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（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

                    粉末二氧化硅 LK925 補強性好、耐摩擦   橡膠用傳統二氧化硅，主要應用于日常生活中橡塑補強劑、鞋業制品、家用電動車輪胎、電線外皮層等領域 LK955-1 分散性高、絕緣性好 LK955-2 絕緣性優異、補強性好 LK975 摩擦性好、補強性優異 LK955-1A 分散性優異、摩擦系數低 造紙、皮革等領域 LK965A 消光性優異、分散性優異、摩擦系數低 高端涂料等領域 LK965B 消光性好、易分散 木器、塑料、皮革等領域 LK955GXJ 透明度高、強度大 硅橡膠專用二氧化硅，可增強其韌性與強度 LK958GXJ 分散性優異、強度大 LKSILM10 流動性好、耐酸、耐堿   抗結塊劑專用二氧化硅，主要防止粉末涂料結塊、涂層及塑料薄膜粘連，也可在農藥可濕性粉劑里的運用，可防止結塊及擴散增溶 LKSILM90 摩擦系數低、流動性好 LSILP245 流動性優異、容易擴散、具有一定吸附性 LKSILP300 流動性優異、摩擦系數低、吸附性能優異 LK25 可根據客戶需求定制 其它特殊用途二氧化硅

化學化工學院婁永兵教授課題組在國際頂級期刊《ACS Nano》上發表題為“MoS2-Stratified CdS-Cu2?xS Core?Shell Nanorods for Highly Efficient Photocatalytic Hydrogen Production”（二硫化鉬層化硫化鎘?硫

（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現較為均

（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現較為均

 從元素在地殼中的豐度，毒性和價格方面介紹硫化物作為熱電材料的天然優勢；從熱電性能上分析了硫化物在熱穩定性，載流子濃度的可調控性等方面的劣勢；也總結了包括元素摻雜、微觀結構調控等優化硫化物熱電材料的方法；最后提出了硫化物潛在的研究方向和可能的優化硫化物熱電材料性能的新方法。

一、產品性能1）易生物降解性，對生態系統無毒無害。2）配伍性優異，耐強堿，耐高pH值，耐高溫。3）對雙氧水H2O2具有極佳的穩定性。用于雙氧水氧漂穩定劑。

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統的實驗結果發現，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。