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本發(fā)明公開了一種基于運(yùn)動(dòng)檢測(cè)的舵片偏轉(zhuǎn)極性識(shí)別方法，包括：取得舵片未偏轉(zhuǎn)靜態(tài)圖像，運(yùn)用旋轉(zhuǎn)矩形掩模提取出各舵片的感興趣區(qū)域圖像作為各舵片背景幀，同時(shí)得到正負(fù)偏轉(zhuǎn)分割區(qū)域；對(duì)各舵片動(dòng)態(tài)圖像結(jié)合各舵片背景幀運(yùn)用背景消除法得到各舵片運(yùn)動(dòng)圖像，對(duì)各舵片運(yùn)動(dòng)圖像進(jìn)行去噪和增強(qiáng)處理，獲得各舵片識(shí)別圖像，進(jìn)而獲得各舵片識(shí)別圖像在正負(fù)偏轉(zhuǎn)分割區(qū)域的平均灰度值，根據(jù)單幀識(shí)別圖像正負(fù)偏轉(zhuǎn)分割區(qū)域的平均灰度值和正負(fù)偏轉(zhuǎn)分割區(qū)域的多

本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹

本發(fā)明公開了一種入射角不敏感的顏色濾光片，包括基底，所述的基底上布置有若干圓柱形的光柵，所述光柵以正六邊形排列，光柵材料為硅，基底材料為熔融石英。本發(fā)明還公開了上述濾光片的制備方法。本發(fā)明的入射角不敏感顏色濾光片，與傳統(tǒng)的化學(xué)濾光片和傳統(tǒng)的干涉濾光片不同，它采用二維光柵的結(jié)構(gòu)，利用光柵層中產(chǎn)生的巨大的折射率差別，通過高低折射率差區(qū)域之間的耦合產(chǎn)生諧振，從而達(dá)到入射角不敏感的濾光效果。本發(fā)明入射角不敏感的顏色濾光片的制備方法，制備簡單，成本低，便于大規(guī)模、批量化生產(chǎn)。因此該發(fā)明有望在液晶顯示、彩色印刷、傳感探測(cè)和防偽等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

本實(shí)用新型公開了一種氣體超聲波換能器壓電片與匹配層的壓制夾具。底座安裝下壓板，底座上部安裝氣缸，上壓板與氣缸連接，上壓板下端面中間縱向設(shè)有滑槽，二塊固定V型塊固定在滑槽內(nèi)，上端放有壓電片的真空吸盤安裝在上壓板孔中，并對(duì)真空吸盤和壓電片的定位與夾緊；下壓板上端面設(shè)有與上壓板滑槽對(duì)稱布置的滑槽，固定V型塊固定在滑槽內(nèi)，上端放有匹配層的真空吸盤安裝在下壓板孔中，活動(dòng)V型塊推動(dòng)在滑槽內(nèi)移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)真空吸盤和匹配層的定位與夾緊；二個(gè)真空吸盤開有中心孔，分別經(jīng)上、下壓板上的氣孔、氣管與各自真空發(fā)生器連接。本實(shí)用新型采用負(fù)壓吸附裝卸壓電片和匹配層方便；使用V型塊定位和夾緊實(shí)現(xiàn)壓電片和匹配層對(duì)中，同軸度較高。

成果簡介：大蒜素軟膠囊和大蒜素片的藥理作用很廣：1）抗菌作用：大蒜 素對(duì)葡萄球菌、腦膜炎雙球菌、肺炎雙球菌、鏈球菌、白喉?xiàng)U菌、痢疾桿菌、 大腸桿菌、傷寒桿菌、副傷寒桿菌、結(jié)核桿菌、霍亂弧菌等均有明顯的抑致或殺滅作用。2）對(duì)心血管的作用：大蒜素對(duì)飼膽固醇引起家兔高膽固醇血癥，高血液凝固性和主動(dòng)脈脂質(zhì)沉積具有保護(hù)作用。并有降低血膽固醇、三酸甘油酯和脂蛋白的作用。3）抗癌和提高免疫力作用：對(duì)肺部和消化道的霉菌感染有抑制作用，大蒜與腫瘤抽出

本發(fā)明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內(nèi)襯。在高壓釜內(nèi)襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應(yīng)：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應(yīng)后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉(zhuǎn)/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產(chǎn)物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產(chǎn)物物性能優(yōu)良。

近日，天津大學(xué)姜忠義教授、Michael Guiver教授、尹燕教授合作報(bào)道了單相法合成共價(jià)有機(jī)框架（COF）納米片的研究工作。單相法擺脫了目前常用的“兩相法”或“多相法”對(duì)表面/界面的依賴，利用電荷排斥效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了COF納米片的超高體積收率。

本發(fā)明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的熱壓設(shè)備，該設(shè)備包括：由上下兩個(gè)熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側(cè)用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應(yīng)疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對(duì)柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進(jìn)行檢測(cè)和反饋的薄膜檢測(cè)裝置和上料檢測(cè)裝置。通過本發(fā)明，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱壓、上料、拾取和轉(zhuǎn)移等多種功能，結(jié)構(gòu)緊湊，便于控制和操作，并利用視覺定位技術(shù)和獨(dú)立的熱壓裝置支撐框架來進(jìn)一步保證薄膜疊層的精度。

現(xiàn)階段所設(shè)計(jì)的存算一體器件單元結(jié)構(gòu)如圖 1 所示： 器件的基本結(jié)構(gòu)由波導(dǎo)和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護(hù)層、相變材料（硫系化合物）層）所構(gòu)成。擬通過在當(dāng)前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺(tái)上集成四氮化三硅光波導(dǎo)的方式實(shí)現(xiàn)器件的光學(xué)讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導(dǎo)層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導(dǎo)。功能層主要用于實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發(fā)生相變。因此需要加熱器層具備較好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，同時(shí)在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當(dāng)前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質(zhì)因數(shù)，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學(xué)常數(shù)反差，可在更惡劣的高溫環(huán)境下進(jìn)行操作，適用于硅基光子器件應(yīng)用。 采用的主要技術(shù)手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學(xué)編程、光學(xué)讀取的方法實(shí)現(xiàn)器件的存儲(chǔ)、算術(shù)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算功能：  存儲(chǔ)功能的實(shí)現(xiàn)：擬利用相變材料晶態(tài)低透過率和非晶態(tài)高透過率分別代表二進(jìn)制中的‘1’和‘0’，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產(chǎn)生電流流經(jīng)加熱層時(shí)，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發(fā)生相變，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能。在完成上述編程操作后，從器件波導(dǎo)輸入端輸入讀取連續(xù)光。由于相變材料功能層對(duì)光強(qiáng)的吸收能力在編程和非編程區(qū)域間存在著顯著的差異，因此當(dāng)輸入光經(jīng)過波導(dǎo)后，其能量會(huì)因?yàn)橄嘧儾牧暇幊虆^(qū)域的吸收而發(fā)生改變，進(jìn)而顯著改變輸出光強(qiáng)能量。所以通過測(cè)量輸入輸出光強(qiáng)的能量之比（即透過率），可實(shí)現(xiàn)對(duì)先前編程區(qū)域的讀取。  算術(shù)和邏輯功能的實(shí)現(xiàn)：通過調(diào)整編程電脈沖的幅度和寬度可以動(dòng)態(tài)調(diào)控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數(shù)值，實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)功能。所以擬采用輸入脈沖數(shù)量對(duì)應(yīng)加數(shù)的方法實(shí)現(xiàn)標(biāo)量加法計(jì)算。同時(shí)由于所設(shè)計(jì)器件的讀取連續(xù)光輸出功率可視為讀取連續(xù)光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數(shù)和乘數(shù)的方法實(shí)現(xiàn)基本乘法運(yùn)算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態(tài)設(shè)置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產(chǎn)生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時(shí)設(shè)定一個(gè)判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進(jìn)行對(duì)比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調(diào)特性驗(yàn)證其實(shí)現(xiàn)神經(jīng)突觸的可行性。并依托所設(shè)計(jì)人工突觸構(gòu)建人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片，實(shí)現(xiàn)圖像、語音和文本識(shí)別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學(xué)習(xí)的神經(jīng)生物學(xué)基礎(chǔ)，也是人工類腦器件需要實(shí)現(xiàn)的首要功能。為實(shí)現(xiàn)突觸可塑性，擬把相變材料和波導(dǎo)之間的耦合區(qū)域視為仿生神經(jīng)突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調(diào)節(jié)從左右兩端電極輸入耦合區(qū)域的電脈沖時(shí)間差對(duì)耦合區(qū)域的光透過率進(jìn)行連續(xù)調(diào)控，進(jìn)而依托于上述存算理論模型和實(shí)物器件仿真和實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)仿生神經(jīng)突觸的脈沖時(shí)序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設(shè)計(jì)的突觸單元, 經(jīng)過相變材料的作用，脈沖強(qiáng)度發(fā)生變化，對(duì)應(yīng)于乘法器。進(jìn)而借助于微環(huán)結(jié)構(gòu)，將不同波長的脈沖導(dǎo)入進(jìn)同一波導(dǎo)中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強(qiáng)較小時(shí)，讀取光與微環(huán)發(fā)生共振，在輸出端口沒有光強(qiáng)輸出。當(dāng)光強(qiáng)達(dá)到一定的閾值后，讀取信號(hào)不再和微環(huán)發(fā)生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經(jīng)元脈沖信號(hào)的激發(fā)，實(shí)現(xiàn)了非線性激活函數(shù)的功能。利用上述的單個(gè)神經(jīng)元結(jié)構(gòu)，驗(yàn)證其監(jiān)督式機(jī)器學(xué)習(xí)和非監(jiān)督式機(jī)器學(xué)習(xí)。對(duì)于監(jiān)督式機(jī)器學(xué)習(xí)，權(quán)重的數(shù)值通過外部管理器設(shè)置；對(duì)于非監(jiān)督式機(jī)器學(xué)習(xí)，不再需要外部管理器來設(shè)置權(quán)重值，而是通過輸出光脈沖進(jìn)行反饋控制，調(diào)整權(quán)重值。在單個(gè)神經(jīng)元結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，更復(fù)雜的光學(xué)脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，證明該結(jié)構(gòu)的可擴(kuò)展性。擬設(shè)計(jì)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的每一層結(jié)構(gòu)包括三個(gè)功能單元，即收集器、分發(fā)器和神經(jīng)突觸結(jié)構(gòu)。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號(hào)收集到同一根波導(dǎo)中，分發(fā)器將光脈沖分發(fā)給多個(gè)神經(jīng)元，神經(jīng)突觸結(jié)構(gòu)則產(chǎn)生光脈沖信號(hào)，輸入給下一層結(jié)構(gòu)。基于上述結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)圖片、語音和文本的識(shí)別。 創(chuàng)新性分析：①首次研究了一款基于“電學(xué)編程、光學(xué)讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統(tǒng)電學(xué)存算一體化器件相比,擬研發(fā)的器件可以進(jìn)行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號(hào)間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優(yōu)點(diǎn)。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現(xiàn)出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學(xué)脈沖刺激、光學(xué)權(quán)重調(diào)節(jié)”的人工神經(jīng)突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經(jīng)突觸，填補(bǔ)了光電混合型人工突觸的技術(shù)空白。 先進(jìn)性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統(tǒng)集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術(shù)的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優(yōu)越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統(tǒng)材料具有的快速相變轉(zhuǎn)化速度、低功耗和穩(wěn)定性強(qiáng)等特性，且本身在通信波段非晶態(tài)透明的同時(shí)還保持了相變前后足夠大的光學(xué)性能差異的特點(diǎn)。③所設(shè)計(jì)的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優(yōu)點(diǎn)，具有高集成度、低功耗、超快響應(yīng)時(shí)間、穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 獨(dú)占性分析：根據(jù)已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關(guān)鍵技術(shù)的獨(dú)有權(quán)。