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一種磁紡制備石墨烯/聚合物有序微納米復(fù)合纖維的方法
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種磁紡制備有序石墨烯/聚合物微納米復(fù)合纖維的方法，該方法利用磁體旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的交變磁場力作用，拉伸含石墨烯、聚合物混合液的磁流體射流進行紡絲，整個過程無需高壓電作用，有效降低生產(chǎn)成本和安全隱患，且制得的纖維有序排列，所得有序石墨烯/聚合物微納米復(fù)合纖維具有很好的應(yīng)用前景。利用高分子聚合物如聚氧化乙烯、聚偏氟乙烯、聚己內(nèi)酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等制備而成的微納米纖維具備高比表面積、高長徑比以及多孔性等特點，與塊體材料的光、熱、力、電、磁等性質(zhì)有明顯的區(qū)別，因此在微納光電子器件、過濾分離、生物傳感以及組織工程等諸多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
青島大學
2021-04-13
一種大規(guī)模磁紡設(shè)備及用該設(shè)備制備微納米纖維的方法
該發(fā)明公開了一種大規(guī)模磁紡設(shè)備及使用該設(shè)備制備微納米纖維的方法，該設(shè)備包括支架，給料裝置，紡絲噴射裝置和水平設(shè)置的滾筒式收集裝置，收集滾筒的表面固定有提供磁場的條形永磁鐵，紡絲噴射裝置有多個噴頭，排成一列，指向條形永磁體，被固定在可沿滾筒中軸線方向做往復(fù)運動的驅(qū)動器上。該設(shè)備以磁場力代替電場力，在交變磁場力作用下拉伸鐵磁流體制備磁性微納米纖維，整個過程無需高壓電作用，有效降低生產(chǎn)成本和安全隱患，同時可批量連續(xù)生產(chǎn)微納米纖維，且制得的纖維排布有序，產(chǎn)量高適合大規(guī)模生產(chǎn)。
青島大學
2021-04-13
一種英文微博中地理興趣點抽取和感知其時間趨勢的方法
本發(fā)明公開了一種抽取英文微博中地理興趣點和感知其時間趨勢的方法，本發(fā)明首先對一條英文微 博進行掃描，確定其中包含的候選地理興趣點;然后從微博中抽取詞匯，語法和 BILOU 模式標記三類 特征;基于三類特征，運用時間趨勢地理興趣點標記器，對微博中的候選地理興趣點進行確定和感知其 對應(yīng)的時間趨勢。依照本發(fā)明所提供自動確定英文微博中涉及的地理興趣點以及其時間趨勢的技術(shù)方法， 可以基于精細度地理位置來進行個性化的服務(wù)和開展市場營銷。由于地理興趣點知識庫的構(gòu)建利用了位 置社交網(wǎng)絡(luò)，不需人工進行生成，而且三類特征信息具有普遍性，使本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于同類各種英 文微博服務(wù)平臺，具有廣泛的實際意義和商業(yè)價值。
武漢大學
2021-04-13
一種基于金屬微納結(jié)構(gòu)天線陣列的反射式離軸透鏡
本發(fā)明提供一種基于金屬微納結(jié)構(gòu)天線陣列的反射式離軸透鏡，包括襯底層、反射層、光學薄膜匹 配層和金屬微納結(jié)構(gòu)天線層。每一個金屬微納結(jié)構(gòu)天線的朝向均不同，通過特定排布，可實現(xiàn)將平行入 射的激光反射匯聚在與入射光束同側(cè)的任意方向上，可應(yīng)用于激光離軸光學系統(tǒng)中。由金屬微納結(jié)構(gòu)天 線陣列構(gòu)造的反射式離軸透鏡，不僅可連續(xù)調(diào)制入射光的位相，且僅需簡單的一次光刻工藝步驟即可制 造完成，因此具有設(shè)計靈活、加工簡單、結(jié)構(gòu)緊湊等突出優(yōu)點。
武漢大學
2021-04-13
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關(guān)鍵技術(shù)：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。
大連理工大學
2021-04-14
基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片
本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口、以及第二驅(qū)控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分
華中科技大學
2021-04-14
一種基于光纖圖像傳輸?shù)膱A柱面表面微痕缺陷的檢測系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于光纖圖像傳輸?shù)膱A柱面表面微痕缺陷的 檢測系統(tǒng)，運用光纖束傳像原理，將傳像光纖有規(guī)則地排列在一個同 心圓周上，實現(xiàn)外圓柱表面一周的圖像采集及缺陷檢測。該裝置主要 包括球面聚光反射鏡、點光源、聚焦透鏡系統(tǒng)、傳光光纖、自聚焦棒 透鏡、傳像光纖、柱面透鏡和線陣 CCD。本發(fā)明一方面通過光纖將外 界照明光引入，使被檢測表面的環(huán)狀檢測區(qū)域被充分照明;另一方面 利用傳像光纖把被檢測表面的反射光傳遞給CCD聚焦透鏡系統(tǒng);最后 通過圖像采集卡和計算機軟件分析檢測圓柱類物體外表面的缺陷。該
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝置
本發(fā)明公開了一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應(yīng)部分以及磁軛式局部微磁化 部分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導(dǎo)芯和引導(dǎo)芯 套筒，磁引導(dǎo)芯下端采用圓錐形的結(jié)構(gòu)細化檢測區(qū)域，實現(xiàn)點型缺陷 的高分辨率檢測；磁感應(yīng)部分由繞制在引導(dǎo)芯套筒外側(cè)的磁感應(yīng)線圈 組成；由引導(dǎo)芯套筒支撐固定的磁軛式局部微磁化部分，包括環(huán)形導(dǎo) 磁構(gòu)件、磁鐵連接件、磁軛式雙磁鐵以及斜向雙導(dǎo)磁構(gòu)件，該部分將 磁場量導(dǎo)入待檢測金屬體內(nèi)，達到局部微磁化的效果，通過與磁引導(dǎo) 芯連接的磁敏感
華中科技大學
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續(xù)變化的方法
本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14