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鎢酸鋯薄膜的制備方法
鎢酸鋯薄膜的制備方法,它屬于薄膜制備領(lǐng)域.本發(fā)明解決了現(xiàn)有鎢酸鋯薄膜制備方法存在的操作復(fù)雜,成本高的問題.本發(fā)明的方法如下:一,硝酸氧鋯和溶劑混合得到A溶液;二,絡(luò)合劑,溶劑和偏鎢酸銨混合得到B溶液;三,將A和B混合,配制溶膠;四,通過旋涂制備濕膜,再將濕膜預(yù)燒;五,制備鎢酸鋯非晶薄膜;六,鎢酸鋯非晶薄膜晶化后即得鎢酸鋯薄膜.本發(fā)明的制備工藝簡單,成本低,制備得到的薄膜表面平整致密,厚度均勻,晶粒大小均勻.
哈爾濱師范大學(xué)
2021-05-04
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制備結(jié)晶氮化碳薄膜的裝置
1.項目簡介：本設(shè)計了一種制備結(jié)晶氮化碳薄膜的裝置，設(shè)有脈沖電弧放電的機構(gòu)及電路，該電路由高壓和電弧產(chǎn)生電路組成；該機構(gòu)包括基板和與之相連的電加熱器，設(shè)有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內(nèi)，基板位于電極的下方或四周，設(shè)有2條帶有控制閥的管道，分別通氮氣和溶液，其下端深入半密封箱體腔內(nèi)，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質(zhì)量地制備出結(jié)晶氮化碳薄膜，能方便地將結(jié)晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內(nèi)壁，從而有利于結(jié)晶氮化碳薄膜的推廣應(yīng)用。項目已獲實用國家新型專利權(quán)。2.技術(shù)特點：該發(fā)明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質(zhì)量地制備結(jié)晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發(fā)明的顯著特點是：在常壓下合成的產(chǎn)品主要為結(jié)晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環(huán)境下產(chǎn)生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產(chǎn)效率，利于推廣結(jié)晶氮化碳薄膜的應(yīng)用。
武漢工程大學(xué)
2021-04-11
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鉬酸鹽功能薄膜及其制備方法
一種鉬酸鹽功能薄膜,以導(dǎo)電或不導(dǎo)電的、晶態(tài)或非晶態(tài)的材料為襯底,晶粒度范圍10～500NM,厚度100～3000NM。制備鉬酸鹽功能薄膜的工藝步驟為:(1)配制含MO離子絡(luò)合物的溶液,以鉬酸銨或/和鉬酸為溶質(zhì),以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(2)配制含金屬離子絡(luò)合物的溶液,以堿金屬及堿土金屬的碳酸鹽或/和過渡金屬及稀有金屬的硝酸鹽為溶質(zhì),以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(3)制備鉬酸鹽前驅(qū)物溶液,將上述含MO離子絡(luò)合物溶液和含金屬離子絡(luò)合物溶液充分攪拌混合,然后至少靜置40分鐘;(4)采用旋涂技術(shù)成膜和干燥。
四川大學(xué)
2021-04-11
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長循環(huán)硅基復(fù)合薄膜負極
隨著微電子行業(yè)等微型化科技的快速發(fā)展，薄膜材料得到廣泛應(yīng)用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發(fā)展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優(yōu)勢能夠有效克服硅基材料的本征導(dǎo)電率低和體積膨脹大的問題。開發(fā)無需粘結(jié)劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發(fā)展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現(xiàn)電極結(jié)構(gòu)設(shè)計與導(dǎo)電型材料復(fù)合，改善硅基材料低導(dǎo)電率問題，優(yōu)化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結(jié)劑硅基材料制備和倍率、循環(huán)等性能的提高。
廈門大學(xué)
2021-01-12
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少層石墨雙炔薄膜制備
以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進行偶聯(lián)反應(yīng)，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續(xù)的高質(zhì)量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質(zhì)量單晶結(jié)構(gòu)。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結(jié)構(gòu)，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點，分別對應(yīng)于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結(jié)果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。
北京大學(xué)
2021-04-11
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柔性 OLED 薄膜封裝材料與技術(shù)
有機電致發(fā)光器件（OLED）具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、使用溫度范圍廣、構(gòu)造簡單并可用于撓曲性面板等優(yōu)異特性，被認為是新一代的 顯示技術(shù)，在智能手機及各類未來智能終端領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。柔性O(shè)LED是實現(xiàn)曲面顯示，乃至未來柔性顯示的基礎(chǔ)。由于金屬和玻璃封裝都不適合柔性器件的封裝，薄膜封裝技術(shù)的突破是柔性O(shè)LED產(chǎn)業(yè)化進程推進的關(guān)鍵，也是柔性O(shè)LED發(fā)展的主要課題之一。在聚合物基板和OLED上采用多層薄膜包覆密封（也稱之為Barix技術(shù)：基于真空鍍膜工藝制備的有機-無機交替多層膜結(jié)構(gòu)），不僅具有低成本、更輕、更薄的優(yōu)點，而且可以延長OLED器件的壽命。適用于柔性O(shè)LED封裝技術(shù)的工藝路線如圖1所示。本項目開發(fā)的封裝材料適用于此工藝路線中的聚合物多層薄膜封裝。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
聚乳酸吹塑薄膜生產(chǎn)技術(shù)
聚乳酸（PLA ）也稱作聚丙交酯，是以玉米淀粉作為原料，用酶分解淀粉，得到葡萄糖，再由微生物發(fā)酵葡萄糖制得乳酸，從乳酸單體通過兩種不同的合成途徑：即乳酸直接縮聚反應(yīng)（一步法）和通過丙交酯中間體開環(huán)聚合反應(yīng)（二步法）獲得。目前，高分子量的PLA一般采用二步法。此方法是先由乳酸合成丙交酯，再由丙交酯在催化劑（cat）的作用下開環(huán)聚合制備PLA，反應(yīng)式如圖1所示。因此，PLA是一種能夠被水解和被微生物分解的合成塑料。
四川大學(xué)
2021-04-14
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低成本納米微晶陶瓷制備技術(shù)
本項目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學(xué)
2021-04-10
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全自動激光晶圓劃片機系統(tǒng)
電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個整體，使晶圓上每個晶粒成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。晶圓切割的過程是將集成有 電路的整片晶圓通過劃切分割成單個的晶粒，切割過程又是一種無法恢復(fù)的過程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復(fù)性決定了切割工藝成為整個集成電路制造過程中最關(guān)鍵 和難度最大的工藝環(huán)節(jié)。 精密機械：可加工的晶圓最小直徑可達50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設(shè)備的切割精度要求控制在2μm以內(nèi)，每小時切割15片。 運動平臺采用高精度的直線電機平臺，定位精度為2μm，重復(fù)定位精度為1μm；旋轉(zhuǎn)平臺的定 位精度為30″，重復(fù)定位精度為4″。 計算機自動控制：劃片機系統(tǒng)將根據(jù)客戶要求以及配合視覺檢測系統(tǒng)傳輸?shù)木A數(shù)據(jù)，自 動生成切割路徑，在規(guī)定的工作時間內(nèi)完成晶圓的切割。
華東理工大學(xué)
2021-04-11
低成本納米微晶陶瓷制備技術(shù)
本項目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學(xué)
2021-02-01