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針對爆破振動波、沖擊波對周邊環境和建筑物影響，本團隊組織開展技術攻關，主要成果包括： 1.首次基于現場試驗，驗證了多次鉆爆沖擊波作用下，單層鋼化玻璃的疲勞破壞現象；制定臨建建筑物多次爆破沖擊波破壞效應的控制標準。 2.總結與圍巖等級相匹配的量產常用炸藥類型、水封爆破技術；建立了炸藥、巖石不同匹配值與爆破塊度之關系：對強度大于30MPa的III級及以上硬質圍巖，應采用2號巖石乳化炸藥；對強度介于5-30MPa的IV級軟巖，應采用二級煤礦許用炸藥。對強度小于5MPa的V圍巖，應采用三級煤礦許用炸藥，最優阻抗匹配系數為2.53-3.30。另據試驗結果知，為滿足隧道施工中裝運碴土要求，炸藥巖石阻抗匹配并非在匹配系數為1.0時最優，而在1.98-3.30之間，且圍巖強度越低，其對應最優阻抗匹配值越大。發現在藥量相同的情況下，水封爆破的振速小于常規爆破振速的非慣性推測現象，水封爆破有明顯的減振作用。初步分析認為，一是水封不同于水介質爆破；二是“水袋+炮泥”的可靠堵塞比常規堵塞和不堵塞工況，使爆破振動的各向分布均勻化所致。隧道水封爆破相比常規爆破工藝，具有降低炸藥單耗，提高能量利用率，提高循環進尺，降低振速，減小粉塵濃度等優勢，具有良好的技術經濟和社會效應。 圖1 測點布置示意圖 圖2 玻璃前后沖擊波超壓峰值變化曲線 圖3 爆破沖擊波反復作用下鋼化玻璃現場發生破裂

本發明公開了一種基于毫米波通信天線差速旋轉方式的毫米波天線對中控制系統。本發明的對中控制系統由多個相同的對中控制裝置組成，對中控制裝置分別設置在不同的毫米波天線通信站點中；每個對中控制裝置包括天線轉動模塊、位置信息檢測模塊、天線信息采集傳感器和對中控制模塊；天線轉動模塊、位置信息檢測模塊和天線信息采集傳感器分別與對中控制模塊。本發明能有效提高毫米波天線對中精度，實現天線自動化對中通信，減少對中前的準備工作和數據交換工作，增加毫米波的通信保密性，實現毫米波通信機動性、可靠性及野外自適應特性。

本發明公開了一種光控快速釋放磺胺嘧啶的抑菌光籠、制備方法及其應用，該抑菌光籠基于Sanger試劑的光控釋放體系，實現SD的高效時空釋放及靶向抗菌。本發明的光控快速釋放磺胺嘧啶的抑菌光籠，其具有如式SD?Py?N+所示結構的磺胺嘧啶?2,4?二硝基苯衍生物。

產品詳細介紹產品用途：該產品采用熒光紫外燈為光源,通過模擬自然陽光中的紫外光輻射和冷凝,對材料進行加速耐候性試驗,以獲得材料耐氣候性的結果。廣泛適用于非金屬材料、有機材料(如：涂料、油漆、橡膠、塑膠及其制品)經在陽光、濕度、溫度、凝露等氣候條件的變化下檢驗有關產品及材料老化現象程度及情況。 型號 ZN-P   內形尺寸D×W×H  450×1170×500:mm　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 一、技術參數:  1.溫度范圍：RT+10℃～70℃  2.濕度范圍：≥95%R.H  3.溫度波動度：≤±0.5℃   4.溫度均勻度：≤±2℃  5.溫度偏差：≤±1.5℃  6.濕度均勻度：≤±2%R.H  7.黑板溫度：40℃～65℃  8.燈管中間距離：35mm  9.樣品架與燈管距離：50mm 10.燈管功率：40W/支 11.輻照度范圍：小于50W/㎡ 12.紫外波長：280nm～400nm  13.支持樣板：厚10mm×寬75mm×高150mm 14.樣板數量：40塊 15.時間設定范圍：0～9999小時 16.電源要求：AC380（±10%）V/50HZ  三相五線制 二、箱體材質：  1.外殼采用A3鋼板防靜電噴塑處理;  2.內膽采用SUS優質不銹鋼板;  3.箱蓋采用A3鋼板噴塑處理;  4.工作室的兩邊共安裝8支UV系列紫外燈管;  5.加熱方式為內膽水槽式加熱、升溫快、溫度分布均勻;  6.箱蓋為雙向翻蓋式,開閉輕松自如;  7.內膽水位自動補水;  8.試樣架由襯墊和伸張彈簧組成,均采用鋁合金材料制成;  9.試驗箱底部采用高品質可固定式PU活動輪; 10.排水系統使用回渦型及U型積沉裝置排水; 11.試樣表面與紫外燈平面距離為50毫米且相平行; 三、光源系統:  1.光源采用8支UV系列額定功率為40W的紫外熒光燈管作發光源(燈管長度1200mm),分布在機器的兩側每側各4支;  2.符合標準燈管有UVA-340或UVB-313光源供用戶選擇配置;（任選一種）  3.UVA-340燈管的發光光譜能量主要集中在315nm～400nm波長之間;  4.UVB-313燈管的發光光譜能量主要集中在280nm～315nm波長之間;  5.由于熒光燈光能量輸出會隨時間而逐步衰減,為了減小因光能量衰減造成試驗的影響,所以本試驗箱在所有的8支燈管中每隔1/4的熒光燈壽命時,由一支新燈管替換一支舊燈管,這樣紫外光源始終由新燈和舊燈組成,從而得到一個輸出恒定的光能量;  6.燈管有效使用壽命國產燈管600～800小時/進口燈管1800～2000小時; 四、控制系統：  1.采用智能型SAMWON-ST系列韓國進口溫控儀表,控制精度±0.1℃；  2.溫度控制均采用P.I.D ＋S.S.R,系統同頻道協調控制,可提高控制元件與界面使用之穩定性及壽命；  3.觸控式設定、數位及直接顯示  4.具有P.I.D 自動演算之功能,可減少人為設定時帶來之不便  5.光照和冷凝、噴淋可獨立控制也可以交替循環控制  6.光照和冷凝的獨立控制時間和交替循環控制的時間可在一千小時內任意設置;  7.在運轉或設定中,如發生錯誤時,會提供警示迅號;  8.法國“施耐德”元器件。  9.飛利浦鎮流器和啟輝器（保證每次開機均可點亮紫外燈） 五、加熱系統：  1.采用U型鈦合金高速加溫電熱管；  2.完全獨立系統,不影響試驗及控制線路；  3.溫度控制輸出功率均由微電腦演算,以達高精度及高效率之用電效益；  4.具有加熱系統的防超溫功能； 六、黑板溫度控制：  1.采用黑色鋁板聯接溫度傳感器；  2.采用黑板溫度儀表控制加熱,溫度更穩定； 七、噴淋系統：  1.噴淋均勻性調節利用控制器的人工控制功能,在開門狀態下觀察噴淋狀況,從而加以調節或更換噴頭；  2.噴淋狀態監控：機器配置了噴淋裝置,噴淋裝置模擬下雨時的溫度劇變和雨水侵蝕,共有若干噴嘴噴灑均勻。什么時候噴淋、噴淋多長時間都由客戶自由設置；  3.用戶需準備有壓力的去離子水或自來水；  4.主機附近的地面上需要有排水溝； 八、設備使用條件：  1.環境溫度：5℃～＋28℃（24小時內平均溫度≤28℃）  2.環境濕度：≤85%R.H  3.操作環境需要室內通風良好,機器放置前后左右各80公分不可放置東西; 九、符合標準:  嚴格參照GB/T14522-2008、GB/T16422.3-97、GB/T16585-96等相關紫外老化試驗標準設計制造; 十、服務承諾：免費送貨上門,在對該設備安裝調試結束后,在用戶現場對相關技術人員免費做相應的操作培訓,人數不限。 北京中科環試儀器有限公司 電話: 010-81290307 傳真: 010-81283287 手機: 13671371697 聯系人：唐治剛 http://www.zkhs17.com E-mail:zkhs@zkhs17.com  

本發明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結構的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結構，并結合多孔泡沫金屬層(6)進行換熱強化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發電效率，同時將太陽能光伏元件所產生的大量熱量及時傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預熱、干燥或者室內供暖等用途。本發明所使用的泡沫金屬具有高熱導率及高比表面積，可以有效地改善傳統太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達到最高。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發表在國際頂尖一區期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發表在國際頂尖一區期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統發現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環中出現了穩定多渦旋態。隨著內半徑的增長,我們發現了穩定基態的(l:L)和(2:L)多渦旋態現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

一種寬光譜、強吸收的表面光伏型光探測器的制備方法，其作法是：以鈦箔為陽極，鉑為陰極，對鈦箔進行氧化，得非晶態TiO2納米管陣列；經處理后，得TiO2納米管陣列；將鈦箔置于高溫反應釜內，再將Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反應釜，熱處理得Bi2S3-TiO2納米管陣列；在Bi2S3-TiO2納米管陣列表面覆蓋FTO，引出電極，在未生成Bi2S3-TiO2納米管陣列的鈦箔上引出電極，將FTO與鈦箔及其Bi2S3-TiO2納米管陣列的接觸邊緣封裝即得本發明的光探測器。該方法能耗低，工藝、設備簡單；制得物適用光譜范圍大，適合做光譜分析；還可以做光敏開關等光電器件，具有廣闊的應用前景。

液體磁性磨具是由我在國際上首先提出并研制成功的一種新型精密光整加工技術，具有良好的材料適應性，可以實現對各種金屬材料零件、陶瓷材料零件等的光整加工，可以獲得較低的表面粗糙度 值，具有良好的可控性，可方便的通過調節磁場強度來控制整個加 工表面或局部表面研磨壓力的大小，且光整加工所需要的設備簡單，對設備的精度要求不高，可以方便地應用于生產實踐，在復雜 型面、孔等表面精密加工方面具有具有明顯的優勢，居國內領先水平。