|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種五氧化二釩納米帶及其常溫合成方法與應用
（專利號：ZL 201410485637.4） 簡介：本發明公開了一種五氧化二釩納米帶及其常溫合成方法與應用，屬于納米材料和電化學儲能技術領域。本發明的一種五氧化二釩納米帶的常溫合成方法，向釩源水溶液中加入礦化劑，然后將加有礦化劑的釩源水溶液置于常溫條件下攪拌，反應完全后，洗滌收集得到五氧化二釩納米帶；五氧化二釩納米帶為均勻超長納米帶，其長度為10-20微米，五氧化二釩納米帶的寬度為20-50納米。本發明能夠在常溫常壓下簡單、低成本、高產
安徽工業大學
2021-01-12
第五屆中國城市與高校發展學術活動在福州舉辦
4月15日，作為第61屆中國高等教育博覽會的重要組成部分，第五屆中國城市與高校發展學術活動在福州舉辦。大會以“融合融匯、共創共贏——前沿、創新、發展”為主題，在推進教育、科技、人才“三位一體”協同融合發展中，謀劃城市與高校同頻共振、深度融合、共建共贏，助力高等教育、國家和區域高質量發展。
中國高等教育博覽會
2024-04-17
雙轉臺五軸聯動數控機床的夾具高度及加工路徑優化方法
本發明公開了一種雙轉臺五軸聯動數控機床的夾具高度及加工路徑優化方法，該方法包括：(1)生成刀位軌跡文件；(2)提取刀位點位置坐標值和刀軸矢量；(3)計算雙轉臺 A 軸旋轉角度θA 和 C 軸旋轉角度θC；(4)計算出系數和以及(5)利用這些系數計算出最優夾具高度，由此實現對機床的夾具高度及加工路徑優化過程。通過本發明，由于最大程度避免了刀具及安裝刀具的機床主軸在機床坐標系下的 X、Y、Z 軸上不必要的平移運動，可以有效地縮短加工時間，并能夠避免局部運動幅度過大造成的加工質量劣化和撞刀事故。
華中科技大學
2021-04-11
對采用球頭刀具的五軸聯動機床平滑加工路徑的方法
本發明公開了一種對采用球頭刀具的五軸聯動機床平滑加工路徑的方法，包括：(1)根據加工零件的幾何形狀和工藝參數，生成刀位軌跡源文件；(2)對源文件依次進行逐行讀取、解析并提取其刀位點位置和刀軸矢量，以及判斷刀位行有無干涉錐角以確定其錐角值的操作，由此獲得錐角刀路文件；(3)對錐角刀路文件依次進行逐行讀取，解析并提取其刀位位置、刀軸矢量和錐角，以及確定所有刀位行最優刀軸矢量的操作；以及(4)根據最優刀軸矢量計算刀位點坐標并執行后置處理以生成機床加工路徑，從而實現對機床加工路徑的平滑處理。通過本發明，能夠使刀軸平滑過渡局部變成三軸加工，以消除局部非線性誤差，并消除了奇異位置機床旋轉軸大幅旋轉問題，提高加工效率。
華中科技大學
2021-04-11
一種五軸聯動機床回轉軸線幾何參數測量方法
本發明公開了一種基于觸發式測頭五軸聯動機床回轉軸線幾何參數測量方法，屬于數控系統、機床結構參數測量領域，包括儀器安裝、參數設置、碰撞采集和RTCP參數計算步驟。通過數控系統，驅動測頭探針與標準球進行碰撞并鎖存碰撞點機床坐標，根據坐標計算各個示教點相對應的標準球球心坐標，使用最小二乘數據處理方法，對各個標準球球心坐標擬合主動旋轉軸與從動旋轉軸軸線方向與空間位置，得到RTCP參數。本發明方法可完成五軸聯動機床回轉軸線幾何參數(即RTCP參數)自動精密測量，實現旋轉刀具中心點精確控制。
華中科技大學
2021-04-14
五谷雜糧飲料（包括茶奶）的工業化技術及裝備
以有機復合谷類雜糧為主要原料，采用微波烘焙、超微粉碎、冷殺菌（電磁脈沖殺菌、超高壓殺菌等）及瞬時超高溫殺菌等關鍵技術及裝備對產品營養、穩定性、色香味的影響及加工研究，生產固體或液體健康飲品。
創新要點
獨特的營養配方；產品的穩定性、保質期保障；不同口感、色彩；不添加化學合成添加劑。
江南大學
2021-04-11
高介孔率、強疏水性新型活性碳材料及其高效吸附回收VOCs技術
高校科技成果盡在科轉云
西安交通大學
2021-04-10
含硫、氮和過渡金屬元素大孔碳氧化原催化劑的制備方法
本發明涉及氧還原催化劑的制備方法，旨在提供一種含硫、氮和過渡金屬元素大孔碳氧化原催化劑的制備方法。該方法是：將硫脲溶液加入葡萄糖溶液，于水浴中滴加鹽酸，反應得到葡萄糖硫脲預聚體溶液；將含過渡金屬鹽和納米CaCO3粉末的懸濁液加入其中，加熱反應后噴霧干燥，得到催化劑前驅體；然后升溫進行深度聚合、碳化；冷卻球磨，再使用鹽酸去除模板，漂洗后干燥，得到產品。本發明將過渡金屬元素在多孔材料形成前加入，能夠形成更多的催化中心，是催化中心的分布更加均勻。得到的催化劑比表面積大，導電性好，具有極高的催化活性，特別適用于大電流工作狀況。合成的非貴金屬催化劑可用于多種燃料電池，也可作為空氣電池的陰極催化劑，成本低廉。
浙江大學
2021-04-13
一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
華中科技大學
2021-04-14
一種介孔二氧化硅包覆納米金顆粒的制備方法
本發明公開了一種利用介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，結合納米金球合成的傳統手段-檸檬酸鈉還原法，采用一鍋兩步法發展了一種介孔二氧化硅包覆納米金球的方法，該方法選擇在碳鏈的陽離子表面活性劑如十六烷基三甲基溴化銨的堿性水溶液體系中對納米金顆粒進行包覆。采用本發明的包覆方法，無需引發劑活化和后續分離純化，具有簡單、高效、高產的特點，并且產物 Au@mSiO2 的大小均一，粒徑大小在 20-120nm 的范圍內連續可調，且在整個范圍內呈現出均一有序的介孔狀結構。
華中科技大學
2021-04-14