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本發明公開了一種基于運算放大器的憶阻器編程電路及其操作 方法，編程電路包括：阻變元件、運算放大器、脈沖開關、第一電阻； 運算放大器的反相輸入端作為編程電路的輸入端，同時連接阻變元件 的一端；阻變元件的另一端連接脈沖開關的一端，同時連接第一電阻 的一端；第一電阻的另一端作為編程電路的輸出端，同時連接運算放 大器的輸出端；脈沖開關的另一端作為脈沖輸入端；運算放大器的同 相輸入端接地。本發明利用阻變元件的閾值電壓性質，通過

本實用新型涉及一種大功率LED與散熱器的零熱阻結構,及基于此結構的LED燈。大功率LED與散熱器的零熱阻結構,包括至少一個大功率LED、PCB、散熱器,所述的PCB為單面覆銅絕緣基PCB,PCB有用于安裝LED的通孔,LED電極引出腳焊接在PCB的導電線上,LED的熱沉的外平面與PCB的無導電層面平行、且高出PCB的無導電層面,所述的PCB通過固定裝置安裝于散熱器上,熱沉與散熱器之間有不含固體顆粒的粘結膠,其厚度接近為零。本實用新型具有LED熱沉到散熱器的熱阻接近為零、導熱效率高、LED結溫低、可用更大工作電流降低成本、發光效率高、壽命長、工藝簡單、成本低等優點,可用于制造各種LED照明裝置。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。技術指標如下：溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議

成果描述：我們研發的低介低損耗LTCC微波介質材料主要參數滿足： 燒結溫度：900度 介電常數：5.8~6.5可調 Qf：≥50000市場前景分析：該材料可廣泛應用于各種LTCC天線、濾波器等微波集成器件領域和LTCC集成模塊的封裝領域，市場前景非常好。與同類成果相比的優勢分析：目前國內還沒有該類型的產品問世，相應研究所和企業主要是購買國外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料價格昂貴，且主成分為玻璃體系，限制了其推廣和應用。本成果材料主要為陶瓷體系，與LTCC工藝的兼容性很好，且成本低廉，優勢明顯。

本技術設計了高效功率控制算法，實現了低功耗低延時的無線傳輸。同時，由于計算任務在數據量和計算量上的差異，本技術實現合理高效的卸載決策，利于有效降低計算延時。可以為未來的通信網絡中，計算卸載物聯網設備通信節能提供底層的技術支持。

西安科技大學化學化工學院 2005 年開始就對我國低變質煤制備高濃度水煤漿以及氣化水煤漿提濃技術進行研究，研究成果經企業的初步驗收取得了良好的效果，粒度優化級配工藝裝置已成功實施。并將取得良好的經濟和社會效益。

為解決當前對蝦養殖病害難以防控及降低對蝦池塘養殖面源污染問題，促對蝦養殖業增產增效，很有必要應用資源節約環境友好型對蝦低碳健康養殖新技術。 本項目通過直接在對蝦養殖池塘中懸掛研制的專利產品—生物膜凈水柵，應用配套的快速形成穩定成熟生物膜及其生物絮團技術，促進有益微生物種群生長與良好藻相形成，降解轉化池塘水中有害污染物（如氨氮等），確保水質良好，遏制病原微生物爆發，減少病害發生，提高養殖成活率，促進對蝦良好生長。實現顯著節水減排60%、節約飼料20%、產量提高30%以上，且具有投入與運行成本低、操作簡便及易應用推廣的特點。

小試階段/n在強噪聲背景下進行微弱信號檢測, 在現代無線通信、傳感器與機械設備檢測等領域應用廣泛，常用的檢測方法有相關檢測、頻譜分析等。對微弱信號而言，直接通過波形采集進行頻譜分析是不合適的，同時，傳統的相關運算采用的參考信號為方波波形，這僅僅適合固定頻率的微弱信號檢測，且由于方波信號存在豐富的諧波成分，對低頻微弱信號的檢測存在干擾；同時由于參考頻率誤差、參考信號相移誤差，難以獲取準確的被檢信號參數，以及被檢信號的重建輸出。。 本發明要解決的技術問題在于針對現有技術中通過方波波形的參考信號難以獲取準確的被檢信號參數，無法進行被檢信號的重建輸出的缺陷，提供一種可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大的微弱信號檢測方法及系統。本發明公開了一種低信噪比下任意波形的微弱信號檢測方法及系統，其中系統包括：低噪放大器、鎖相環、微處理器、數字頻率合成器和運算模塊，通過模擬鎖相環工作鎖定待檢微弱信號的頻率，利用微處理器測量該鎖相環的輸出頻率，并根據該頻率值控制直接數字合成電路產生同頻信號，該信號作為相關檢測所需的參考信號。運算模塊采用乘法器和積分電路實現相關檢測，通過步進調整參考信號的相位，使互相關值最大，獲得與被測信號同頻同相的再生信號，從而實現微弱信號的檢測與放大。本發明在低信噪比條件下，具有較好的線性測量特性和較高的準確度，可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大。。支持額度：。50。萬元。承接單位：。湖北省。項目進展：。在強噪聲背景下進行微弱信號檢測, 在現代無線通信、傳感器與機械設備檢測等領域應用廣泛，常用的檢測方法有相關檢測、頻譜分析等。對微弱信號而言，直接通過波形采集進行頻譜分析是不合適的，同時，傳統的相關運算采用的參考信號為方波波形，這僅僅適合固定頻率的微弱信號檢測，且由于方波信號存在豐富的諧波成分，對低頻微弱信號的檢測存在干擾；同時由于參考頻率誤差、參考信號相移誤差，難以獲取準確的被檢信號參數，以及被檢信號的重建輸出。 本發明要解決的技術問題在于針對現有技術中通過方波波形的參考信號難以獲取準確的被檢信號參數，無法進行被檢信號的重建輸出的缺陷，提供一種可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大的微弱信號檢測方法及系統。本發明公開了一種低信噪比下任意波形的微弱信號檢測方法及系統，其中系統包括：低噪放大器、鎖相環、微處理器、數字頻率合成器和運算模塊，通過模擬鎖相環工作鎖定待檢微弱信號的頻率，利用微處理器測量該鎖相環的輸出頻率，并根據該頻率值控制直接數字合成電路產生同頻信號，該信號作為相關檢測所需的參考信號。運算模塊采用乘法器和積分電路實現相關檢測，通過步進調整參考信號的相位，使互相關值最大，獲得與被測信號同頻同相的再生信號，從而實現微弱信號的檢測與放大。本發明在低信噪比條件下，具有較好的線性測量特性和較高的準確度，可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大。。項目基本內容：。在強噪聲背景下進行微弱信號檢測, 在現代無線通信、傳感器與機械設備檢測等領域應用廣泛，常用的檢測方法有相關檢測、頻譜分析等。對微弱信號而言，直接通過波形采集進行頻譜分析是不合適的，同時，傳統的相關運算采用的參考信號為方波波形，這僅僅適合固定頻率的微弱信號檢測，且由于方波信號存在豐富的諧波成分，對低頻微弱信號的檢測存在干擾；同時由于參考頻率誤差、參考信號相移誤差，難以獲取準確的被檢信號參數，以及被檢信號的重建輸出。 本發明要解決的技術問題在于針對現有技術中通過方波波形的參考信號難以獲取準確的被檢信號參數，無法進行被檢信號的重建輸出的缺陷，提供一種可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大的微弱信號檢測方法及系統。本發明公開了一種低信噪比下任意波形的微弱信號檢測方法及系統，其中系統包括：低噪放大器、鎖相環、微處理器、數字頻率合成器和運算模塊，通過模擬鎖相環工作鎖定待檢微弱信號的頻率，利用微處理器測量該鎖相環的輸出頻率，并根據該頻率值控制直接數字合成電路產生同頻信號，該信號作為相關檢測所需的參考信號。運算模塊采用乘法器和積分電路實現相關檢測，通過步進調整參考信號的相位，使互相關值最大，獲得與被測信號同頻同相的再生信號，從而實現微弱信號的檢測與放大。本發明在低信噪比條件下，具有較好的線性測量特性和較高的準確度，可實現任意波形的微弱信號自動檢測和再生放大。