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硅PU球場(chǎng)材料。是一種具有多功能運(yùn)動(dòng)性和施工優(yōu)勢(shì)的國(guó)家專利球場(chǎng)材料。 作為一種體育設(shè)施場(chǎng)地地面材料，有良好的緩沖性和延展性，粘結(jié)力量，對(duì)基礎(chǔ)有一定的治愈功能，能夠自動(dòng)找平，施工簡(jiǎn)單，抗老化性能優(yōu)秀，施工后化學(xué)性能穩(wěn)定，不易產(chǎn)生氣泡，且不會(huì)出現(xiàn)開(kāi)裂和鼓泡現(xiàn)象。同時(shí)擁有常規(guī)PU與丙烯酸的優(yōu)良特性。是場(chǎng)地工程的最佳選擇。

是一款綠色環(huán)保的水性材料，它是完全不含石棉，鉛或水銀等化合物，高度抗紫外線性能，顏色持久不褪色，經(jīng)久耐用，超強(qiáng)耐磨，此款材料的顏色多樣，有籃，紅，綠等多種色澤可供選擇，它的面層結(jié)構(gòu)優(yōu)越，有效的緩沖力能降低對(duì)運(yùn)動(dòng)員的傷害及疲勞，保養(yǎng)容易，維修成本低，在任何氣候都能牢固使用，使用壽命長(zhǎng)

氟硅唑，商品名福星，是淄醇脫甲基化抑制劑，用來(lái)防治谷類、蘋果、葡萄等作物的黑星病，特別是對(duì)梨黑星病有特效，40%的乳油10000～12000倍能有效地防治梨黑星病，進(jìn)口40%乳油的市場(chǎng)價(jià)格為50萬(wàn)元/噸。按現(xiàn)在的工藝條件，折百的原藥原料成本小于30萬(wàn)元/噸。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其形成于硅片上，并包括摻雜粒子構(gòu)成的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，絕緣區(qū)與所述導(dǎo)電區(qū)摻雜的粒子的極性相反，所述導(dǎo)電區(qū)表面覆蓋有金屬電極，所述硅片的表面除所述金屬電極之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層。本實(shí)用新型硅通孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)粒子摻雜方式形成硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)的基體都還是硅片本身，避免了目前硅通孔技術(shù)中金屬和硅片熱膨脹系數(shù)不同造成的熱應(yīng)力問(wèn)題，能夠提高器件的可靠性和壽命。

已有樣品/n成功開(kāi)發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)主要包括單模波導(dǎo)、Y-分支、光交叉器、耦合光柵等無(wú)源器件，而最近有源工藝的成功開(kāi)發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge 光電探測(cè)器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開(kāi)發(fā)成功的硅光子無(wú)源工藝及器件（圖3），使微電子所硅光子平臺(tái)已具有為業(yè)界提供基于180nm工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶

晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車間生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)生產(chǎn)樣品以及對(duì)電池生產(chǎn)進(jìn)行工藝仿真，從而深刻了解整個(gè)太陽(yáng)電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 場(chǎng)景由制絨車間、擴(kuò)散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網(wǎng)印刷車間和分選包裝車間六大場(chǎng)景組成。場(chǎng)景素材從多個(gè)真實(shí)工廠采集而來(lái)，高保真還原車間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場(chǎng)景模型主要包括：潔凈車間、制絨機(jī)、自動(dòng)上下料機(jī)、硅片、電子天平、分光光度計(jì)、電源柜、水冷機(jī)、空壓機(jī)、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤、鼠標(biāo)、擴(kuò)散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗(yàn)臺(tái)、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測(cè)試儀，萬(wàn)用表，石墨舟、PECVD鍍膜機(jī)、舟車、烘箱、全自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機(jī)、槳料、夾具、接觸電阻測(cè)試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì) 第一人稱視角控制主角場(chǎng)景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動(dòng)和觀察場(chǎng)景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實(shí)際抓取的方式，沒(méi)有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時(shí)拾取多個(gè)物體時(shí)則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會(huì)更加接近現(xiàn)實(shí)，使學(xué)員更真實(shí)的體驗(yàn)實(shí)際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車間按照真實(shí)生產(chǎn)流程設(shè)計(jì)實(shí)訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進(jìn)入下一個(gè)任務(wù)，每個(gè)任務(wù)記錄完成時(shí)間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實(shí)時(shí)顯示角色位置與任務(wù)點(diǎn)位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無(wú)縫平滑撤換 機(jī)器與設(shè)置仿真控制，通過(guò)機(jī)器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動(dòng)生產(chǎn)，檢測(cè)生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫與作業(yè)報(bào)告生成 使用儀器與設(shè)備檢測(cè)生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)主動(dòng)提示學(xué)習(xí) 原理動(dòng)畫演示

研究團(tuán)隊(duì)利用能谷-贗自旋耦合原理，在絕緣層硅（SOI，silicon-on-insulator）上制備出能谷光子晶體平板。該拓?fù)涔鈱W(xué)結(jié)構(gòu)具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光錐以下）能夠較好地局域在平板內(nèi)，抑制了平板外損耗。他們制備了直線形、Z形和Ω形等三種拓?fù)涔鈱W(xué)通道，測(cè)量出高透平頂透射光譜帶，證實(shí)了近紅外波段下拓?fù)浔Ｗo(hù)的寬帶抗散射傳輸。采用硅微盤技術(shù)產(chǎn)生相位渦旋源，無(wú)需低溫和強(qiáng)磁等極端環(huán)境，實(shí)現(xiàn)了拓?fù)浣缑鎽B(tài)的選擇性激發(fā)，實(shí)現(xiàn)了亞微米量級(jí)耦合長(zhǎng)度的寬帶光子路由行為，驗(yàn)證了能谷-贗自旋耦合等拓?fù)涔鈱W(xué)原理。?在硅基平臺(tái)上證實(shí)拓?fù)涔庾訉W(xué)原理，是目前國(guó)際學(xué)術(shù)前沿的聚焦度較高的領(lǐng)域之一。研究團(tuán)隊(duì)過(guò)去在拓?fù)涔庾訉W(xué)原理方面的工作，多次引起國(guó)際同行關(guān)注，論文入選ESI高被引。該工作中，他們深入系統(tǒng)地發(fā)展出硅基拓?fù)涔鈱W(xué)等關(guān)鍵理論，攻克了數(shù)十納米加工工藝等關(guān)鍵技術(shù)，率先在硅基光子平臺(tái)與拓?fù)涔庾訉W(xué)之間建立了聯(lián)系，突破了單一自由度調(diào)控的傳統(tǒng)框架，提出了硅基中多自由度耦合的多維調(diào)控新機(jī)制，為微納光學(xué)與光子學(xué)、光二極管等關(guān)鍵光子芯片器件、混合集成光子學(xué)、高保真光量子信息光學(xué)、非線性光學(xué)等領(lǐng)域，提供了新方法和新思路。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國(guó)際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺(tái)國(guó)際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國(guó)際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺(tái)國(guó)際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開(kāi)關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無(wú)人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開(kāi)展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。