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一種碳納米球/NiCo2O4復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種用于鋰離子電池、超級(jí)電容器的高能量密度的碳納米球/NiCo2O4 復(fù)合材料及其制備 方法與應(yīng)用，所述的碳納米球/NiCo2O4 復(fù)合材料是粒徑為 100-300nm 的核殼結(jié)構(gòu)納米微球，其內(nèi)層是粒 徑為 50-200nm 的碳納米球，外層是厚度為 20～100nm 的 NiCo2O4 包覆層。其制備方法為：先將粒徑為 50-200nm 的碳納米球與油酸鈉混合后超聲分散均勻；然后加入弱堿、Co2+和 Ni2+，混合均勻后水熱處 理得
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法
本發(fā)明涉及一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法，對(duì)模塊化多電平變換器的優(yōu)化控 制方面的問(wèn)題進(jìn)行研究，優(yōu)化目標(biāo)為模塊化多電平變換器的輸出電流波形最優(yōu)，本發(fā)明結(jié)合模塊化多電平變 換器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和輸出特性，采用各相上橋臂投入子模塊的數(shù)目表示工作狀態(tài)，對(duì)模塊化多電平的工作狀態(tài) 進(jìn)行優(yōu)化，通過(guò)編碼操作，注入疫苗，親和度計(jì)算，濃度計(jì)算，免疫選擇，交叉操作，變異操作，倒位操作， 經(jīng)過(guò)多次迭代收斂后得到優(yōu)化后的模塊化多電平變換器的輸出電壓階梯波。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物及其制備方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯經(jīng)熔融共混制備得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超過(guò)20vol％。本發(fā)明還提供了所述低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物的制備方法。本發(fā)明加工過(guò)程操作簡(jiǎn)單、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本發(fā)明所述三元共混物能夠在聚苯乙烯含量很低的情況下形成連續(xù)相結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)拓寬了共混物在低含量下的連續(xù)相結(jié)構(gòu)應(yīng)用以及其潛在的功能化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
四川大學(xué)
2016-09-29
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一種基于附加交變電壓的無(wú)氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法
"本發(fā)明公開(kāi)了一種基于附加交變電壓的無(wú)氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線(xiàn)圈閉環(huán)控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線(xiàn)圈，在線(xiàn)圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據(jù)輸入摻雜的特征交變電壓和線(xiàn)圈電流中具有相同特征的電流分量辨識(shí)出懸浮電磁鐵線(xiàn)圈電感，通過(guò)電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進(jìn)行閉環(huán)控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡(jiǎn)化系統(tǒng)，通過(guò)附加線(xiàn)圈得到的電感可以反映真實(shí)的懸浮氣隙，本發(fā)明可以降低磁浮列車(chē)系統(tǒng)軌道精度要求，也不會(huì)由于氣隙傳感器的測(cè)量不準(zhǔn)確導(dǎo)致系統(tǒng)控制不穩(wěn)定，可以比較好的解決磁浮列車(chē)過(guò)軌縫、齒槽效應(yīng)等問(wèn)題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優(yōu)點(diǎn)。 "
西南交通大學(xué)
2016-07-05
地質(zhì)大學(xué)（北京）.jpg){kind=logo}
一種利用縱橫波波阻抗增量比識(shí)別天然氣水合物的方法，
眾所周知，BSR是識(shí)別水合物的主要標(biāo)志。但世界各地鉆探結(jié)果表明，沒(méi)有BSR的地方也可能有水合物。BSR不是識(shí)別水合物的充分必要標(biāo)志。高速特征也是人們用來(lái)識(shí)別水合物的標(biāo)志。但很多非水合物的地質(zhì)因素也能夠使地層的速度增大。本專(zhuān)利成果提出了一種排他的識(shí)別水合物的有效方法。該方法能夠區(qū)分水合物和非水合物因素引起的高速特征。從而，大大提高水合物識(shí)別的可靠性。
中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（北京）
2021-04-14
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原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡(jiǎn)介： 可發(fā)性聚苯乙烯（EPS）因其優(yōu)異特性以及質(zhì)輕價(jià)廉等優(yōu)點(diǎn)，在許多領(lǐng)域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產(chǎn)品和車(chē)輛裝飾等領(lǐng)域更備受青睞。特別是國(guó)家提倡節(jié)能減排、要求建筑節(jié)能50%-65%以來(lái)，以及各地的"暖房子"工程相繼實(shí)施，低導(dǎo)熱系數(shù)EPS的制備成為EPS行業(yè)研究的熱點(diǎn)。 德國(guó)巴斯夫和韓國(guó)錦湖相繼推出了低導(dǎo)熱系數(shù)黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對(duì)外保密，以此控制低導(dǎo)熱系數(shù)G-EPS市場(chǎng)。而我國(guó)G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學(xué)
2021-04-14
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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過(guò)程的方程并行計(jì)算方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過(guò)程的方程 并行計(jì)算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗(yàn)規(guī)則用校驗(yàn)方程組 表示，把每個(gè)校驗(yàn)方程在編解碼過(guò)程中的求解分解為兩個(gè)階段——“預(yù) 計(jì)算階段”以及“遞歸求解階段”；每個(gè)校驗(yàn)方程由一個(gè)獨(dú)立的線(xiàn)程 實(shí)施求解，多個(gè)校驗(yàn)方程的預(yù)計(jì)算階段被并行執(zhí)行；使用一個(gè)全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線(xiàn)程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場(chǎng)；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14