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一種五軸加工軌跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法
本發(fā)明屬于銑削加工相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉(zhuǎn)至 步驟(5)，否則轉(zhuǎn)至步驟(2);(2)根據(jù)第一幾何約束條件來確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來計算及離散初 始迭代角度區(qū)域，以確定較優(yōu)初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線法搜索最優(yōu)角度，若成功則轉(zhuǎn)至步 驟(5)，否則結(jié)束;(5)依據(jù)搜索到的所述最優(yōu)角度計
華中科技大學(xué)
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
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背靠背結(jié)構(gòu)電壓型變流裝置的雙脈沖寬度調(diào)制控制器
一種背靠背結(jié)構(gòu)電壓型變流裝置的雙脈沖寬度調(diào)制控制器,其特點是:它包括由兩套結(jié)構(gòu)相同的數(shù)字信號處理器電路,現(xiàn)場可編程門陣列電路,同步單元電路,模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換調(diào)理電路,過壓,過流調(diào)理電路,串口通信電路,故障,狀態(tài)指示電路和控制電源電路組成.數(shù)字信號處理器電路的數(shù)字信號處理器DSP用來模數(shù)轉(zhuǎn)換,上層控制算法,底層控制中脈沖寬度調(diào)制脈沖生成及串口通信控制;數(shù)字信號處理器電路與現(xiàn)場可編程門陣列電路兩個輸入輸出I/O口相連接,用來數(shù)字信號處理器電路和現(xiàn)場可編程門陣列電路之間工作狀態(tài)通信;具有通用性強,硬件電路無需更改的前提下,只須通過編程即可適應(yīng)于不同的應(yīng)用場合;具有控制精度高,電路結(jié)構(gòu)簡單,集成度高等優(yōu)點.
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種經(jīng) GPU 加速的浸沒邊界-格子玻爾茲曼流固耦合模擬方法
本發(fā)明提供一種經(jīng) GPU 加速的浸沒邊界-格子玻爾茲曼流固耦合模擬方法，步驟如下：在專業(yè)前處 理軟件中建立待測結(jié)構(gòu)體及其內(nèi)部流體的浸沒邊界體型，并劃分邊界網(wǎng)格以供程序讀取；程序讀取邊界 體型數(shù)據(jù)，設(shè)置所需測量點的邊界條件和程序模型參數(shù)；根據(jù)邊界當(dāng)前時刻構(gòu)型和參考構(gòu)型利用有限元 法計算邊界施加在流體上的作用力；將邊界的作用力經(jīng)由狄拉克函數(shù)擴散至周邊流體；利用格子玻爾茲 曼方法求解攜帶外力項的納維-斯托克斯方程；同樣經(jīng)由狄拉克函數(shù)將流體速度插值到邊界上得到邊界 的移動速度，進而更新邊界位置；重復(fù)步驟 3-6，直至達到計算終點。本發(fā)明能夠處理任意形狀的結(jié)構(gòu) 體，計算過程中不需要重構(gòu)底層流體網(wǎng)格，計算效率高。
武漢大學(xué)
2021-04-13
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低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
針對國內(nèi)外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標(biāo)及能耗高的技術(shù)難題，本成果經(jīng)過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創(chuàng)理論與方法，突破了 3 項新技術(shù)應(yīng)用的瓶頸，開發(fā)并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術(shù)，共獲得 28 項授權(quán)的發(fā)明專利，發(fā)表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術(shù)研究領(lǐng)域的空白，形成了具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的污水脫氮除磷技術(shù)。
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
低C/N比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
一種壩體缺口底孔聯(lián)合泄流條件下底孔頂板門槽槽塞裝置
本發(fā)明公開了一種壩體缺口底孔聯(lián)合泄流條件下底孔頂板門槽槽塞裝置，包括門槽升降機構(gòu)、閘門 頂板承載機構(gòu)和密封止水機構(gòu)。門槽升降機構(gòu)用于傳動閘門啟閉與固定閘門;閘門頂板承載機構(gòu)用于連 接門槽升降機構(gòu)和密封止水機構(gòu)，承載閘門重力，傳遞荷載，連接閘門啟閉設(shè)備;密封止水機構(gòu)用于封 堵閘門門槽縫隙。本發(fā)明利用齒條與齒輪間的咬合力固定底孔閘門，避免泄流過程中閘門劇烈振動破壞 門槽;封堵底孔門槽，避免閘前形成渦流
武漢大學(xué)
2021-04-14
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微流控數(shù)字液滴中央處理器芯片及平臺系統(tǒng)的研制
程鑫課題組主攻微納加工技術(shù)，包括超高精度（亞5納米）表面圖形化技術(shù)、適用于產(chǎn)業(yè)化的大面積低成本納米加工技術(shù)、微納3D打印技術(shù)等。課題組同時開發(fā)微納加工在半導(dǎo)體器件、納米光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)工程等多個領(lǐng)域中的應(yīng)用。近年來，課題組在微流控芯片領(lǐng)域開展了大量創(chuàng)新性研究工作，并取得了一系列成果。 DNA/RNA測序前文庫構(gòu)建和蛋白質(zhì)的結(jié)構(gòu)大規(guī)模質(zhì)譜檢測等基因組學(xué)和蛋白質(zhì)組學(xué)研究中的關(guān)鍵技術(shù)都涉及到稀
南方科技大學(xué)
2021-04-14
一種兩級可調(diào)的水蒸汽等離子體旋流燃燒器
本發(fā)明公開了一種兩級可調(diào)的水蒸汽等離子體旋流燃燒器，包括第一級等離子體點火裝置、第二級等離子體調(diào)節(jié)器和水蒸汽供氣系統(tǒng)。第一級等離子體點火裝置包括一次風(fēng)管道、內(nèi)燃燒室、濃淡分離器、旋流發(fā)生器、第一級水蒸汽進氣管道、中心風(fēng)管道和第一級等離子體發(fā)生器；第二級等離子體調(diào)節(jié)裝置包括第二級水蒸汽進氣管道、第二級等離子體發(fā)生器、內(nèi)二次風(fēng)進氣管道和外二次風(fēng)進氣管道。本發(fā)明通過兩級水蒸汽等離子體發(fā)生器解決燃燒難以穩(wěn)定和NOx污染物排放高的問題。特別適用于貧煤、無煙煤等難以著火點燃、NOx 生成量高的煤種，具有低氮穩(wěn)燃的效果。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
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柴油機排氣管分支流場測試和三維流場計算分析項目
項目簡介 “柴油機排氣管分支流場測試和三維流場計算分析”項目由中國船舶重工集團公司 地七一一研究所委托開展。對柴油機排氣管分支進行流場進行 PIV（Particle Image Velocimetry）測試，并通過結(jié)合數(shù)值模擬技術(shù)分析排氣管分支內(nèi)的流場結(jié)構(gòu)以及進行優(yōu) 化改進工作。項目主要解決難點為高速流場的實驗臺搭建、精確計算以及光學(xué)測量。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 提供柴油機排氣管分支在各個工況下
江蘇大學(xué)
2021-04-14