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新加坡EUTECH優特便攜式PH計、電導率儀、離子濃度計
產品詳細介紹
廣州市博勒泰貿易有限公司
2021-08-23
一種中紅外非線性光學晶體材料 RbIO2F2 及其制備方法和應用
本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n
武漢大學
2021-04-14
一種中紅外非線性光學晶體材料 KBi4F13 及其制備方法和應用
本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應與磷酸二氫鉀(KDP)相當;粉末的激光傷閾值為 120MW/c
武漢大學
2021-04-14
OM-8F氙燈耐氣候試驗箱/氙燈耐氣候箱/氙燈耐氣候實驗機
產品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
2023中關村論壇開幕式發布十項重大科技成果 涉區塊鏈、量子計算等
今晚，2023中關村論壇在京開幕，開幕式上發布了北京國際科技創新中心建設十項重大科技成果。
央視新聞客戶端
2023-05-26
一種由帶支撐的三角形網格構成的鋼結構冷卻塔
本申請公開了一種由帶支撐的三角形網格構成的鋼結構冷卻塔，其包括斜桿、水平桿、面內支撐、加強環桁架、吊桿和撐桿；冷卻塔的塔體由一系列倒置的等腰三角形組成，構成若干層封閉的網格結構；每個等腰三角形內設置面內支撐，與等腰三角形共同組成模數單元；模數單元的底邊為網格結構的水平桿；模數單元的腰為網格結構的斜桿；最底層模數單元的頂點固定于基礎上，作為整個冷卻塔的支座，其余各層模數單元由下至上逐層搭設，頂點剛接于下層對應模數單元的底邊端點上；加強環桁架設置于塔體內側，并通過吊桿或撐桿減小加強環桁架的撓度。本申請鋼結構冷卻塔能充分發揮構件在各方向的力學性能，構件和節點尺寸小，用鋼量小，具有良好的經濟技術指標。
浙江大學
2021-04-13
一種高電阻率高磁性能核殼結構NdFeB磁粉及用途
本發明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結構NdFeB磁粉，該發明首先將配好的原料進行感應熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護氣氛下，進行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時繼續通入氨氣，即可得到核殼結構的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點。
浙江大學
2021-04-13
負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發明公開了一種負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽離子的氧化物為起始原料，球磨，經過多次煅燒，加入有機粘結劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學
2021-01-12
一種提高微型光譜儀紫外響應和分辨率的濾光片
本實用新型提供一種提高微型光譜儀紫外響應和分辨率的濾光片，包括基板、鍍膜層和鍍膜保護層， 所述鍍膜層分為三個區域，在不同區域分別鍍有紫外轉換膜，紫外截止濾光膜，可見光截止濾光膜。本 實用新型同時解決了紫外效率低、可見光、紅外光波段存在高次衍射光的問題，并且可以根據光譜儀的 光譜范圍選擇鍍膜的層數、類型、區間長度，具有安裝拆卸方便，結構簡單，使用靈活的特點，且鍍膜 之間不會相互產生干涉。
武漢大學
2021-04-13
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11