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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
薄膜材料生長系統
集成電路產業需要大量高端薄膜生長設備，上個世紀80年代，MBE作為一種尖端技術，國外就對中國進行了技術封鎖，禁運中國。甚至在今天，MBE仍然屬于美國對中國出口的管制類產品，每一臺都要經過復雜的審批過程。
南京大學
2021-04-10
柔性透明導電薄膜
中試階段/n透明導電薄膜是平臺式材料，是光電產業上游重要產品。柔性透明導電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設備等戰略性新興柔性光電子產業，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關領域取代ITO薄膜及金屬網格。本項目開發從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術，開發一系列面向不同光電器件需求的產品。目前，團隊通過第三方機構認證的樣品透過率導電性耐彎折特性處于國際先進水平。目前，正在進行小試階段的研發工作，高純原料和部分裝備可國產化。
華中科技大學
2021-01-12
薄膜加工技術
研究團隊在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明導電薄膜 研發。所制備的液晶光學窗口元件實現可見區平均透過率大于 90%，明視覺反射 率分別為:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方塊電阻低于 13 歐姆，理論 電磁屏蔽能力優于 24dB，經用戶確認，性能指標處于國內領先，達到國際先進 水平。填補了高性能透明導電薄膜研發的空白，打破了西方國家在該領域的技術 壟斷。該研究工作為透明導電薄膜關鍵元件在國防軍工產品的裝備應用提供理論 依據和技術支撐。2)1064 帶通
上海理工大學
2021-01-12
多元氧化物納米薄膜及薄膜晶體管
北京工業大學
2021-04-14
杭光
杭光
2022-05-26
濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復合薄膜的腐蝕液及其制備方法
一種濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復合薄膜的腐蝕液，由雙氧水、硝酸、氫氟酸和純凈水配制而成，純凈水、雙氧水、硝酸、氫氟酸的體積比為：純凈水∶雙氧水∶硝酸∶氫氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蝕液的制備方法，按上述配方在常溫、常壓下將計量好的純凈水與雙氧水混合均勻，然后加入計量好的硝酸并混合均勻，繼后加入計量好的氫氟酸并混合均勻。所述腐蝕液可干凈、徹底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO復合薄膜，得到邊緣清晰、側蝕比小的刻蝕圖形。
四川大學
2021-04-11
高端薄膜材料生長系統
"專門針對實驗室對小樣品的生長需求，設計小型緊湊的生長腔室、樣品臺，同時降低購買價格與運行成本。 ? 緊湊的生長腔室 （內徑 ~ 300 mm）：內表面積小，更容易實現超高真空，整體占地面積不到1㎡。 ? 電子束加熱的小樣品臺：定向加熱，降低了傳統燈絲熱輻射加熱的耗散，保證了較低的環境溫度，對真空有利。同時加熱速率很快。 ? 30多個標準法蘭接口：可擴展性好。 ? 小樣品托（18 *12 mm）：剛好適合10 mm左右樣品，同時兼容ARPES，STM等標準樣品托。"
南京大學
2021-04-10
超分子薄膜構筑方法
首先，一種大頭基的表面活性劑(DEAB)可以與反電荷的多頭配體(TPE-BPA)得到一種納米尺寸的無規配位簇，而后金屬離子(Zn2+)的加入則可迅速使之交聯形成無定形的白色沉淀物。通過自發的結塊過程，沉淀中的分子可進一步發生重排運動，并使其由白色粉末狀的固體在短時間內轉變形成透明且可自支撐的薄膜材料。
北京大學
2021-04-11