析成本： <4000 元/噸， 保守售價(jià)： 10000 元/噸， 年創(chuàng)產(chǎn)值（萬元）： 10000′3000?10000=3000，年創(chuàng)利稅（萬元）： 3000′(10000-4000)?10000=1800。4 合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或合作開發(fā)，按年產(chǎn) 3 千噸中試規(guī)模計(jì)，技術(shù)開發(fā)費(fèi)： 400 萬元，常溫反應(yīng)及配套設(shè)備： 300 萬元，水熱反應(yīng)及配套設(shè)備： 800 萬元，焙燒及配套設(shè)備： 500 萬元， 其它常規(guī)設(shè)備費(fèi)（過濾、干燥、粉碎、包裝）： 300 萬元，基建： 300 萬元， 其他(管、泵、閥、控制儀表等)： 300 萬元，土地（ 30 畝）：約 500 萬元，不可預(yù)見： 200 萬元， 總投資： 3600萬元。

本實(shí)用新型一種鋁基非晶甩帶裝置，包括箱體，所述第一電機(jī)輸出端通過輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)連接有主動(dòng)帶輪，所述箱體內(nèi)腔底部位于隔離板遠(yuǎn)離固定臺(tái)的一側(cè)固定連接有清理裝置，所述箱體內(nèi)腔正面和背面中間位置轉(zhuǎn)動(dòng)連接有甩帶輪，所述從動(dòng)帶輪外表面通過皮帶與主動(dòng)帶輪滑動(dòng)連接，所述箱體內(nèi)腔正面和背面位于高頻加熱器遠(yuǎn)離橫板的一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)連接有調(diào)節(jié)輪，所述箱體內(nèi)腔頂部固定連接有進(jìn)氣口，所述箱體內(nèi)腔遠(yuǎn)離第二電機(jī)的一側(cè)內(nèi)壁頂部固定連接有進(jìn)氣泵，所述箱體頂部位于進(jìn)料口兩側(cè)均固定連接有導(dǎo)料裝置，本實(shí)用新型涉及鋁基非晶加工技術(shù)領(lǐng)域。該裝置可及時(shí)清理

已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國(guó)芯等單位共同設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)基于ReRAM 存儲(chǔ)機(jī)理和單元特性的讀寫電路、芯片構(gòu)架、可測(cè)試性設(shè)計(jì)、冗余設(shè)計(jì)、糾錯(cuò)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)訪問管理等關(guān)鍵技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)了突破和創(chuàng)新。兩款芯片均已經(jīng)在相關(guān)驗(yàn)證系統(tǒng)完成了應(yīng)用演示等相關(guān)測(cè)試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實(shí)時(shí)播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。

北京理工大學(xué)材料學(xué)院納米光子學(xué)材料與技術(shù)實(shí)驗(yàn)室在致力于開發(fā)性能優(yōu)異、綠色、實(shí)用的納米晶發(fā)光材料研究。在國(guó)家“973”計(jì)劃項(xiàng)目和自然基金項(xiàng)目的支持下，研制出一種基于銅銦硫（CuInS2）和銅銦硒（CuInSe2）的新型、綠色、低毒熒光納米晶材料，已在白光照明、發(fā)光二極管、生物標(biāo)記、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域獲得重要的應(yīng)用，相關(guān)的材料制備和應(yīng)用技術(shù)已申請(qǐng)了專利。本項(xiàng)目所制備的新型納米晶熒光材料性能優(yōu)異，波長(zhǎng)可在500-900 nm之間調(diào)控，熒光量子產(chǎn)率超過50%，可作為熒光材料

1. 痛點(diǎn)問題 目前含鋅產(chǎn)品以金屬鋅和普通氧化鋅為主，存在產(chǎn)品價(jià)廉、結(jié)構(gòu)單一、附加值低等問題。受技術(shù)經(jīng)濟(jì)條件限制，性能優(yōu)異、附加值高的先進(jìn)含鋅材料如氧化鋅晶須等，至今尚未得到大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用。在晶須氧化鋅制備方面，前人雖已做大量工作，但多以鋅鹽或鋅為原料，存在原料利用率和晶須制備效率低、副產(chǎn)物和廢水需處理等環(huán)境和經(jīng)濟(jì)效益問題，制約了相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。 2. 解決方案 以普通鋅鹽為原料、無機(jī)堿水溶液為溶劑，在室溫條件下進(jìn)行活化堿溶, 制得含活性氧化鋅的懸浮液，然后加入促溶劑和晶型控制劑, 在低溫水熱條件下, 通過溶解-定向結(jié)晶途徑制得純度大于98%、長(zhǎng)徑比大于10的氧化鋅晶須。 合作需求 資金需求： 1）中試項(xiàng)目，100噸/年氧化鋅晶須，需投資1000-1500萬元； 2）示范生產(chǎn)項(xiàng)目，2000噸/年氧化鋅晶須，需投資1億元。 目標(biāo)企業(yè)： 1）原料端，地方鋅冶煉廠、化工廠等企業(yè)； 2）市場(chǎng)端，塑料/橡膠/涂料/紡織公司、合金企業(yè)、新能源公司、精密器件、醫(yī)療企業(yè)等。

合作的企業(yè)類型等。簡(jiǎn)介請(qǐng)圖文并茂，字?jǐn)?shù)1000字以內(nèi)。） 近年來，在國(guó)家自然基金、江蘇省自然基金、航空基金以及國(guó)防預(yù)研、國(guó)家新能源產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)、江蘇省科技成果轉(zhuǎn)化等項(xiàng)目資助下，本課題組進(jìn)行了在半導(dǎo)體晶體材料加工上實(shí)現(xiàn)了大尺寸（600mm）、高尺寸精度（5μm）、定晶向（0.3分）、低損耗、低成本的集成技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為國(guó)內(nèi)外首個(gè)在半導(dǎo)體晶體放電切割上實(shí)現(xiàn)重大突破和技術(shù)應(yīng)用的研究團(tuán)隊(duì)，多項(xiàng)研究成果已經(jīng)獲得或即將獲得重要應(yīng)用。 本課題組在特種加工、微細(xì)加工、激光加工、再制造等方面開

本發(fā)明公開了一種表面改性的非晶合金復(fù)合粉末，其特征在于， 通過表面改性技術(shù)在所述非晶合金粉末表面包覆一層抗氧化的金屬鍍 層。本發(fā)明還公開了該粉末的制備方法，以及利用該粉末制備的非晶 復(fù)合涂層及其制備方法。本發(fā)明非晶復(fù)合涂層具有優(yōu)異的抗氧化性能、 高結(jié)合力以及良好的抗磨損性能，克服了以往單相非晶涂層/金屬基體 之間界面結(jié)合力較差、高溫抗氧化性能不足的問題，可以有效降低非 晶粉末在高溫?zé)釃娡窟^程中的表面氧化。該復(fù)合涂層在

本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識(shí)別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個(gè)步驟：步驟 一，對(duì)采集到的芯片圖片進(jìn)行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對(duì)圖片進(jìn)行截取；步驟二，對(duì)截取獲得的圖片進(jìn)行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對(duì)經(jīng)過預(yù)處理的圖片進(jìn)行分割， 獲取 blob 塊，對(duì) blob 塊進(jìn)行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對(duì)面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點(diǎn)以及四邊中點(diǎn)的位置，以中心點(diǎn)以及四邊

浙江晶盛機(jī)電股份有限公司創(chuàng)建于2006年12月，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料裝備和LED襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)，以“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”為使命。公司于2012年在創(chuàng)業(yè)板上市（證券代碼：300316），下屬18家公司，3個(gè)研發(fā)中心，其中一個(gè)海外研發(fā)中心，總?cè)藬?shù)近3000人，研發(fā)人員400多名，擁有外專工作站、國(guó)家級(jí)博士后工作站、省級(jí)重點(diǎn)企業(yè)研究院等研究平臺(tái)。 晶盛機(jī)電以技術(shù)創(chuàng)新作為持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力源泉。相繼開發(fā)出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全自動(dòng)單晶生長(zhǎng)爐、多晶鑄錠爐、區(qū)熔硅單晶爐、藍(lán)寶石爐、碳化硅爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備，同時(shí)開發(fā)并銷售晶體加工、光伏電池和組件等裝備，致力于打造光伏產(chǎn)業(yè)鏈裝備技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的裝備龍頭企業(yè)；在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片制造用晶體生長(zhǎng)及加工裝備的國(guó)產(chǎn)化，并取得半導(dǎo)體材料裝備的領(lǐng)先地位；成功掌握國(guó)際領(lǐng)先的 700kg級(jí)超大尺寸泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)，藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)具備較強(qiáng)的成本競(jìng)爭(zhēng)力并逐步形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)；在工業(yè)4.0方向，集團(tuán)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)和LED產(chǎn)業(yè)提供智能化工廠解決方案，滿足了客戶對(duì)“機(jī)器換人+智能制造”的生產(chǎn)模式需求。  集團(tuán)擁有一支以教授、博士為核心的技術(shù)研發(fā)與管理團(tuán)隊(duì)，單晶爐和多晶爐被評(píng)為國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品，“全自動(dòng)單晶硅生長(zhǎng)爐”入選工業(yè)和信息化部第三批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品，已獲國(guó)家專利460余項(xiàng)。公司連續(xù)三年完成利稅位居中國(guó)電子專用設(shè)備行業(yè)十強(qiáng)單位首位，連續(xù)三屆創(chuàng)業(yè)板最具成長(zhǎng)性上市公司十強(qiáng)，獲得浙江省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、浙江省人民政府質(zhì)量管理創(chuàng)新獎(jiǎng)、浙江省創(chuàng)新企業(yè)百?gòu)?qiáng)等榮譽(yù)。 遵循國(guó)家提出的“創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享”的發(fā)展新理念和“中國(guó)制造2025”規(guī)劃，晶盛以“先進(jìn)材料，先進(jìn)裝備”為發(fā)展戰(zhàn)略，建設(shè)全球技術(shù)及規(guī)模領(lǐng)先的半導(dǎo)體、光伏裝備業(yè)，發(fā)展LED襯底材料、工廠智能化服務(wù)解決方案的先進(jìn)制造型企業(yè)，積極開拓低碳節(jié)能可持續(xù)發(fā)展的制造產(chǎn)業(yè)。