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一種高電壓鋰離子電池的制備方法
本項目是一種高電壓鋰離子電池的制備方法。按鋰離子電池的常規方法組裝制備，正極材料為碳包覆正極復合材料LiCoPO4/C，負極材料為鋰或碳，電解液為加入添加劑的常規有機電解液，所述添加劑為噻吩、聯苯和呋喃中的一種或兩種以上任意比例的組合，添加劑的質量百分比用量為常規有機電解液的0.05-2%。本發明的優點是：1）通過對高電壓正極材料進行碳包覆，可在材料顆粒表面形成均勻的導電薄膜，有助于鋰離子的嵌入與脫出；2)噻吩等添加劑的作用保證了電解液組分的穩定性。該方法工藝簡單、易于工業化，通過正極材料的改性和
南開大學
2021-04-14
一種頻率可調諧的微波相移系統及方法
本發明屬于微波光子學領域，公開了一種頻率可調諧的微波相 移系統及方法，包括連續光載波經過分束后一束經過馬赫曾德爾調制 器產生載波抑制的雙邊帶光信號，另一束經相位調制器產生移相后的 光載波信號，兩束光信號經合波后通過可調諧微環濾波器濾除其中的 一個一階邊帶，得到一個頻率搬移后的載波信號和一個相移后的載波 信號，再經光電探測器進行光電轉換產生相移微波電信號；可通過改 變輸入電壓驅動信號的頻率和可調諧微環濾波器的諧振波長，
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器件的神經元電路
本發明公開了一種基于憶阻器件的神經元電路，本發明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉變器件，表達神經元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉變器件，構建神經元電路，并具有突 觸基本單元。該神經元電路能夠實現生物神經元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關 的可塑性，與生物學上神經元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發明可以為硬件模擬大腦神經網絡結構提供基
華中科技大學
2021-04-14
基于模分復用的自相干光纖通信系統
本發明公開了一種基于模分復用的自相干光纖通信系統，光載 波輸入單元、光信號調制單元、波分復用單元、模分復用和解復用單 元、波分解復用單元及相干接收單元；模分復用和解復用單元包括通 過少模光纖連接的模式復用器和模式解復用器；光載波輸入單元依次 通過單模光纖連接各光信號調制單元、波分復用單元和模式復用器， 模式復用器通過少模光纖連接模式解復用器，模式解復用器通過單模 光纖連接波分解復用單元及各相干接收單元；光載波輸入單元
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的聯想記憶電路
本發明公開了一種基于憶阻器的聯想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯在運 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯連接端作為聯想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯連接端作為聯想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運算 比較器的輸出端作為聯想記憶電路的輸出端；聯想記憶電路的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于頁面熱度的異構內存管理方法
本發明公開了一種基于頁面熱度的異構內存管理方法，其特征 在于，包括以下步驟：(1)對于異構內存的內存頁面，收集內存頁面被 訪問的總讀寫數據、部分讀寫數據和最近讀寫數據，存儲在多級隊列 中，形成頁面訪問記錄隊列；(2)根據部分讀寫和最近讀寫數據確定頁 面熱度值和熱度值，順序保留 N 個頁面熱度值超過預設的熱度值閾值 的頁面作為熱頁面和 N 個頁面冷度值超過預設的冷度值閾值的頁面作 為冷頁面；(3)對于每一個熱頁面選取任
華中科技大學
2021-04-14
一種面向 NUMA 架構的虛擬 CPU 調度優化方法
本發明公開了一種面向 NUMA 架構的 VCPU 調度優化方法，具 體地：采集每個 VCPU 的訪存信息，分析計算各 VCPU 的訪存特征； 根據每個 VCPU 的內存塊位置和類型，在將訪存密集型 VCPU 平均分 配到不同 NUMA 節點的基礎上，保證最大限度的本地內存訪問；當存 在空閑的 CPU 時，根據 CPU 負載大小以及 CPU 所屬節點信息，為該 空閑的 CPU 選取一個合適的 VCPU 來運行。本發明針對訪存密集型應
華中科技大學
2021-04-14
異構并行系統下時間能耗權衡優化的任務調度算法
本發明提出了一種基于時間-能耗重要性比重的并行任務調度算 法，在滿足時間和能耗的雙重限制下，實現異構并行系統下任務所用 時間和能耗的權衡優化。本發明考慮到實際情況中任務受各種因素的 影響，執行時間不是固定且確定的，而是近似于正態分布，因此在確 定任務調度順序時，不采用以往技術中使用執行時間平均值的方法， 而是將執行時間的平均值和方差同時考慮進來使用近似權重。在任務 分配階段，同時考慮時間和能耗這兩個性能指標，并能根據
華中科技大學
2021-04-14
一種具有耦合電感的多電平級聯逆變器
本發明公開了一種具有耦合電感的多電平級聯逆變器，其中， 有 N 個逆變單元并聯，每個單相 H 橋對應一個耦合電感，N≥2，且 N 為自然數；同一個單相 H 橋逆變單元的左橋臂側的上橋臂是第一功率開關管，同一個逆變單元的左橋臂側的下橋臂是第二功率開關管，同 一個單相 H 橋單元的右橋臂側的上橋臂是第三功率開關管，同一個單 相 H 橋單元的右橋臂的下橋臂是第四功率開關管，第一功率管、第二 功率管、第三功率管和第四功率管均為絕緣柵雙極性晶體管 IGBT；N 個耦合電感以循環對稱的結構連接。本發明在無需復雜
華中科技大學
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構
本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內涂覆有
華中科技大學
2021-04-14