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?芯片：4 顆 Leo Chip 芯片，專注零知識證明運算加速 ?存儲：64GB LPDDR4 顯存 ?接口：PCIe 4.0 x16 接口（可拆 4 個 x4 通道） ? 架構：雙插槽、10.8 英寸全高全長設計，ASIC LEO（DPU）架構，運行穩定 ? 散熱：被動式散熱，系統氣流控溫 ? 功耗：300W 熱設計功耗，穩定處理高強度任務 ? 應用場景：在區塊鏈、隱私計算領域表現突出，支持 Scroll、Zcash、Manta 等項目，快速完成零知識證明生成與驗證，保護用戶隱私。適用于區塊鏈、隱私計算、身份驗證、云計算與大數據、物聯網等領域，滿足不同場景下的隱私保護、計算加速、安全驗證等需求。      

針對高粉塵、強腐蝕、易結疤的惡劣工業環境，研究具有防塵、抗腐蝕、防結疤功能的機器人機構，并基于光機電一體化技術和機器視覺技術實現對顆粒物料進行自動取樣和非接觸動態在線檢測，降低技術人員在惡劣環境下工作的時間長度，同時提高粒度檢測的準確性和穩定性。  工作流程： （1）機械臂取料：從生產線上進行取樣； （2）物料傳送：對采集樣本進行打散、干燥、運輸； （3）粒度檢測：基于機器視覺實現樣本的非接觸檢測 （4）返還樣本：將檢測后的樣本返還至生產線； 性能指標： （1）總體重量: 1000 kg； （2）取樣行程: 1~2 m； 取樣速度: 2-5 kg/min; 工作時間：24 h/天； （4）檢測范圍：直徑 0.5-25 mm （5）重復精度：<2%  主要特點與功能： （1）采用仿生外骨骼、驅動器遠置、自清潔機構實現機器人的防塵、防結疤； （2）通過雙CCD提高檢測精度與速度； （3）基于視覺伺服實現采樣和檢測速度的自動控制； （4）建立粒度檢測數據庫，實現檢測結果的實現顯示和歷史數據的遠程查詢；（5）實時數據與生產控制DCS系統連接，將檢測數據用于生產造粒參數控制      

本發明提供了一種氣動直線驅動的芯片拾取翻轉裝置，主要包括旋轉驅動組件、翻轉臂組件、直線驅動組件、芯片吸取組件和傳感器組件，在旋轉驅動組件的驅動下翻轉臂組件帶動芯片吸取組件翻轉實現對芯片的翻轉，直線驅動組件驅使吸取組件的吸嘴靠近或遠離芯片實現對芯片的安全吸取，傳感器組件檢測吸取組件的翻轉角度以供外部控制系統。旋轉驅動組件采用伺服電機與減速器的配合方式，保證較高的翻轉精度；直線驅動組件采用氣動驅動方式調節吸嘴與芯片間的距離以保證兩者間的安全間隙。

本實用新型公開了一種水培苗定植海綿夾取式自動分離機。包括固定組件和夾取分離組件；夾取分離組件安裝在固定組件一側，通過夾取分離組件中的氣缸推動夾具夾取海綿，同步帶輪運輸機構將滑桿向遠離海綿的方向運動，滑桿上的夾具隨著軌跡控制板的通槽相互之間距離變大，撕裂海綿，使用上下運動氣缸將海綿插入定植板中，完成整個定植過程。本實用新型結構簡單、功能完善、性能穩定，能夠高效地實現將整塊海綿分離成一小塊并放入定植板中的任務。

本發明公開了一種多相機系統的取像同步控制設備，包括同步脈沖發生器、第一和第二脈沖可調模塊、光束發生器和分光鏡組件，其中同步脈沖發生器用于按照所設定的脈沖周期和寬度，對所有相機和第一脈沖可調模塊同步發出脈沖信號；第一、第二脈沖可調模塊分別用于對脈沖信號執行前沿后移和后沿前移處理，并發送至光束發生器；光束發生器按照脈沖信號發出準直光束或無衍射光束，并經由分光鏡分光后同步到達各個相機，由此實現對同一光束的取像同步控制過程。本發明還公開了相應的取像同步控制方法及其應用。通過本發明，能夠以結構緊湊、便于操作的

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。