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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種有機(jī)-無機(jī)復(fù)合電致變色薄膜及其制備方法
本發(fā)明公開了一種有機(jī)-無機(jī)復(fù)合電致變色薄膜及其制備方法。該薄膜為聚苯胺與三氧化鎢的復(fù)合薄膜，其中含有5～80％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三氧化鎢，薄膜厚度為50～300nm，表面具有納米棒陣列形貌。該制備方法包括：將表面經(jīng)羥基化處理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直豎立并固定于反應(yīng)容器中，將過氧化鎢酸溶液與苯胺溶液的混合溶液倒入其中并攪拌；再加入過硫酸銨溶液，攪拌下進(jìn)行反應(yīng)；反應(yīng)完成后，取出沉積有薄膜的基底并沖洗、干燥而得。本發(fā)明制備方法實(shí)現(xiàn)了聚苯胺/氧化物在分子層次復(fù)合，工藝簡單，成分可方便控制，成本較低，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。制得的薄膜光譜調(diào)節(jié)范圍大、顏色豐富、響應(yīng)速度快、循環(huán)壽命長，應(yīng)用范圍廣泛。
浙江大學(xué)
2021-04-13
PT100型號(hào)薄膜鉑電阻低溫溫度計(jì)PI封裝
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-26
PT100型號(hào)薄膜鉑電阻低溫溫度計(jì)低溫實(shí)驗(yàn)
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-13
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一種雙波段薄膜光探測器及其制備方法
本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，并公開了一種雙波段 薄膜光探測器，包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質(zhì)層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設(shè)置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設(shè)在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設(shè)置在第一 WSe2 層上;
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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液晶材料
隨著科技的不斷發(fā)展，笨重的陰極射線管(CRT)顯示器越來越不能滿足需求。而液晶顯示器(LCD)則因具有能耗低、重量輕、超薄、圖像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛發(fā)展。 液晶材料是液晶顯示器的核心材料之一，它賦予液晶顯示器各種優(yōu)良的性能。國內(nèi)高檔液晶材料主要被大日本油墨化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社、日本Chisso公司、德國Merck公司壟斷。目前，國內(nèi)只有幾家企業(yè)能批量生產(chǎn)中低檔液晶材料，尚無廠家
四川大學(xué)
2021-04-14
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大型基礎(chǔ)設(shè)施工程光纖多元感測與綜合預(yù)警核心理論與關(guān)鍵技術(shù)
"該項(xiàng)目針對(duì)大型基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)時(shí)監(jiān)測與災(zāi)害預(yù)警的迫切需求，歷時(shí)10余年科技攻關(guān)，突破了多項(xiàng)重要理論與核心關(guān)鍵技術(shù)。提出了基于雙重約束的光纖光柵非均勻應(yīng)變傳感理論，形成了復(fù)合材料光纖內(nèi)植工藝與光纖金屬化封裝新工藝，攻克了傳感精度低、成活率低與耐久性差三大難題；在國內(nèi)外首次突破了大型基礎(chǔ)設(shè)施裂隙水流速監(jiān)測難題，破解了大型基礎(chǔ)設(shè)施多場耦合監(jiān)測技術(shù)障礙，發(fā)明了系列專用光纖光柵傳感器；組建了超大容量光纖光柵傳感網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建了大型基礎(chǔ)設(shè)施安全監(jiān)測多元信息一體化綜合感知系統(tǒng)；提出了基于離散應(yīng)變反演遞推的形態(tài)傳感方法建立了基于多場信息的災(zāi)變判據(jù)，解決了大型基礎(chǔ)設(shè)施災(zāi)害綜合預(yù)警的重大難題。形成了從“傳感理論—封裝工藝—傳感結(jié)構(gòu)—傳感器—采集系統(tǒng)—預(yù)警方法”成套技術(shù)體系。成果獲得2018年度國家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、2018年度山東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)項(xiàng)，納入行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)，獲國家發(fā)明專利29項(xiàng)，實(shí)用新型專利34項(xiàng)，軟件著作權(quán)15項(xiàng)，發(fā)表SCI論文52篇，EI論文62篇，產(chǎn)品出口英國、德國、新加坡、馬來西亞等國家，同時(shí)產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)效益，對(duì)大型基礎(chǔ)設(shè)施安全監(jiān)測與災(zāi)害預(yù)警行業(yè)發(fā)展具有重要的推動(dòng)作用。本項(xiàng)目成果主要
山東大學(xué)
2021-04-10
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電沉積低溫?zé)Y(jié)制備氧化物薄膜和微疊層技術(shù)
本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量優(yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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低成本制備高效硅薄膜太陽電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
南開大學(xué) 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個(gè)五年國家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進(jìn)行列。于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。
南開大學(xué)
2021-02-01
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
南開大學(xué) 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個(gè)五年國家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進(jìn)行列。 于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。
南開大學(xué)
2021-04-11
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一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法
本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實(shí)現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。
東南大學(xué)
2021-04-11