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一、產品簡介      光無源器件是光纖通信設備的重要組成部分。它是一種光學元器件，也是其它光纖應用領域不可缺少的元器件。該實驗儀重點介紹了常用的光無源器件的相關參數及測試方法，主要包括光纖轉換器、光纖變換器、光纖耦合器，光纖隔離器、光纖衰減器、WDM等器件的參數的測試原理及測試方法。幫助學生直觀的了解各種光無源器件的性能，從而更準確的使用不同器件進行光纖通信方面實驗。 二、實驗內容  1、光纖轉換器測試實驗  2、光纖變換器測試實驗  3、光纖耦合器測試實驗  4、光纖隔離器特性測試實驗  5、波分復用器和解復用器測試實驗  6、可調光纖衰減器測試實驗  7、光纖機械光開關特性測試實驗  8、光纖偏振控制器特性測試實驗  9、光纖偏振分束器（PBS）性能能參數測試實驗 三、實驗配置參數 1、光源：波長1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續可調；輸出端口：FC/PC；穩定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計：波長范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準波長：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機械光開關：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調衰減器：0-30db可調； 9、配置：光纖光源，光纖光功率計、光纖耦合器、光波分復用器、光纖偏振控制器、光纖偏振分束器，可調衰減器、光纖隔離器、光纖機械光開關、法蘭盤、實驗指導書及實驗錄像光盤等。 四、實驗目的 1、了解光連接器及其原理、種類，實驗操作進行連接器參數測量； 2、掌握光纖偏振控制器工作原理，實驗操作單模光纖偏振狀態控制； 3、了解光纖耦合器用途及其性能參數，實驗操作測量耦合器特性參數測量； 4、了解光纖隔離器用途及其性能參數，實驗操作光纖隔離器特性參數測量； 5、了解光纖光開關用途及其性能參數，實驗操作光纖光開關特性參數測量； 6、了解光波分復用器（WDM）的原理與意義，操作雙波長波分復用（WDM）的原理性實驗；

可以設計并優化光纖激光器和放大器、光波導激光器、光纖耦合器、多芯光纖、螺旋芯光纖、錐形光纖；也可以模擬超短脈沖在不同光纖設備中的傳輸，例如在光纖放大器系統、鎖模光纖激光器和通訊系統中的傳輸。 能夠跟蹤和優化光纖放大器和光纖激光器，讓它們適合各種應用。幫助評估和排除光纖激光器和放大器中各種不利的影響；能夠對有源光纖器件性能進行預測；能尋找最佳光纖長度、摻雜濃度、折射率分布等；能夠計算摻雜濃度與光線的關系，準確模擬雙包層光纖，還可以模擬時域動態變化，可以理解和優化的細節如功率效率和噪聲系數。 RP Fiber Power可用于分析和優化各種器件： 單模和多模光纖 計算模式特性；計算光纖耦合系數；模擬光纖彎曲、非線性自聚焦效應對光束傳輸和高階光孤子傳輸的影響。 光纖耦合器、雙包層光纖、多芯光纖、平面波導 模擬雙包層光纖的泵浦吸收,光纖耦合器的光束傳輸, 光在錐形光纖的傳輸, 分析彎曲的影響, 放大器中的交叉飽和影響, 泄漏模式等。 光纖放大器 研究單級和多級放大器中的增益飽和特性(連續或脈沖放大器), 鉺鐿共摻光纖放大器能量轉移過程、猝滅效應、自發輻射放大等。 光纖通信系統 分析色散與非線性信號失真，放大器噪聲的影響，優化放大器非線性效應和放置位置。 光纖激光器 分析并優化能量轉換效率、波長調諧范圍、動態調Q。 超快光纖激光器和放大器 研究脈沖的形成機制和穩定范圍，非線性效應和色散的影響，拋物脈沖放大，優化色散脈沖壓縮，靈敏度反饋，超連續譜的產生。 脈沖和超快速固體激光器和放大器 研究Q開關，模式鎖定行為，找到可飽和吸收器所需的特性，分析反饋靈敏度，啁啾脈沖放大研究再生放大穩定性極限。 這款軟件是致力于光纖器件學科研究或工業開發人士的必備工具。這款軟件及其技術支持將為您的工作效率和工作能力提供極大的便利。同時，這款軟件也是一款相當出色的教學工具。 目前已使用該軟件的高校：耶拿大學、英國南普頓大學、北京工業大學、中國科學技術大學、上海技術應用學院、華中科技大學、西北大學、復旦大學、深圳大學、國防科技大學、長春理工大學、南京理工大學等。 目前已使用該軟件的單位：費朗霍夫研究所、蘇州納米所、兵器裝備部、三江航天、上海光機所、綿陽九院、中科院軟件所、中科院光電所商業單位、北京敏視達雷達有限公司等。   ※ 光纖數據： 軟件中帶有各種稀土摻雜光纖數據，即時可以仿真各種光纖激光器和放大器。   ※ 各種公開數據： “Yb-germanosilicate” “ErYb-phosphate” “Er-fluorozirconate F88” “Er-silicate L22”  “Er-fluorophosphate L11”  

本發明公開了一種低品位熱能驅動的吸收式制冷除濕一體化空調系統，包括溶液除濕循環回路和溶液制冷循環回路；溶液除濕循環回路包括發生器、溶液?溶液換熱器和溶液除濕器；發生器輸出端a通過溶液?溶液換熱器連接溶液除濕器輸入端，溶液除濕器輸出端通過溶液?溶液換熱器連接發生器輸入端；溶液制冷循環回路包括吸收器、溶液?溶液換熱器、發生器、冷凝器、蒸發器以及表冷器；吸收器輸出端通過溶液?溶液換熱器連接發生器輸入端，發生器輸出端a通過溶液?溶液換熱器連接吸收器輸入端b，發生器輸出端b連接冷凝器輸入端，冷凝器輸出端a連接蒸發器輸入端a，蒸發器與表冷器通過第二閥門和冷凍水泵連接，蒸發器輸出端b連接吸收器輸入端a。

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結構，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應的讀出電路實現電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

高效、低成本太陽能空調的創新要點：1) 采用高效、緊湊的板殼式換熱器組成溴化鋰吸收式制冷機。具有優良強化傳熱性能的波紋板傳熱元件采用不銹鋼材料，其耐腐蝕性能優于銅管，且材料單價較低，批量生產時，因材料消耗少可使成本比目前的銅管方案降低40%左右。2) 采用雙效與單效耦合蓄能運行的循環方案。采用中溫型太陽能集熱器產生0.6MPa的水蒸汽，白天日照時段采用雙效循環運行并進行蓄熱，而在其余時段利用蓄熱按單效循環驅動制冷機運行。該方案不僅效率高，日平均當量制冷性能系數可達0.8~1左右，而且其單位體積蓄能罐的蓄能密度極大，可實現無需用輔助能源而完全靠太陽能進行晝夜空調。3) 建設太陽能空調和熱水站綜合系統，在居民住宅樓的屋頂布置太陽能集熱器陣，建設全年供應全體住戶生活熱水的太陽能熱水站和夏季供應頂一、二層住戶空調冷水的綜合系統；若結合地源水低溫熱源系統則可建設吸收式熱泵系統用于冬季采暖。由于綜合利用系統中集熱器的投資費用被所有熱水用戶分攤，空調用戶的投資可很快從節省的電費中得到回收，該綜合系統可在目前的技術水平和能源價格下使太陽能空調獲得良好的經濟效益。并為太陽能熱水器的發展開拓了更大的空間。23kW(2萬kcal/h) 用于太陽能空調的雙效與單效耦合型板殼式溴化鋰吸收式制冷機。

氣體水合物相變蓄冷技術是一種新型的節能環保蓄冷技術，利用制冷劑水合物相變潛熱儲存能量，可將富余能量儲存起來，然后在用能峰期將能量釋放出來，在工業與民用建筑、空調、冰箱的節能中有重要應用價值。此研究項目基于溶液熱力學和晶體生長理論，將常壓下為液相制冷劑制備為熱力學穩定的納米制冷劑水合物相變蓄冷材料，將改變目前普遍利用機械力或外場等使水相和制冷劑相混合的方法，比傳統蓄冷劑具有熱力學性質穩定、反應速率快、制備簡單、使用方便、蓄冷效率高的優點。

本發明屬于制冷劑技術領域，具體涉及一種制冷劑液滴的可視化測量裝置和方法，裝置包括：液滴進樣系統，進樣倉通過進樣閥連接沿重力方向設置的毛細針管；高壓可視化系統，毛細針管伸入與進樣倉連通的觀測倉；可視窗口設于觀測倉相對側壁，觀測平臺固定于觀測倉內且在可視窗口間、毛細針管下方，熱電效應半導體設于觀測平臺上；壓力控制系統，電加熱模塊和半導體制冷片設于進樣倉上，壓力微控制單元與兩者電聯；光學成像系統，高速攝像機和光源設于可視窗口外，計算機與兩者電聯。與現有技術相比，本發明解決現有技術需高成本、操作復雜的高壓進樣設備且僅能測量液滴接觸角。本方案通過液體工質的重力作用，實現高壓環境下進樣，不需高壓進樣設備。

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線

本發明公開了一種基于全息波導的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設計方向決定。本發明利用光瞳重塑方式解決了傳統二維擴瞳方式產生的大視場角情況下的視場分離。

傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。