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本發明公開了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內與氫氣反應(氫爆方法)破碎成細小粉末或球磨成細小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內與氫氣反應生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復合材料，最后將上述復合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價格低廉的特點，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術保密、軍事隱 身技術等領域。

本發明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實現高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對應毫米波天線輻射單元的位置處設有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發明通過在封裝罩上設計喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠實現小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

本發明公開了一種電力系統故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標，并且采用雙緩沖技術， 在繪制多面板、多通道時，先將所有面板繪制在緩沖區里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時，減小采樣率；查看局部時， 按真實采樣點數繪制；波形放大平移后，只繪制用戶可見時間區間內 的點。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動光標時不斷重繪波形圖， 提高流暢度。 

基于磁致伸縮扭轉波檢測導磁構件缺陷的裝置，屬于超聲波無損檢測裝置，目的在于克服縱向模式導波衰減較大，存在明顯頻散效應的不足，檢測時無須對構件表面進行處理。本發明包括脈沖信號發生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉波傳感器、信號預處理器、A/D 轉換器以及計算機；磁致伸縮扭轉波傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機控制脈沖信號的產生，經功率放大器放大，通過激勵單元在構件中產生扭轉波，接收單元接收構件中傳播的扭轉波，經信號預處理器處理，通過 A/D 轉換器轉換為數字信號，通過計算機處理獲得構件的缺陷信息。本發明可

本發明公開了一種異構毫米波蜂窩網絡的速率估計方法，首先，以典型用戶終端為中心，在視距鏈路情況和非視距鏈路情況下，對小型基站與微基站對應的兩層網絡進行對應比例縮放，使之能夠視為虛擬單層網絡；然后根據典型用戶終端在網絡中所處的位置，宏基站實現信號的調度，根據虛擬單層網絡為用戶分配最近小型基站或者微基站，再由毫米波通信的小型基站和微基站為用戶提供具體服務。在此基礎上，估計網絡的平均可達速率。由于考慮到了環境因素對毫米波通信的影響，區分視距情況與非視距情況，將多層毫米波網絡歸一化為單層虛擬網絡，使之在虛擬單層網絡中距離用戶最近基站即為用戶的服務基站，提高了異構毫米波蜂窩網絡速率估計的準確性。

本發明公開了一種用于產生 OAM 波的環形縫隙天線，包括介質基板、矩形金屬貼片陣列和環形縫隙金屬板；環形縫隙金屬板設置在介質基板的正面，矩形金屬貼片均勻陣列分布在介質基板背面與環形縫隙金屬板的環形縫隙正對的位置；矩形金屬貼片的長度大于環形縫隙寬度；其優選方案還包括饋電電路和金屬反射板；饋電電路包括相移器和功分器，用于將一路輸入信號分成 N 路幅值相等、相位等差的輸出信號，經由矩形金屬貼片陣列給環形縫隙天線饋電；金屬反射板位于環形縫隙天線下方，以增強天線的正向輻射。本發明提供的這種環形縫隙天線天線能夠產生特定模式的 OAM 波，為生成 OAM 波提供了一種低成本、微型化的解決方法。

本發明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。

以配合物與被檢測物（農殘等有害物）間形成人工配體受體關系從而實現對被檢測物的分子識別，同時它們具有很好的光學性能即與被測物分子間相互作用會產生特異的光譜響應，通過納米與酶的復合物構建微芯片可建立對被檢測物的“指紋圖譜”，因此，可實現農藥殘留快速檢測。檢測結果具有特異性識別的“分子指紋圖譜”效果。系統由微陣列芯片、微分析系統、光學信號采集、轉化系統、信號的分析處理與顯示系統、嵌入式系統、微控制系統及數據庫的集成。該系統選擇具有特異性分子識別作用的卟啉分子，構建微傳感陣列，以微傳感陣列與被測物分子相互

產品詳細介紹 紫外光加速老化試驗機|紫外光耐氣候試驗箱|紫外老化箱 產品名稱：紫外光加速老化試驗機|紫外光耐氣候試驗箱|紫外老化箱 產品售價： 請咨詢 產品規格：ZN-P 產品備注：該系列產品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗。 說明： ■ 紫外老化箱產品用途   該系列產品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗。 ■ 紫外老化箱箱體結構   箱體采用數控機床加工成型，造型美觀大方，箱蓋為雙向翻蓋式，操作簡便。 箱體內膽采用進口高級不銹鋼板，箱體外膽采用A3鋼板噴塑，增加了外觀質感和潔凈度。 加熱方式為內膽水槽式加熱，升溫快，溫度分布均勻。 排水系統使用回渦型及U型積沉裝置排水，方便用戶清潔。 ■ 紫外老化箱控制系統   采用黑色鋁板聯接溫度傳感器，采用黑板溫度儀表控制加熱，溫度更穩定。 輻射計探頭采用固定式，無須每次裝卸。 輻射量采用高精度顯示和測量的專用紫外線輻照計。 輻射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可獨立控制可以交替循環控制。 光照和冷凝的獨立控制時間和交替循環控制的時間可在一千小時內任意設置。 ■ 紫外老化箱符合標準   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱規格與技術參數   型號 ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持樣板數量：150×75約40塊 性能指標 溫度范圍 RT＋10℃～70℃ 濕度范圍 ≥95％R.H 燈管間距離 35mm 樣品與燈管距離 50mm 紫外波長 290nm～400nm UV-A、UV-B、UV-C（定貨時說明） 燈管功率 40W 溫濕度運行控制系統 溫度控制器 進口LED數顯P、I、D+S、S、R.微電腦集成控制器 時間控制器 進口可編程時間電腦集成控制器（金鐘默勒） 光照加熱系統 全獨立系統，鎳鉻合金電加熱式加熱器 凝露加濕系統 全不銹鋼淺表面蒸發式加濕器 黑板溫度 雙金屬黑板溫度計 供水系統 加濕供水采用自動控制 暴露方式 濕汽冷凝暴露，光照輻射暴露 安全保護 漏電、短路、超溫、缺水、過電流保護/控制器停電記憶