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本技術針對冗余容錯技術體積、重量、成本高的缺點，提出了一系列低成本容錯技術，當功率器件發(fā)生故障時，通過熔斷器將故障橋臂隔離，同時切換到匹配的容錯模式，實現(xiàn)電力電子變換器的有效容錯。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 變頻調(diào)速系統(tǒng)作為主要的電能動力設備，是工業(yè)生產(chǎn)、交通運輸、新能源、國防裝備等領域的關鍵設備之一。其中，電力電子變換器是電池、電網(wǎng)等能量源與驅動電機之間必不可少的能量傳輸紐帶，是變頻調(diào)速系統(tǒng)最核心的組成部件。 痛點問題：電力電子變換器中使用了大量的功率器件，承擔了穩(wěn)定電壓、控制電流開通和關斷等影響系統(tǒng)性能和功能的關鍵作用，這些功率器件由于電壓、電流、機械安裝等應力和高溫、潮濕等外部環(huán)境作用下，本身易損壞易老化，其安全隱患極易引起整個系統(tǒng)崩潰，造成嚴重后果。 本技術針對冗余容錯技術體積、重量、成本高的缺點，提出了一系列低成本容錯技術，當功率器件發(fā)生故障時，通過熔斷器將故障橋臂隔離，同時切換到匹配的容錯模式，實現(xiàn)電力電子變換器的有效容錯。

低成本高鹽高氨氮有機廢水處理；含鹽量〈1600mg/L,氨氮〈35mg/L，總氮〈50mg/L；本廠現(xiàn)有污水處理工藝為蒸發(fā)脫鹽后進入生化UBF+A/O達標排放，尋求專家團隊一起合作開發(fā)更低成本高效處理高鹽高氨氮有機廢水技術。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

1 成果簡介GaN 基的發(fā)光二極管（ LED）作為一種新型高效的固體能源，將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的第三代照明工具。外延 GaN 使用最廣泛的襯底是藍寶石，與普通的平整藍寶石襯底相比，經(jīng)生長或刻蝕的方式制作出的具有周期性凸凹起伏結構的圖案化藍寶石襯底，可以減少外延生長 GaN 的位錯密度，改善晶體質(zhì)量，提升 LED 內(nèi)量子效率。同時圖案化的藍寶石襯底有效解決了由于 GaN 材料折射率大引起的全反射問題，增加了光提取效率。研究表明，微米級圖案化藍寶石襯底可以大幅度提高 LED 的芯片亮度，而使用納米級的圖案化藍寶石襯底亮度將更高。目前雖然可以制造出微米級圖案化藍寶石襯底，但是需要進行黃光光刻工藝，存在成本高且產(chǎn)率低等問題；如果要形成納米級周期性結構，所采用的次微米圖形加工工藝昂貴， 500nm 以下的圖形成本更高。我們以化學自組裝工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導體光刻工藝，發(fā)展出一種低成本的納米級圖案化藍寶石襯底加工技術，以提供 LED 企業(yè)急需的面向高端產(chǎn)品（高亮度、大功率照明用 LED）的藍寶石襯底。2 應用說明本技術以膠體納米球作為構筑基元，利用化學自組裝方法制備大面積（可達 4 英寸）膠體晶體單層——一種納米級有序排列形成的周期性結構（圖 1），再通過干法刻蝕或者濕法腐蝕的方法將該周期性結構轉移到藍寶石襯底上，從而得到納米級圖案化藍寶石襯底（圖2）。 整個方法建立在化學自組裝技術基礎上，擯棄了傳統(tǒng)半導體光刻工藝，快速、重復性好，大大降低了納米級圖案化藍寶石襯底的制備成本，從而為外延生長高亮度、大功率照明用 GaN 材料提供更高質(zhì)量、更低成本的藍寶石襯底。  圖 1 化學自組裝方法在 2 英寸藍寶石襯底上制備的膠體晶體單層及其微細結構。  圖 2 納米級圖案化藍寶石襯底， 左圖為蒙古包狀圖形襯底， 右圖為凹坑狀圖形襯底。3 效益分析目前我國照明行業(yè)產(chǎn)值已達 800 多億元，市場對高端 LED 產(chǎn)品的需求越來越旺盛。為了提高 LED 的發(fā)光效率，除采用優(yōu)化的外延結構外，使用圖案化藍寶石襯底是廣泛采用的方法之一。目前高光效圖案化藍寶石襯底的市場年需求量為 1000 多萬片，并且隨著我國“ 十城萬盞” 計劃的推進，每年的需求量將有一個很大的遞增。當前的圖案化藍寶石襯底無論在國內(nèi)市場還是國際市場都是供不應求，而在中國國內(nèi)還未有相應的技術和方法，外延所需的圖案化襯底主要從美國、韓國和臺灣進口。因此，面對市場對高端 LED 產(chǎn)品的需求，納米級圖案化襯底的市場規(guī)模巨大，前景非常好。本項目攜手藍寶石襯底企業(yè)或 LED 企業(yè)，瞄準 LED 高端市場的需求，生產(chǎn)目前 LED 企業(yè)急需的納米級圖案化藍寶石襯底，力爭成為國內(nèi)首家納米級圖案化藍寶石襯底專業(yè)制造商。4 合作方式技術轉讓或合作開發(fā)，商談。5 所屬行業(yè)領域能源環(huán)境。

本實用新型公開了一種低成本低待機功耗的費控斷路器控制系統(tǒng)?？刂葡到y(tǒng)包括電路部分和非電路部分，電路部分包括功率供電模塊、線性供電模塊、電機驅動模塊、控制器模塊和費控信號接收模塊，非電路部分包括限位開關/模式選擇開關、動作電機以及外殼傳動結構。本實用新型在成本和體積上有相當?shù)膬?yōu)勢，同時具有很強的EMC耐受能力，能在浪涌、快變脈沖和靜電放電干擾下保證正常的控制邏輯，可以僅使用一個8引腳的51內(nèi)核單片機作為控制器，配合少量電阻電容等無源器件，實現(xiàn)所有的費控功能。

機械裝備構件的輕量化和可靠性分析是機械裝備設計和制造永恒的主題之一，對于汽車行業(yè)來說，輕量化意味著節(jié)能環(huán)保，高可靠性意味著更高的安全性能；而對航空航天和國防軍事裝備構件來說，解決輕量化和高可靠性的問題更是迫在眉睫。機械裝備構件的輕量化不僅對節(jié)約成本、節(jié)能減排等方面有重要作用，而且對機械裝備構件設計和制造技術進步有著重要的意義。本項目針對機械裝備在加工過程中，主軸端出現(xiàn)較大變形以及機床在快速移動過程中立柱出現(xiàn)較大振動的現(xiàn)象進行分析研究，并對機床的結構和進給系統(tǒng)進行優(yōu)化分析，使得機床主軸末端在加工過程中的變形量不超過0.01mm；將機床的一階共振頻率提高約30%，同時使得機床的重量下降約10%。

內(nèi)容介紹： 金屬氧化物半導體氣敏材料由于具有靈敏度高、響應一恢復快、制備 簡單、價格低廉、選擇性可方便通過材料表面修飾等進行改善的優(yōu)點， 在傳感器領域具有很好的應用前景和實用價值。 本項目利用環(huán)境友好、低成本的低溫方法合成了納米材料，通過材料 成分的設計和工藝參數(shù)的調(diào)控來獲得具有形貌可控的納米材料，將其應 用到氣敏元件。通過其對可燃和有毒氣

本發(fā)明提供了一種低成本高活性催化型脫硫活性焦，為經(jīng)過活化處理的、主要組分為炭化煙煤和軟錳礦經(jīng)擠出成型的型料，其中錳的重量含量不低于1.6％，該脫硫活性焦的飽和硫容量為140～181mg/g，比表面積為319～363m2/g，碘值為344～393mg/g。其制備方法：首先將煙炭化，分別將軟錳礦和煙煤炭化料粉碎成粉料，向煙煤炭化料粉料中加入軟錳礦粉料并混合均勻，然后加入水，混合至物料中無粉料團聚體時，加入煤焦油，充分混捏后擠出成型并烘干，再將烘干后的型料在N2保護、通入水蒸汽的條件下進行活化反應，最后在N2保護下隨爐冷卻至室溫，即得。本發(fā)明能解決目前使用的脫硫活性焦存在的脫硫容量低，再生頻繁，使用量大，運行成本高等問題。